张洪宾
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术理学电子电信更多>>
- 微波电子回旋共振等离子体放电特性研究被引量：3
- 2009年
- 为了深刻理解微波电子回旋共振(ECR)等离子体的物理机制、瞬态过程以及空间分布特性,首先利用光栅光谱仪对ECR氮等离子体发射光谱进行了研究,然后利用朗缪尔双探针测量了装置反应室内等离子体密度的空间分布,并分析了放电气压对等离子体空间分布的影响.结果表明:ECR氮等离子体中主要发生的是碰撞激发、碰撞电离和碰撞离解等微观过程,且等离子体的主要成分是激发态的N2+;受磁场梯度影响的反应室上游区,等离子体分布不均匀,受等离子体密度梯度影响的下游区,等离子体则具有良好的均匀性;对于特定的微波功率(PW=400 W),放电气压存在一个最佳值(P=0.07 Pa).
- 张洪宾陈俊芳符斯列郭超峰李炜黄孟祥
- 关键词：ECR等离子体发射光谱
- 微波ECR等离子体技术及制备GaN薄膜研究
- 本论文在系统总结了国内外GaN材料制备与器件工艺的研究历史、现状基础上，利用ECR-PEMOCVD系统在硅衬底上低温外延了GaN薄膜。论文首先通过诊断ECR等离子体的空间分布特性，及ECR等离子体发射光谱各基团的光谱特性...
- 张洪宾
- 关键词：氮化镓ECR等离子体GAN薄膜光电子器件
- 文献传递
- PECVD系统中的粒子几率密度分布研究
- 本论文中运用Langevin方程和Forkker-Planck方程,建立了一个等离子体系统内粒子传输的理论模型,研究在一个PECVD等离子体系统中,如何通过某些环境参数的变化来使得沿直管表面传输的粒子产生净流动。在我们的...
- 李炜陈俊芳张洪宾郭超峰
- 文献传递
- Si表面吸附GaN的第一性原理研究被引量：3
- 2009年
- 为了更好地了解Si表面对GaN的吸附,利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了Si(100)和Si(111)弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图。计算结果表明,相对于Si(111)表面,Si(100)表面更容易吸附GaN,在同等实验条件下,在Si(100)表面应更容易沉积GaN薄膜。采用ECR-MOPECVD工艺,于低温下在Si(100)衬底上沉积得到了GaN薄膜,XRD谱图表明该薄膜是一种晶体结构和无定形结构的混合结构。
- 李炜陈俊芳王腾张洪宾郭超峰
- 关键词：SIGAN第一性原理
- 微波放电氢等离子体的特性诊断和分析被引量：2
- 2008年
- 在微波等离子化学气相沉积装置中,分析了反应室内等离子密度空间分布以及等离子密度与气压和功率的关系,还分析了Hα(656.3 nm)的峰值强度与气压和功率的关系,得到了微波放电氢等离子体内部的基本特性.
- 杨春林陈俊芳符斯列史磊张洪宾黄孟祥赖秀琼
- 关键词：LANGMUIR探针等离子体密度发射光谱
