您的位置： 专家智库 > >

史梦然

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇金属薄膜
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇共晶
  • 2篇半导体
  • 2篇层状结构
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底材料

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇曹雪峰
  • 2篇孙浩
  • 2篇赵建忠
  • 2篇史梦然

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
一种化合物半导体的金属化结构
本发明公开了一种化合物半导体的金属化结构，包括：化合物半导体衬底，以及自衬底向上依次制备的第一层金属薄膜、第二层金属薄膜、第三层金属薄膜和电极层金属薄膜，形成金属化层状结构；其中，各层金属薄膜的厚度均小于1μm，且各层金...
史梦然赵建忠曹雪峰孙浩
文献传递
一种化合物半导体的金属化结构
本实用新型公开了一种化合物半导体的金属化结构，包括：化合物半导体衬底，以及衬底向上依次制备的第一层金属薄膜、第二层金属薄膜、第三层金属薄膜和电极层金属薄膜，形成金属化层状结构；其中，各层金属薄膜的厚度均小于1μm，且各层...
史梦然赵建忠曹雪峰孙浩
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0