康晓旭
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：复旦大学微电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程一般工业技术更多>>
- Pb(Zr_(0.6)Ti_(0.4))O_3/LaNiO_3铁电电容的制备及其疲劳特性
- 2003年
- 以 L a Ni O3( L NO)为独立下电极 ,制备出 Au( Cr) / PZT/ L NO/ Si O2 结构的铁电电容 ,与使用 Pt下电极对比 ,其抗疲劳特性得到了极大的改善 .在 1MHz频率 10 V电压下 ,经过 10 1 1 次脉冲反转 ,其 ( P* - P^ )仅下降了 11%左右 ,这主要是由于使用氧化物电极可以极大地降低 PZT与电极界面处的氧空位的形成和积聚 .通过不同频率和相同频率不同脉冲宽度条件下疲劳特性的测试 ,观察到随着测试频率的升高 ,抗疲劳特性也随之提高 ;在相同频率下 ,随着测试脉宽的加大 ,疲劳现象加剧 ;同时 。
- 康晓旭林殷茵汤庭鳌王晓光钟宇黄维宁姜国宝
- 关键词：脉宽
- LaNiO/_3电极及层状Bi系铁电薄膜特性研究
- 铁电材料是一种功能材料，它不仅具备铁电特性，而且具有高介电常数、压
电效应、热释电效应、电光效应等特殊性质，可以应用于 High-K 介质材料、声
学探测器、压电传感器件、微机械系统领...
- 康晓旭
- 关键词：铁电薄膜铁电电容极化反转负阻效应
- 文献传递
- LNO薄膜电极的制备及其特性研究被引量：6
- 2003年
- 采用水基化学溶液涂布(water basedcoating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜。系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因。制备的LNO薄膜电阻率为1.77×10-3Ω·cm,且具有良好的形貌。以LNO为独立下电极,制备出了Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,通过其电滞回线和漏电特性的测试,可见制备的LNO薄膜可以很好地满足作为铁电电容电极的需要。
- 康晓旭林殷茵汤庭鳌钟宇黄维宁姜国宝王晓光
- 关键词：铁电体铁电存储器铁电电容
- 一种新的铁电电容模型及其在1T/1C FeRAM中的应用被引量：2
- 2004年
- 随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用 ,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈。文中提出的非线性双电容铁电电容模型是线性双电容铁电电容模型的改进 ,它不仅与线性双电容模型一样易于用宏模型实现 ,而且比后者具有更高的精度和更简单的控制方式。以 1 T/1 C单元作为基于铁电电容电路设计优化的实例 ,定性分析了位线寄生电容对读出窗口的影响 ,并在 HSPICE中用非线性双电容模型进行了仿真 ,得到位线寄生电容与 1 T/1 C单元铁电电容比例 (CBL/CF E)对读出窗口的最优值 :CBL/CF E=2 .
- 程旭汤庭鳌王晓光钟宇康晓旭
- 关键词：铁电电容宏模型稳态模型FERAM
- 铁电非挥发逻辑的设计和应用
- 2004年
- 根据非挥发逻辑的概念 ,分析了非挥发逻辑必须满足的条件。根据逻辑状态在电路中存在的形式与2T/ 2CFeRAM单元结构的相似性 ,得出了基于铁电电容的铁电非挥发逻辑的基本原理。以非挥发CMOSD触发器为例 ,对非挥发D触发器单元及其外围电路进行了设计和仿真 ,给出了基于铁电电容的非挥发逻辑实现的方法。最后 ,提出了非挥发FPGA的概念 ,为非挥发逻辑在数字系统中的应用提供了原型。
- 程旭汤庭鳌钟宇王晓光康晓旭
