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孙永伟: 作品数：18 被引量：42H指数：4; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

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GaN基蓝光激光器光场特性模拟: 2004年; 采用有限差分法对 Ga N基多量子阱 (MQWs)脊形激光器进行二维光场模拟 .In Ga N和 Al Ga N材料的折射率分别由修正的 Brunner以及 Bergm ann方法得到 .分析了激光器单模特性和远场发散角同器件的脊形刻蚀深度和脊形条宽的关系 .研究了在脊形上用 Si/ Si O2 膜取代传统 Si O2 介质膜这种新的脊形设计对激光器结构参数的影响 .模拟结果发现 ,脊形条宽越窄 ,脊形刻蚀深度越深 ,平行结平面方向的发散角越大 ,但由此会引起单模特性不稳定 ,两者之间有一个折衷值 .通过引入新的脊形设计 ,可以降低对器件刻蚀深度精度的要求。; 叶晓军朱晓鹏徐云孙永伟侯识华种明陈良惠; 关键词：刻蚀深度发散角

高能电子衍射图像处理系统及方法: 本发明一种高能电子衍射图像处理系统，其特征在于，包括：一高能电子衍射荧光屏；一CCD摄像头，该CCD摄像头置于高能电子衍射荧光屏的后面，该CCD摄像头用不锈钢圆筒固定；一图像采集卡，该图像采集卡用视频线与CCD摄像头连接...; 孙永伟侯识华宋国峰杨晓杰叶晓军; 文献传递

键合界面阻抗对VCSEL的电、热学特性的影响被引量：1: 2005年; 采用一电阻层来表征键合界面处的阻抗通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了VCSEL的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布详细分析了键合界面阻抗对晶片键合结构垂直腔面发射激光器内部的电势分布、温度分布以及有源层中的注入电流密度、载流子浓度。; 侯识华赵鼎叶晓军孙永伟谭满清陈良惠; 关键词：垂直腔面发射激光器晶片键合电学特性热学特性有限差分法

利用温度变化监测液氮流速的方法: 一种利用温度变化监测液氮流速的方法，包括如下步骤：a)在液氮设备的输出处放置一个温度传感器，温度传感器的输出端与仪表相连，而仪表与计算机的RS232接口相连；b)利用计算机时刻监测温度传感器处的温度的变化状况；c)在紧靠...; 孙永伟; 文献传递

厚度偏差对VCSEL的反射谱和反射相移的影响被引量：1: 2004年; 采用光学传输矩阵方法分析了厚度偏差对VCSEL的反射谱和反射相移产生的影响。结果表明,反射镜和VCSEL中各层厚度的偏大,将使反射镜的中心波长以及VCSEL的模式波长向长波方向移动,而反射镜和VCSEL中各层厚度的偏小,将使反射镜的中心波长以及VCSEL的模式波长向短波方向移动。将键合界面离有源区稍微远一些,有利于减小其厚度偏差对VCSEL的模式波长的影响。; 侯识华赵鼎孙永伟杨国华谭满清陈良惠; 关键词：厚度偏差垂直腔面发射激光器晶片键合反射谱反射相移

利用密封石英玻璃管实现不同材料晶片键合的方法: 一种利用改造的液相外延炉实现不同材料晶片键合的方法，包括如下步骤：a)晶片的清洗与表面处理；b)键合所用的夹具的实现；c)在夹具底部使用压电陶瓷片实现键合压力的测量；d)将所需晶片固定在键合夹具中，然后放在高纯石英玻璃管...; 杨国华孙永伟何国荣肖雪芳; 文献传递

半导体激光器相对强度噪声的实验研究被引量：3: 2005年; 建立了一套半导体激光器噪声测量系统用于生产测量和科学研究,其特点是简易,且兼容性大。用该系统对相关的半导体激光器(不同腔长,镀膜与不镀膜等)进行了测量研究,着重研究了镀膜与不镀膜的条件对激光器噪声特性的影响,发现镀膜后管芯一致性提高、受反馈影响增大。为实际生产提供了改进建议,即需要针对实际应用来精心选择端面镀膜的反射率,前端面镀膜反射率不能太低。; 朱晓鹏甘巧强任刚宋国锋叶晓军孙永伟曹青陈良惠; 关键词：半导体激光器相对强度噪声腔长镀膜

极小孔半导体激光器近场区光场分布研究被引量：5: 2003年; 利用时域有限差分法 (FDTD)计算和分析了极小孔半导体激光器输出光端面附近的光场分布 ,指出小孔激光器近场区域光场分布的特点 ,讨论了小孔大小和金属厚度对光场分布和光源分辨率的影响。; 康香宁宋国峰孙永伟陈良惠; 关键词：时域有限差分法近场光学

微小孔径激光器的研制与近场测试: 2003年; 介绍了一种用于高密度近场存储领域的新型微小孔径激光器(VSAL)。为了解决由腔面金属膜造成的激光器PN结短路的问题,在激光器中引入了窗口隔离区,不仅降低了器件制备的难度,而且也提高了器件的性能和成品率。采用聚焦离子束刻蚀技术成功地制备了输出功率为0 3mW的激光器,利用矩阵方法通过远场测量值估算了激光器的近场分布。; 康香宁宋国峰孙永伟叶晓军陈良惠; 关键词：近场光存储聚焦离子束近场分布近场测试

High-Power and High-Efficiency 650nm-Band AlGaInP Visible Laser Diodes Fabricated by Ion Beam Etching: 2004年; High power and high-slope efficiency 650nm band real-refractive-index ridge w aveguide AlGaInP laser diodes with compressive strained MQW active layer are for med by pure Ar ion beam etching process.Symmetric laser mesas with high perpendi cularity,which are impossible to obtain by traditional wet etching method due to the use of a 15°-misoriented substrate,are obtained by this dry etching metho d.Laser diodes with 4μm wide,600μm long and 10%/90% coat are fabricated.Th e typical threshold current of these devices is 46mA at room temperature,and a s table fundamental-mode operation over 40mW is obtained.Very high slope efficien cy of 1.4W/A at 10mW and 1.1W/A at 40mW are realized.; 徐云曹青孙永伟孙永伟叶晓军侯识华郭良