周志强
- 作品数：17 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
- 一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势...
- 牛智川倪海桥韩勤张石勇吴东海赵欢杨晓红彭红玲周志强熊永华吴荣汉
- 文献传递
- InAs／GaSbⅡ型超晶格的拉曼和光致发光光谱被引量：4
- 2009年
- 采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长晶体结构完整和表面平整的Ⅱ型超晶格InAs(1.2nm)/GaSb(2.4nm)。拉曼光谱表明:随着温度从70K升高至室温,由于热膨胀作用和光声子散射过程中的衰减,超晶格纵光学声子拉曼频移向低波数方向移动5cm-1,频移温度系数约为0.023cm-1/K。光致发光(PL)峰在2.4～2.8μm,由带间辐射复合和束缚激子复合构成,2.55μmPL峰随温度变化(15～150K)发生微小红移,超晶格中InAs电子带与GaSb空穴带带间距随温度变化比体材料的禁带宽度小。PL发光强度在15～50K随温度升高而升高,在60～150K则相反,并在不同温度段表现出不同的温度依赖关系。
- 郭杰孙维国彭震宇周志强徐应强牛智川
- 关键词：超晶格INAS/GASB拉曼光谱光致发光
- 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
- 一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势...
- 牛智川倪海桥韩勤张石勇吴东海赵欢杨晓红彭红玲周志强熊永华吴荣汉
- 文献传递
- GaAs基短周期InAs／GaSb超晶格红外探测器研究被引量：6
- 2009年
- 采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb(2ML/8ML)和InAs/GaSb(8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2和57.3.室温红外透射光谱表明两种超晶格结构在短波2.1μm和中波5μm处有明显吸收.通过腐蚀、光刻和欧姆接触,制备了短波和中波的单元光导探测器.在室温和低温下进行光谱响应测试和黑体测试,77K下,50%截止波长分别为2.1μm和5.0μm,黑体探测率Db*b均超过2×108cmHz1/2/W.室温下短波探测器Db*b超过108cmHz1/2/W.
- 郭杰彭震宇鲁正雄孙维国郝瑞亭周志强许应强牛智川
- 关键词：超晶格分子束外延光谱响应
- 生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响被引量：1
- 2008年
- 采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb（100）衬底上外延生长InAs（4ML）／GaSb（8ML）超晶格（SLs）。研究了生长温度（400～440℃）对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明，420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小，其荧光光谱（PL）峰值波长在约2．54μm处，响应光谱50％截止波长在约2．4μm处。通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面，并发现生长温度强烈影响混合界面InAs／GaSb超晶格结构和表面形貌，而对InSb界面超晶格的影响较小。
- 郭杰孙维国陈慧娟彭震宇鲁正雄郝瑞亭周志强许应强牛智川
- 关键词：INAS/GASBXRD生长温度
- GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长被引量：5
- 2007年
- 采用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0~2.6μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.
- 郝瑞亭徐应强周志强任正伟牛智川
- 关键词：GAASGASBINAS/GASB超晶格
- 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
- 本发明公开了一种在砷化镓衬底上外延生长GaSb的方法，该方法采用三缓冲层生长工艺，具体包括：A)580℃条件下在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；B)550℃条件下在生长的GaAs缓冲层上生长AlSb缓冲层；C)450℃...
- 郝瑞亭周志强任正伟徐应强牛智川
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- 2～3μm GaAs基InAs/GaSb超晶格材料
- 采用分子束外延方法在 GaAs(100)衬底上生长 GaSb 体材料,以此 GaSb 为缓冲层生长了不同 InAs 厚度的 InAs/GaSb 超晶格,其10 K 光荧光谱峰值波长在2～2.6 μm。高分辨透射电子显微镜...
- 郝瑞亭徐应强周志强任正伟牛智川
- 关键词：GASBGAAS分子束外延
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- GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法
- 本发明公开了一种GaAs基InAs/GaSb超晶格3至5微米波段红外光电探测器及其制作方法。该红外光电探测器由自下而上的GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlSb成核层、GaSb下缓冲层、AlSb/GaSb超晶格层、GaSb...
- 周志强郝瑞亭汤宝任正伟徐应强牛智川
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- GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法
- 本发明公开了一种GaAs基InAs/GaSb超晶格1至3微米波段红外光电探测器，该红外光电探测器由自下而上的GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlSb成核层、GaSb下缓冲层、AlSb/GaSb超晶格层、GaSb上缓冲层、I...
- 汤宝周志强郝瑞亭任正伟徐应强牛智川
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