孙宇澄
- 作品数：14 被引量：28H指数：3
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：浙江省重大科技专项基金浙江省重点科技创新团队项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信化学工程机械工程更多>>
- 高性能GMR传感器研制、应用及产业化
- 本文从器件研制、测试和性能等方面报道了团队在GMR单极传感器和双极传感器产学研一体化方面的工作,并总结了所研制的集成GMR传感器在智能交通和工业控制等领域的应用研究工作.在此基础上,展望了GMR传感器的产业化前景及应用发...
- 钱正洪白茹孙宇澄龚天平詹宏良杨昌茂黄春奎李建平朱华辰
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- 两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法
- 一种两步法退火制备钽钪酸铅基铁电薄膜的方法，工艺步骤包括制备过渡层、制备钽钪酸铅基铁电薄膜、钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理；钽钪酸铅基铁电薄膜的退火处理是将钽钪酸铅基铁电薄膜放入退火炉内，在氧气流中以40℃/秒的升温速率升...
- 朱建国孙宇澄肖定全李雪东朱基亮
- 文献传递
- 热处理工艺对PSTT铁电薄膜性能的影响
- 本文以La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)做缓冲层，用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出具有钙钛矿结构的0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3(PSTT10)铁电薄膜。PSTT...
- 李雪冬孙宇澄朱基亮肖定全朱建国
- 关键词：铁电薄膜磁控溅射
- 文献传递
- 具有SAF结构的IrMn基自旋阀材料的磁场退火研究被引量：1
- 2014年
- 用磁控溅射法制备了被钉扎层为反铁磁(SAF)结构(CoFe/Ru/CoFe)的IrMn基顶钉扎自旋阀材料,分别采用HRTEM、AFM、XPS对材料的结构和成分进行表征。首先,制备的自旋阀材料分别在200℃、245℃、255℃、265℃的真空条件(<10-5 Pa)下退火4 h,发现经265℃退火,自旋阀材料会发生明显的层间扩散,从而引起磁电阻率的降低。在选择合适退火温度(245℃)的基础上,研究了退火磁场对自旋阀材料磁电阻率的影响。在245℃的真空环境下,沿着材料的钉扎方向分别施加大小为80、160、240、400、560 kA/m的磁场退火4 h。实验发现经过80和160 kA/m的磁场退火后,材料的磁电阻率由退火前的8.80%分别下降到5.87%和6.31%;经240 kA/m的磁场退火后材料的磁电阻率变为7.91%;经400 kA/m的磁场退火后磁电阻率增大到9.89%;经560 kA/m的磁场退火后磁电阻率进一步增大到10.79%,比退火前增加了22.6%。
- 李健平钱正洪孙宇澄白茹刘建林朱建国
- 关键词：自旋阀磁场退火
- 偏置磁场对自旋阀传感器性能的影响研究
- 2017年
- 通过测试自旋阀传感器在沿垂直于敏感轴方向施加偏置磁场条件下的磁场响应曲线,研究了偏置磁场对自旋阀传感器磁滞、非线性度和灵敏度等性能参数的影响。实验结果表明:随着偏置磁场的增加,自旋阀传感器的磁滞、非线性度和灵敏度均减小,并且灵敏度与偏置磁场大小成反比关系。研究结果可为自旋阀传感器的应用提供理论支撑。
- 李健平孙宇澄童杰王辉黄巍何宁发
- 关键词：灵敏度
- 用退火法重置自旋阀材料钉扎方向的研究
- 2013年
- 用磁控溅射法制备了被钉扎层为CoFe/Ru/CoFe的IrMn基底钉扎自旋阀材料,制备过程中自由层与被钉扎层的生长磁保持不变,制备的自旋阀材料的巨磁电阻率为9.30%。在245℃的真空(<10-5Pa)环境下,对在相同条件下制备的自旋阀材料样品在恒定外加磁场下退火2 h,退火磁场方向与自由层易磁化轴垂直,退火磁场大小分别为1 kOe,3 kOe,5 kOe,7 kOe。用四探针法测试了退火后材料的磁电阻曲线。实验发现,当退火磁场为5 kOe时,自旋阀材料的钉扎方向完全转到与自由层易磁化轴垂直的方向,并且保持了退火前的的巨磁电阻率。当退火磁场增大为7 kOe时,退火后自旋阀材料的巨磁电阻率增大到10.19%。
- 李健平钱正洪白茹孙宇澄
- 关键词：自旋阀退火
- CrPtMn顶钉扎自旋阀材料的交换耦合作用研究被引量：1
- 2013年
- 反铁磁钉扎层和铁磁被钉扎层之间的交换耦合作用是高性能自旋阀材料研究中的一个关键因素。本工作研究了CrPtMn顶钉扎自旋阀材料中的交换耦合场(Hex)与薄膜沉积条件以及退火处理之间的关系。研究表明:沉积后的自旋阀材料中的Hex大小与CrPtMn钉扎层的溅射工作气压关系不大,Hex约为7.96×103A/m。然而,经过240℃退火2 h处理后,Hex呈现出与CrPtMn沉积时的溅射工作气压相关的特性,随着溅射工作气压的增加而增大。材料退火后的交换耦合场Hex的温度特性良好,室温下约为2.39×104A/m。Hex随着测试温度的升高而逐渐减小,交换耦合场消失时的失效温度(blocking temperature)为315℃。
- 白茹钱正洪李健平孙宇澄朱华辰李领伟李源霍德璇彭英姿
- 关键词：交换耦合作用自旋阀
- 基于GMR传感器三磁道磁卡读卡器设计被引量：1
- 2015年
- 针对金融、商业、邮电等消费领域对磁卡读卡器的要求,为实现低误码率,解决用户刷卡速度不一的问题,基于巨磁电阻(GMR)传感器,提出了一种新型三磁道磁卡读卡器的设计方案。该方案以解码芯片M3—2300—LOL为平台,设计了滤波电路和解码电路,实现了对三磁道磁卡的信息采集、分析和读取。经实验测试表明:巨磁电阻磁头可替代传统薄膜感应(TFI)磁头,该磁卡阅读系统运行稳定,效果良好。
- 刘雯钱正洪白茹孙宇澄李健平
- 关键词：巨磁电阻传感器解码电路
- 两步法快速退火对PSTT5铁电薄膜性能的影响被引量：2
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在LSCO/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了0.95Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.05PbTiO3(PSTT5)铁电薄膜。研究了不同的快速退火(RTA)工艺对PSTT5薄膜的结晶性能和铁电性能的影响。实验结果表明,经两步法快速退火,PSTT5薄膜具有完全钙钛矿结构且呈(220)取向。PSTT5薄膜的铁电性能测试结果也表明,采用两步法RTA处理的PSTT5薄膜具有更好的铁电性能,其剩余极化强度(2Pr)可达25.4μC/cm2。
- 孙宇澄李雪冬周圆苑朱基亮肖定全朱建国
- 关键词：射频磁控溅射
- 掺铟钪酸铋-钛酸铅压电陶瓷的制备及电学性能被引量：3
- 2009年
- 采用固相反应法,制备了0.10BiInO3-(0.90-x)BiScO3-xPbTiO3(BISPTx,0.55≤x≤0.70)压电陶瓷,并对陶瓷样品的相结构,表面形貌和电性能进行了研究。结果表明,BiInO3和BiScO3-PbTiO3能够形成很好的固溶体,在1070℃烧结2h即可形成稳定钙钛矿结构的BISPTx陶瓷。当x=0.60时,BISPTx陶瓷具有优良的电学性能:d33=330pC/N,kp=0.423,tC=420℃。BiInO3的掺入可有效提高BISPTx陶瓷的tC,并提高其电阻率,降低漏导电流,使其在较高温度(300℃)下仍保持较低的tanδ(<0.05)。
- 孙宇澄石维覃宝全魏建帅朱建国
- 关键词：无机非金属材料高居里温度
