- 基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理被引量：11
- 2013年
- 建立了双极晶体管(BJT)在强电磁脉冲作用下的二维电热模型,对处于有源放大区的BJT在基极注入强电磁脉冲时的瞬态响应进行了仿真.结果表明,BJT烧毁点位置随注入脉冲幅度变化而变化,低脉冲幅度下晶体管烧毁是由发射结反向雪崩击穿所致,烧毁点位于发射结柱面区;而在高脉冲幅度下,由基区-外延层-衬底组成的p-n-n+二极管发生二次击穿导致靠近发射极一侧的基极边缘率先烧毁;BJT的烧毁时间随脉冲幅度升高而减小,而损伤能量则随之呈现减小-增大-减小的变化趋势,因而存在一个极小值和一个极大值.仿真与实验结果的比较表明,本文建立的晶体管模型不但能预测强电磁脉冲作用下BJT内部烧毁发生的位置,而且能够得到损伤能量.
- 任兴荣柴常春马振洋杨银堂乔丽萍史春蕾
- 关键词：双极晶体管
- 电子系统电磁兼容中耦合路径的研究
- 随着电子技术的飞速发展，电子系统面临的电磁环境愈加复杂，“如何使系统既能抵御外部电磁干扰（Electromagnetic Interference，EMI）又不会对外产生EMI”是电子系统的电磁兼容（Electromag...
- 史春蕾
- 关键词：电子系统电磁兼容电路模型屏蔽效能
- 文献传递
- 一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法
- 本发明公开了一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法，其包括以下步骤：一、构建测试平台；二、构造注入信号：三、测试：(1)测量待测样品的小信号S参数|S<Sub>21</Sub>|和噪声系数NF，(2)对待测样品持...
- 柴常春于新海杨银堂史春蕾刘阳樊庆扬
- 近距离自由空间光互连光收发器的对准方法
- 本发明公开了一种近距离自由空间光互连光收发器的安装对准方法，主要解决了激光发射器与激光接收器的安装对准问题。其实现过程是：首先确定光收发器的封装参数，其次根据其参数制作对准支架，然后将激光发射器和激光接收器粘接于对准支架...
- 柴常春孙斌陈鹏远杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾杨琦
- 文献传递
- 一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法
- 本发明公开了一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法，其包括以下步骤：一、构建测试平台；二、构造注入信号：三、测试：(1)测量待测样品的小信号S参数|S<Sub>21</Sub>|和噪声系数NF，(2)对待测样品持...
- 柴常春于新海杨银堂史春蕾刘阳樊庆扬
- 文献传递
- 复合阶梯场板槽栅AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及其制作方法
- 一种复合阶梯场板槽栅AlGaN/GaN？HEMT器件结构及其制作方法，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层之上的两端分别设有源电极和...
- 柴常春陈鹏远杨琦杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾孙斌
- 文献传递
- 近距离自由空间光互连光收发器的对准方法
- 本发明公开了一种近距离自由空间光互连光收发器的安装对准方法，主要解决了激光发射器与激光接收器的安装对准问题。其实现过程是：首先确定光收发器的封装参数，其次根据其参数制作对准支架，然后将激光发射器和激光接收器粘接于对准支架...
- 柴常春孙斌陈鹏远杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾杨琦
- 文献传递
- 复合阶梯场板槽栅HEMT高压器件及其制作方法
- 一种复合阶梯栅浮空场板槽栅HEMT器件及其制作方法，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，掺杂层之上的两端分别设有源极和漏极，在栅电极和漏电级中间的Al...
- 刘阳柴常春樊庆扬史春蕾于新海杨银堂
- 文献传递
- 不同样式的高功率微波对双极晶体管的损伤效应和机理被引量：10
- 2013年
- 结合Si基n+-p-n-n+外延平面双极晶体管,通过分析器件内部的温度分布变化以及电流密度和烧毁时间随信号幅值的变化关系,研究了其在三角波信号、正弦波信号和方波脉冲信号等三种样式的高功率微波信号作用下的损伤效应和机理.研究表明,三种高功率微波信号注入下器件的损伤部位都是发射结,在频率和信号幅值相同的情况下方波脉冲信号更容易使器件损伤;位移电流密度和烧毁时间随信号幅值的增大而增大,而位移电流在总电流所占的比例随信号幅值的增大而减小;相比于因信号变化率而引起的位移电流,信号注入功率在高幅值信号注入损伤过程中占主要作用.利用数据分析软件,分别得到了三种信号作用下器件烧毁时间和信号频率的变化关系式.结果表明,器件烧毁时间随信号频率的增加而增加,烧毁时间和频率都符合t=afb的关系式.
- 马振洋柴常春任兴荣杨银堂乔丽萍史春蕾
- 关键词：双极晶体管高功率微波
- 槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及制作方法
- 一种复合栅浮空场板槽栅AlGaN/GaN？HEMT器件结构及其制作方法，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层之上的两端分别设有源电极...
- 柴常春杨琦陈鹏远杨银堂刘阳樊庆扬于新海史春蕾孙斌
- 文献传递
