唐世洪
- 作品数：31 被引量：75H指数：5
- 供职机构：吉首大学物理与机电工程学院更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金湖南省大学生研究性学习与创新性实验计划项目湖南省科技厅资助项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学轻工技术与工程更多>>
- 磁控溅射技术制备Al_2O_3掺杂ZnO透明导电膜的性能
- 2011年
- 以纯度为99.9%的98%(质量分数)ZnO、2%(质量分数)Al_2O_3陶瓷靶为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Al_2O_3掺杂的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光谱仪等方法测试和分析了不同衬底温度、溅射偏压以及退火工艺对ZAO薄膜形貌结构、光电学性能的影响。结果表明,在衬底温度200℃、溅射时间30min、负偏压60V、退火温度300℃时制得的薄膜的可见光透过率为81%,最低电阻率为9.2×10^(-1)Ω·cm。
- 田力唐世洪
- 关键词：ZNO磁控溅射法衬底温度退火工艺
- 求传感器最佳拟合直线的新方法被引量：5
- 1994年
- 提出了一个能够求得最佳拟合直线和最小独立非线性误差的新方法。这个新方法是一种把最小二乘直线进行“逐步逼近转动操作”的方法。这样,使人们长期希望在实际上求得最小独立非线性误差的愿望得以实现。这个新方法对于所有线性传感器和传动装置都是普遍适用的。
- 温明生唐世洪
- 关键词：最佳拟合直线传感器
- 半导体加速度传感器
- 半导体加速度传感器由传感器管座、上盖螺帽、垫圈、屏蔽线及压力敏感元件组成，敏感元件又由上压片、上密封片、保护框、敏感元件管座、硅芯片、质量块、背贴衬片及下密封片构成。硅芯片由于开设增敏槽而形成簧片式硅弹性膜结构，其上加工...
- 温明生唐世洪杨复兴刘庆海田景群张国华
- 文献传递
- 基于正交实验法的WO_3电致变色薄膜Li掺杂分析被引量：1
- 2009年
- 单一纯净的WO3电致变色薄膜的性能已经不能满足实际应用的需要,通过掺杂对薄膜性能进行提升已经成为WO3电致变色薄膜研究领域的一个重要环节.笔者采用乙酸锂作为Li源进行Li掺杂,分析表明:Li掺杂后的WO3薄膜性能得到了很大的提升,并对正交实验法的Li掺杂量进行了讨论.
- 麻顺华田力唐世洪
- 关键词：正交实验法WO3薄膜电致变色
- 振动综合演示仪的设计与制作被引量：2
- 2001年
- 我们设计制作了一种振动综合演示仪 ,不仅可以用它演示简谐振动、拍现象 ,还可以用来演示李萨如图形 ,并介绍了此仪器的结构和原理。
- 唐世洪张克梅
- 关键词：振动演示仪
- 提高直流复射式检流计内阻测量精度的措施
- 2003年
- 本文介绍了在电磁学实验中 ,就如何提高直流复射式检流计内阻测量精度所采用方法 。
- 唐世洪刘生长曾庆立张永华
- 关键词：内阻电磁学实验
- 准三能级的阀值功率计算及倍频理论
- 2003年
- 由准三能级系统的速率方程,计算当激光谐振腔处于稳态时的反转粒子密度数,从而建立腔内基模振荡所满足的稳态方程.在阀值附近,计算出泵浦速率Rth,即可解出相应的阀值功率Pth,最后通过对三波耦和方程的倍频分析计算倍频效率.
- 谭子尤唐世洪刘景春
- 关键词：准三能级系统速率方程倍频效率激光谐振腔
- 新颖型非整体膜结构硅加速度计的研制
- 2002年
- 简要介绍了利用硅的各向异性腐蚀工艺研制的非整体膜结构的敏感硅芯片 ,较详细地报告了用此硅芯片封装成的加速度敏感元件 。
- 唐世洪邓永和张克梅
- 关键词：各向异性腐蚀硅加速度计
- α—Fe_2O_3气敏材料电阻随加热电流变化规律的探讨
- 1996年
- 本文用n－1结点法对α－Fe2O3系列气敏材料电阻值随加热电流变化规律做了拟合，并将结果与用最小二乘法以及文献[1]所得的结果作了分析对比，发现用R＝AIFe－Blm公式描述此规律与实验结果更为吻合。文中所述的n－1结点法对其它已知曲线形式的实验数据的处理具有普适性。
- 唐世洪
- 关键词：气敏材料电阻电流氧化铁
- 双E型硅压力传感器的研制
- 本文介绍了用双E型硅弹性膜芯片研制成功的压力敏感元件和传感器,利用这种硅芯片已制得灵敏度和量程范围各不相同的性能优良的压力传感器。
- 唐世洪
- 关键词：光刻压力传感器
- 文献传递
