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张凤祁

作品数：23 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 19篇电子器件
  • 19篇样片
  • 19篇微电子
  • 19篇微电子器件
  • 15篇退火
  • 12篇石墨
  • 12篇石墨烯
  • 9篇电子迁移率
  • 9篇迁移率
  • 8篇石墨烯纳米带
  • 8篇外延炉
  • 8篇纳米
  • 8篇纳米带
  • 8篇SUB
  • 6篇碳膜
  • 5篇3C-SIC
  • 5篇CU膜
  • 5篇衬底
  • 4篇SIC衬底
  • 3篇单粒子

机构

  • 23篇西安电子科技...

作者

  • 23篇张凤祁
  • 20篇雷天民
  • 20篇张克基
  • 20篇郭辉
  • 20篇张玉明
  • 12篇邓鹏飞
  • 8篇赵艳黎
  • 2篇吴宪祥
  • 2篇郭红霞
  • 2篇王辉
  • 2篇冯娟
  • 2篇张玲霞
  • 1篇张晨旭

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 14篇2012
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
向3C-SiC注入Si的Ni膜退火石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种向3C-SiC注入Si的Ni膜退火石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性差，且制作器件时易造成电子迁移率降低的问题。其实现步骤是：首先，在Si衬底基片上先生长一层碳化层作为...
郭辉张克基张玉明张凤祁赵艳黎雷天民
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基于Cu膜退火和Cl<Sub>2</Sub>反应的结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火和Cl<Sub>2</Sub>反应的结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯续性不好、层数不均匀的问题。其实现步骤是：(1)在Si衬底基片上生长一层碳化层作为过渡；(2)在温度为1...
郭辉张克基张玉明张凤祁邓鹏飞雷天民
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基于重离子微束辐照的锗硅异质结晶体管单粒子效应测试方法
本发明提供一种基于重离子微束辐照的锗硅异质结晶体管单粒子效应测试方法，主要解决现有技术无法直接表征损伤机制并精确定位敏感区域的问题。其实现方案是：选择锗硅异质结晶体管样品，测试其电学性能；制作并检验用于辐照的印刷电路PC...
张晋新郭红霞张凤祁王辉张玲霞吴宪祥冯娟贺王鹏安陆
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基于Cl<Sub>2</Sub>反应的SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法
本发明公开了一种基于Cl<Sub>2</Sub>反应的SiC衬底上制备结构化石墨烯的方法，主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑，层数不均匀，制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯中电子迁移率降低的问题。其实现过程是：先对Si...
郭辉邓鹏飞张玉明张克基雷天民张凤祁
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基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；再在SiC样片表面淀积一层SiO<Sub>...
郭辉张克基张玉明张凤祁雷天民邓鹏飞
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向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好，且制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其制作过程为：(1)在Si衬底基片上先生长...
郭辉张克基张玉明张凤祁赵艳黎雷天民
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基于Ni膜退火的SiC与Cl<Sub>2</Sub>反应制备结构化石墨烯的方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC与Cl<Sub>2</Sub>反应制备结构化石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现过程是：先对SiC样片进行标准清洗；再在清洗后...
郭辉邓鹏飞张玉明张克基雷天民张凤祁
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向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法
本发明公开了一种向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好，且制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。其制作过程为：(1)在Si衬底基片上先生长...
郭辉张克基张玉明张凤祁赵艳黎雷天民
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基于Cl<Sub>2</Sub>反应的结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cl<Sub>2</Sub>反应的结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯层数不均匀，且制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯电子迁移率降低的问题。其实现过程是：（1）在4-12英寸的Si衬底基...
郭辉张克基张玉明张凤祁邓鹏飞雷天民
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基于Cu膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火的SiC衬底上结构化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀，制作器件时由于光刻工艺导致石墨烯电子迁移率降低的问题。其实现步骤是：(1)对SiC样片进行...
郭辉张克基张玉明张凤祁雷天民邓鹏飞
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