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宫在君

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：辽宁大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇四象限模拟乘...
  • 1篇终端结构
  • 1篇阈值电压
  • 1篇模拟乘法器
  • 1篇NMOS
  • 1篇VDMOSF...
  • 1篇差分对
  • 1篇乘法器

机构

  • 2篇辽宁大学
  • 1篇中国刑警学院

作者

  • 2篇宫在君
  • 1篇马芳
  • 1篇石广源
  • 1篇王中文

传媒

  • 1篇辽宁大学学报...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于SILVACO模拟的100V VDMOSFET研究和设计
VDMOSE是垂直双扩散-氧化物半导体场效应管,VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,无论是开关应用还是线性应用,VDMOS都是非常理想的器件。VDMOSFET已经是具有代表性的第三代电力电子器件的产品,它的特...
宫在君
关键词：VDMOSFET阈值电压导通电阻终端结构
文献传递
一种基于NMOS差分对四象限模拟乘法器
2010年
设计了一种主要基于NMOS差分对四象限模拟乘法器.该乘法器采取以电压的形式输出而不适用电阻.利用基于smic0p18um EEROM 2P4M SPICE模型进行仿真,采用单电源3.3V供电.使用Spectre进行仿真并给出了仿真结果.
王中文宫在君马芳石广源
关键词：模拟乘法器NMOS差分对
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共1页<1>
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