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孙晓燕: 作品数：41 被引量：68H指数：4; 供职机构：西北工业大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划西北工业大学基础研究基金更多>>; 相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

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Zn基ZnO纳米棒阵列的制备和发光特性被引量：2: 2012年; N2H4.H2O水热体系中,在Zn基底上制备出了ZnO纳米棒薄膜。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)及发致发光谱(PL)等分析测试手段,研究了ZnO薄膜的形貌结构和发光特性。结果表明,预处理工艺不同,Zn基底表面状态不同,ZnO薄膜形貌也不同。在经预氧化形核的Zn基底上易于制备ZnO纳米棒薄膜。在单一取向的Zn基面上,易于制备ZnO纳米棒阵列。PL测试分析表明,ZnO纳米棒有强的近带边紫外光发射峰和弱的缺陷发射峰。阵列棒本征发射峰强度最高、缺陷峰最弱,反映了该ZnO纳米棒结晶质量高。; 王金芳孙晓燕刘长友介万奇; 关键词：预处理 ZNO纳米棒发光特性

大型室状煤气加热炉自动控温系统: 1994年; 叙述了航空大锻件室状煤气加热炉的控温系统的构成和控温模式。该系统选用STD总线工业控制机为主机，采用串级并联限幅控制模式，通过对炉内温度的采集以及各区区煤气、空气流量和空／燃比的自动调整，对炉膛面积为9．8m2的煤气加热炉3个温区的温度实现了自动控制，控温精度≤±7℃，炉温均匀性≤±10℃。为提高航空大锻件的锻造质量奠定了基础。; 张建国孙晓燕何贵玉席守谋; 关键词：温度控制煤气加热炉锻造

气相生长ZnSe:Cr2+晶体及其性能研究: 族金属(TM,Transition Metal)掺杂的II-VI 化合物半导体在2～3μm 波段展现出较佳的中红外发光性能,Cr2+离子掺杂的硒化锌(ZnSe:Cr2+)就是其中引人瞩目的材料,在气体检测、大气遥感、激光...; 刘长友介万奇王涛查钢强谷智孙晓燕

电极材料对碘化汞(α-HgI_2)晶体I-V特性的影响: 2008年; 利用Aligent4155型CVIV测试仪分别对Au/HgI2、AuCl3(Au)/HgI2、C(石墨)/HgI2接触的I-V特性进行了测定,对比研究了不同电极材料与α-HgI2晶体所形成的接触特性,并利用热电子发射理论对实验结果进行了分析。结果表明,AuCl3和C均能与HgI2形成良好的欧姆接触,其欧姆特性系数分别为1.0291和0.9380,接触电阻分别为3.0×108Ω和1.0×108Ω;而溅射Au与HgI2接触的欧姆特性较差,欧姆系数约为0.8341,接触电阻为3.5×109Ω。这说明AuCl3在HgI2表面形成了重掺杂,产生显著的隧道电流,从而形成了较理想的欧姆接触。C(石墨)化学性能稳定,电极制备工艺没有影响晶体表面质量,因此C(石墨)/HgI2接触电阻最小,并具有良好的欧姆特性。而溅射Au过程中由于温度升高引起晶体表面HgI2分子的挥发,造成晶体表面质量下降,导致Au/HgI2接触的欧姆特性变差。; 许岗介万奇王领航孙晓燕; 关键词：金石墨电极 I-V特性接触电阻

碲溶剂法生长的Zn_(1-x)Cr_xTe稀磁半导体晶锭中富碲相的研究被引量：2: 2011年; 利用碲溶剂法生长Zn1-xCrxTe晶体晶锭,用红外透过显微镜及扫描电子显微镜观察了晶锭不同位置富碲相的分布与形态。结果表明:晶锭的外围存在一层富碲相,Zn1-xCrxTe晶体的中部碲夹杂相较少,碲在晶界处易富集;红外透过显微成像所显示的晶粒内部的较大碲夹杂相呈六边形,而晶界处的碲夹杂相形状不规则。; 杨睿孙晓燕刘长友徐亚东查钢强王涛介万奇

高电阻率碲锌镉晶体的制备方法: 本发明公开了一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特点是包括以下步骤：按照化学计量配比将满足Cd<Sub>0.9</Sub>Zn<Sub>0.1</Sub>Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为...; 介万奇王涛徐亚东刘伟华华慧孙晓燕; 文献传递

4Cr13不锈钢非平衡组织激光加热时的组织遗传特征被引量：4: 2005年; 对4Cr13不锈钢淬火及淬火+低温回火等非平衡组织经激光加热时奥氏体形成特点及加热后的表面层硬度的分布进行了研究分析。结果表明, 4Cr13不锈钢非平衡组织激光加热时存在明显的组织遗传特征和相变硬化再结晶现象。当激光加热时,细小的奥氏体晶粒沿原奥氏体晶界优先析出,产生“晶粒边界效应”;原奥氏体晶内除形成少量细小奥氏体晶粒外,基本恢复原来的大小,产生“组织遗传”;在0 1mm^0 3mm加热表层内存在较小的奥氏体晶粒,产生“相变硬化再结晶”。非平衡组织激光加热后的表层硬度分布为5个区域,硬度曲线呈马鞍形。; 席守谋张建国孙晓燕路纲张津生; 关键词：激光加热非平衡组织

ZnSe亚微米管的制备及形成机制被引量：1: 2014年; 采用牺牲Zn基片上ZnO纳米柱模板技术,以三乙醇胺（TEA）为溶剂,以HSe-离子为硒源,在150℃恒温8h制备了ZnSe亚微米管。采用FESEM、EDS、XRD、TEM及SAED手段对样品的形貌、结构及成分进行了表征。结果表明,多晶管状ZnSe的直径为150nm左右,且具有封口、规则开口、不规则开口以及呈半管状,管壁由直径约30～40nm左右的颗粒组成。据此形貌特征,依负离子多面体生长基元模型,分析了ZnSe亚微米管的形成机制。; 刘长友王金芳孙晓燕介万奇; 关键词：硒化锌氧化锌

不同温度下碲铟汞晶体结构的XRD研究: 2011年; 通过X射线粉末衍射方法对大气环境下25-100℃条件下的碲铟汞晶体结构进行了研究。借助Rietveld方法,利用GSAS软件对碲铟汞晶体结构进行精修,并计算了其Hg空位浓度。结果表明,室温下碲铟汞晶体中由于Hg元素较易挥发而引入的Hg空位约占1.88%,晶格常数约为0.63163 nm;随着温度的升高,Hg的占位率逐渐降低,Hg空位的浓度有所提高;MIT的晶格常数呈现出先减小后增大的趋势。; 孙叶孙晓燕介万奇王涛罗林傅莉; 关键词：空位晶格常数 RIETVELD方法