张方迪
- 作品数:11 被引量:57H指数:5
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- 相关领域:电子电信理学更多>>
- 椭圆形高折射率芯Bragg光纤的偏振和色散特性被引量:3
- 2006年
- 应用全矢量有限元方法,分析了椭圆形高折射率芯Bragg光纤的偏振和色散特性,详细讨论了光纤结构参量对模式双折射的影响,结果发现:椭圆形高折射率芯Bragg光纤的模式双折射在10-3量级,比传统保偏光纤高出一个量级,且随波长的增加而单调递增;模式双折射随包层低折射率材料填充比的增加而减小,但与包层周期的变化几乎无关.此外,提高椭圆率或材料间的折射率比可显著增强模式双折射.研究结果有助于设计高性能的一维微结构保偏光纤.
- 刘小毅张方迪张民余重秀张磊吕召彪叶培大
- 关键词:导波与光纤光学BRAGG光纤偏振色散
- 光子晶体光纤瑞利散射特性分析
- 2007年
- 基于全矢量有限元方法,建立了光子晶体光纤瑞利散射损耗的数值分析模型,并分析了该模型对与制作工艺相关的瑞利散射系数、与结构相关的空气孔间距及空气孔直径等参量对空气孔正六边形排列光子晶体光纤瑞利散射损耗特性的影响.分析结果表明:在相同波长下,瑞利散射损耗随着瑞利散射系数的增大而增大;在空气孔间距Λ一定而空气孔直径d增大或d一定而Λ增大时,瑞利散射损耗均减小.
- 陈盛华张志刚王清月张方迪
- 关键词:光子晶体光纤损耗瑞利散射
- 高折射率芯Bragg光纤瑞利散射特性的数值分析被引量:1
- 2006年
- 基于瑞利散射理论,运用全矢量有限元方法,分析了F掺杂以及GeO2掺杂高折射率芯Bragg光纤(HICBF)的瑞利散射特性.研究结果表明:对于F和GeO2这2种典型掺杂HICBF,光纤结构对瑞利散射损耗影响正好相反.GeO2掺杂HICBF的分析中还发现,在芯径一定的情况下,调整的包层结构可以使瑞利散射损耗降到最低.该结论同样适用于其他类似掺杂类型HICBF.
- 张方迪刘小毅张民叶培大
- 关键词:BRAGG光纤瑞利散射有限元
- 新型空气孔长方形排列单模单偏振光子晶体光纤的数值模拟被引量:12
- 2006年
- 提出了一种空气孔长方形排列的单偏振光子晶体光纤结构,并利用基于棱边/节点混合元的带有完全匹配层吸收边界条件的全矢量有限元方法对该结构进行了分析.对设计思路进行了详细说明.通过优化结构参数在理论上获得了波长在1·38—1·61μm范围内仅有慢轴模且限制损耗低于0·1dB/km的单模单偏振操作.
- 张方迪刘小毅张民叶培大
- 关键词:单偏振限制损耗
- 新型光子晶体光纤的结构设计与关键特性分析
- 纳米技术与光子技术的结合促进了光子晶体概念的提出。作为光子晶体一个重要应用,光子晶体光纤的出现标志着新一代光纤的诞生。与传统光纤相比,光子晶体光纤具有许多无法比拟的奇异特性,如无尽单模传输、可控的色散、非线性特性以及高双...
- 张方迪
- 关键词:光子晶体光纤有限元法单模光纤
- 文献传递
- 全矢量有限元模型及其在光波导和光子晶体光纤中的应用被引量:17
- 2007年
- 为了研究光波导和光子晶体光纤的模式特性和传输特性,从矢量波动方程出发,推导出了各向异性介质中场微分方程复数泛函表达式,利用棱边/节点混合元离散了该泛函,加入了各向异性介质匹配层边界条件,得到关于传播常量的广义特征值方程.以矩形波导为例,对各向异性介质匹配层边界条件的吸收特性进行了研究,得到了基模以及几个高阶模的场分布、色散曲线和损耗曲线.结果表明该方法可靠有效.对正六边形晶格光子晶体光纤进行了分析.数据表明:光纤有效折射率随空气孔直径或波长的增大而减小,但与空气孔圈数无关;光纤限制损耗(confinementloss)随波长增大近似成指数增大,而增加空气孔直径或者空气孔圈数则可使之显著降低.
- 张方迪刘小毅张民叶培大
- 关键词:有限元光子晶体光纤
- 高折射率芯Bragg光纤的气体传感特性
- 2007年
- 应用全矢量有限元方法,分析了高折射率芯Bragg光纤的气体传感特性,通过计算Bragg光纤的结构参数、传输光波长与其传感灵敏度之间的关系,结果发现:同等条件下,传输波长越长,高折射率纤芯半径越小,高折射率介质折射率越低,高折射率芯Bragg光纤的传感灵敏度则越高.
- 张治国刘小毅李安俭张方迪张民叶培大
- 关键词:导波与光纤光学BRAGG光纤矢量有限元光纤传感
- 非线性全矢量有限元模型及其应用
- 2007年
- 推导并建立了基于混合棱边/节点元的非线性全矢量有限元模型,提供了相应的迭代过程以获得强光注入下的稳定解,并利用该模型分别分析了非线性单模光纤和高非线性光子晶体光纤在线性状态和强光注入下的色散特性,数值结果与已发表的文献结论吻合良好,证明了所建立模型的准确性和有效性.
- 刘小毅张方迪张民叶培大
- 关键词:非线性色散光子晶体光纤有限元
- 基于谐振吸收效应的单模单偏振光子晶体光纤研究被引量:16
- 2007年
- 提出了一种基于谐振吸收效应的单模单偏振光子晶体光纤,阐述了其工作原理,并利用全矢量有限元法对其模场分布、限制损耗、工作带宽、消光比等基本特性进行了数值模拟.数值结果表明这种结构可以获得很高的单模单偏振工作带宽,并能以较低的损耗代价实现极高的消光比.讨论了结构设计参量对光纤性能的影响.研究结果对设计新型的高性能单模单偏振光纤具有一定的指导意义.
- 刘小毅张方迪张民叶培大
- 关键词:双折射有限元
- 一种GaN宽禁带功率放大器的设计被引量:7
- 2010年
- 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一,由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点,被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点,基于Agilent ADS仿真软件,利用负载/源牵引方法设计制作了一种Si波段GaN宽禁带功率放大器(10W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试,数据表明放大器在2.3~2.4GHz范围内可实现功率超过15W,附加效率超过67%的输出。实验结果证实,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
- 张方迪张民叶培大
- 关键词:宽禁带半导体功率放大器GAN