吴桐庆
- 作品数：7 被引量：8H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- FFT处理器的ASIC设计与研究
- 快速傅里叶变换(FFT)以其在信号处理中的地位而成为许多系统设计的一个常用模块，其中，基-4算法与其它基相比在运算次数和设计控制实现的复杂度两方面有最高的性价比。利用流水线结构的CORDIC算法来实现FFT的复乘运算具有...
- 吴桐庆
- 关键词：后端设计缩放因子时钟频率根据地
- 文献传递
- 一种改进的模拟占空比矫正电路被引量：1
- 2007年
- 基于PWLL结构的占空比矫正电路虽然克服了传统占空比矫正电路输出时钟上升沿在占空比矫正过程中发生变化的缺点，但其核心电路——频率电压变换电路不能工作在100MHz以上的频率范围，并且随着工作频率的升高，调整范围会变小。采用pullpush电荷泵代替频率电压变换电路，设计了一个工作在200MHz的占空比矫正电路，HSPICE仿真结果表明其调整范围为30％-70％，占空比变化在1个ps以下，达到了设计要求。
- 张炜华姚若河吴桐庆
- 关键词：占空比DCCFVC
- 采用CORDIC流水线结构的FFT处理器的改进被引量：7
- 2007年
- CORDIC流水线结构因其高吞吐率及规整性,而很适合于FFT蝶形运算,但其缺点是耗资源多,本文从FFT中旋转因子固定不任意的特点出发,根据CORDIC基本旋转角度与缩放因子的对应关系和缩放因子之间的转换规律,对CORDIC流水线结构进行了改进,在蝶形运算速度不变的情况下,进一步减少所耗资源,在字长为16位的FFT中,每个旋转因子可用25位的控制序列来替代,从而使每个旋转因子的存储空间由32位减少到25位。
- 吴桐庆姚若河
- 关键词：FFT现场可编程门阵列
- 氢钝化对GaAs/SiO_2纳米颗粒镶嵌薄膜光学性质的影响
- 2005年
- 利用射频共溅射方法,在溅射气氛含氢与不含氢条件下,在石英玻璃和抛光硅片衬底上沉积GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜.实验结果表明,在气氛含氢条件下制备的薄膜的室温吸收光谱存在着较明显的激子肩,其荧光发射谱也有明显的增强.这些现象可归因于氢对GaAs纳米颗粒膜的钝化作用.
- 丁瑞钦朱慧群吴桐庆王忆赵丽特
- 关键词：吸收光谱荧光光谱
- 掺氢GaAs薄膜的表面形貌及光学性质研究
- 2005年
- 采用射频磁控溅射和沉积气氛掺氢工艺制备了GaAs薄膜,研究掺氢对薄膜的表面形貌及光学性质的影响.X射线衍射结果显示,以衬底温度为500℃制备出的GaAs薄膜呈面心立方闪锌矿结构.原子力显微镜分析表明气氛掺氢会影响到GaAs薄膜的形貌和颗粒的大小.在500℃衬底温度下溅射气氛掺氢制备出的GaAs薄膜的吸收光谱出现了明显的激子峰,表明氢钝化对薄膜的光学性质的改善起重要的辅助作用.
- 朱慧群丁瑞钦吴桐庆蔡继业胡怡杨恢东丁才蓉汪河洲
- 关键词：射频磁控溅射吸收光谱
- 衬底离子束表面氮化对ZnO薄膜性质的影响
- 2006年
- 采用射频磁控溅射法在抛光硅片上沉积了一系列ZnO薄膜样品。通过对薄膜样品X射线衍射谱的分析、原子力显微图的观察、吸收光谱和荧光光谱的研究,发现Si衬底的离子束表面氮化对ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质有重要影响。在衬底温度为200℃、高纯氩氧比例为3∶1、压强为1.5Pa的条件下,在经离子束表面氮化预处理的Si衬底上溅射沉积的ZnO薄膜,经450℃真空退火,成为高(0002)晶面取向的ZnO薄膜,并具有良好的光学性质。
- 朱慧群丁瑞钦姚若河吴桐庆
- 关键词：射频磁控溅射ZNO薄膜
- 分层沉积GaAs/SiO_2纳米薄膜的结构和吸收光谱
- 2006年
- 应用射频磁控溅射方法分别在抛光硅片和石英玻璃片上分层沉积了GaAs/S iO2纳米薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)及吸收光谱的测试,发现衬底温度、退火、氢掺杂等制备工艺对分层沉积的GaAs/S iO2纳米薄膜的微观结构和光学性质有明显的影响。本文对相关机理作了探讨。
- 朱慧群丁瑞钦王忆吴桐庆
- 关键词：射频磁控溅射吸收光谱
