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文献类型

  • 23篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 7篇双色红外
  • 7篇红外
  • 7篇红外探测
  • 5篇探测器
  • 5篇碲镉汞
  • 5篇衬底
  • 4篇氧化层
  • 4篇碲锌镉
  • 4篇碲镉汞材料
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇红外探测材料
  • 4篇发光
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇叠层
  • 3篇探测器材料
  • 3篇凸起
  • 3篇围栏
  • 3篇红外探测器

机构

  • 23篇中国电子科技...

作者

  • 23篇巩锋
  • 15篇周立庆
  • 14篇王经纬
  • 13篇刘铭
  • 8篇王丛
  • 5篇邢伟荣
  • 4篇孙浩
  • 4篇朱西安
  • 4篇许秀娟
  • 4篇折伟林
  • 3篇程鹏
  • 3篇强宇
  • 2篇韦书领
  • 2篇尚林涛
  • 2篇周朋
  • 1篇刘兴新
  • 1篇侯晓敏
  • 1篇王春生
  • 1篇李轩
  • 1篇高达

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 7篇2014
  • 6篇2013
  • 1篇2008
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法
本发明公开了一种承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法,其中,该装置包括:方形平台,用于放置碲锌镉样品,方形平台的厚度不小于第一预设值;在方形平台的相邻两个边沿处设置垂直于方形平台的围栏,围栏用于保护碲锌镉样品...
许秀娟巩锋周立庆折伟林朱西安
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双色红外探测器材料
本实用新型公开了一种双色红外探测器材料,该双色红外探测器材料依次包括:InSb衬底、In<Sub>1-x1</Sub>Al<Sub>x1</Sub>Sb下电极层、In<Sub>1-x1</Sub>Al<Sub>x1</S...
刘铭巩锋程鹏王经纬邢伟荣
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Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法
本发明公开了一种Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。该方法包括:进行外延级Si衬底清洗,去掉Si衬底的自然氧化层,形成人为氧化层;对Si衬底进行氧化层去除,并进行As钝化;采用迁移增强MME的方式生长ZnTe缓...
王经纬巩锋王丛刘铭强宇
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承载碲锌镉样品的装置
本实用新型公开了一种承载碲锌镉样品的装置,该装置包括:方形平台,用于放置碲锌镉样品,方形平台的厚度不小于第一预设值;在方形平台的相邻两个边沿处设置垂直于方形平台的围栏,围栏用于保护碲锌镉样品位置移动导致滑落,围栏的高度不...
许秀娟巩锋周立庆折伟林朱西安
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双色红外探测器材料及其制备方法
本发明公开了一种双色红外探测器材料及其制备方法,包括:对锑化铟晶体进行预处理,所述锑化铟为InSb,得到外延级的InSb衬底;根据响应波长范围设定铟铝锑中的Al组分的参数,所述铟铝锑为InAlSb,并在外延级的InSb衬...
刘铭巩锋程鹏王经纬邢伟荣
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一种分子束外延用衬底材料的清洗方法
本发明提供了一种分子束外延用衬底材料的清洗方法,包括以下步骤:将衬底材料在有机溶剂中进行表面去油脂处理;将表面去油脂处理后的衬底材料浸入到第一溴甲醇溶液中进行第一次腐蚀;将第一次腐蚀后的衬底材料放入盐酸溶液中进行清洗;将...
王经纬巩锋周立庆
双色红外探测材料的制备方法及系统
本发明公开了一种双色红外探测材料的制备方法及系统,该方法制备双色红外探测材料需要的层数少,制备工艺简单。其制备方法包括:对InSb晶体先进行前期处理操作,获得外延级(211)晶向的InSb衬底;对所述(211)晶向的In...
周立庆刘铭巩锋王经纬王丛孙浩
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一种梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料及其制备方法
本发明公开了一种梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料及其制备方法,其中,该方法包括:在具有缓冲层的GaSb衬底上生长N型下电极层xMLInAs/yMLGaSb;在生长了N型下电极层上继续生长N型梯度掺杂超晶格层xMLInAs/yML...
邢伟荣刘铭尚林涛周朋巩锋周立庆
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Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法
本发明公开了一种Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。该方法包括:进行外延级Si衬底清洗,去掉Si衬底的自然氧化层,形成人为氧化层;对Si衬底进行氧化层去除,并进行As钝化;采用迁移增强MME的方式生长ZnTe缓...
王经纬巩锋王丛刘铭强宇
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高纯镉一次性成型装置
本实用新型公开了一种高纯镉一次性成型装置,该装置包括:化料槽、设置在所述化料槽中的成型筛以及与所述化料槽相配合的压块;所述成型筛与所述化料槽的形状相配合,所述成型筛上均布有多个镉锭孔,所述镉锭孔的体积根据需要的小镉锭的质...
孙书奎周立庆巩锋李轩马东雨
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共3页<123>
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