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一种NROM闪存控制栅及闪存单元的制备方法: 本发明提供了一种NROM闪存存储单元，属于非挥发性半导体存储器技术领域。该存储单元是由控制栅、源漏区、隧穿氧化层、存储数据的氮化硅层以及阻止氧化层组成，在控制栅的不同区域注入不同类型杂质，靠近源端和漏端的控制栅注入N型杂...; 单晓楠黄如蔡一茂李炎周发龙; 文献传递

一种闪存存储单元结构及其制备方法: 本发明提供了一种闪存存储单元及其制备方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用两层氮化硅作为浮栅，在横向和纵向上分别存储两位数据，实现了每个闪存存储单元能存储四位数据的功能，大大地增加了...; 蔡一茂黄如单晓楠周发龙李炎王阳元; 文献传递

闪存存储单元及其制备方法: 本发明提供了一种闪存存储单元及其制备方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用两层氮化硅作为浮栅，在横向和纵向上分别存储两位数据，实现了每个闪存存储单元能存储四位数据的功能，大大地增加了...; 蔡一茂单晓楠周发龙黄如王阳元; 文献传递

闪存存储单元的浮栅及其制备方法和一种闪存存储单元: 本发明提供了一种闪存存储单元的浮栅及其制备方法和一种闪存存储单元，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用异质结浮栅结构，在横向上分别采用P+N+...; 蔡一茂单晓楠周发龙李炎黄如王阳元; 文献传递

金属栅及新型栅结构在flash memory上的应用: 随着flashmemory在便携式电子设备中的大量应用(比如移动电话、数码照相机、MP3播放器、PDA等)，对闪存低功耗和低工作电压的要求越来越高。而编程和擦除效率是决定功耗的重要因素，围绕着如何提高擦除和编程效率这个目...; 单晓楠; 关键词：闪存金属栅编程速度; 文献传递

闪存存储单元及其制备方法: 本发明提供了一种闪存存储单元及其制备方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用两层氮化硅作为浮栅，在横向和纵向上分别存储两位数据，实现了每个闪存存储单元能存储四位数据的功能，大大地增加了...; 蔡一茂单晓楠周发龙黄如王阳元; 文献传递

锗预非晶化注入对镍硅(NiSi)金属栅功函数的影响研究被引量：1: 2006年; 随着超大规模集成电路技术的发展,CMOS器件的制备过程需要同时引入金属栅和超浅结等新的先进工艺技术,因此各种新工艺的兼容性研究具有重要意义.本文研究了超浅结工艺中使用的锗预非晶化对镍硅(N iS i)金属栅功函数的影响.对具有不同剂量Ge注入的N iS i金属栅MOS电容样品的研究表明,锗预非晶化采用的Ge注入对N iS i金属栅的功函数影响很小(小于0.03eV),而且Ge注入也不会导致氧化层中固定电荷以及氧化层和硅衬底之间界面态的增加.这些结果表明,在自对准的先进CMOS工艺中,N iS i金属栅工艺和锗预非晶化超浅结工艺可以互相兼容.; 蔡一茂黄如单晓楠周发龙王阳元; 关键词：金属栅功函数超浅结

NiSi金属栅电学特性的热稳定性研究被引量：2: 2007年; 研究了NiSi金属栅的各种电学特性及其热稳定性,提出一个物理模型用于解释当形成温度大于500℃时NiSi功函数随退火温度升高而增大的现象.测量了不同退火温度形成的NiSi材料的方块电阻,当退火温度大于400℃时,方块电阻达到最小,并在400—600℃范围内稳定.比较各种温度下形成的NiSi材料X射线衍射谱的变化,说明温度在400—600℃范围内NiSi相为最主要的成分.制备了以NiSi为金属栅的金属氧化物半导体电容.通过等效氧化层电荷密度及击穿电场Ebd的分布研究,说明炉退火时间较长将导致NiSi金属栅与栅介质之间界面质量下降、击穿电场降低,这种退火方式不适合作为NiSi金属栅的形成方式.系统研究了在各种快速热退火(RTA)温度下形成的NiSi金属栅电容的电学特性,通过C-V,Ig-Vg曲线及氧化层等效电荷密度的比较,说明了当RTA温度大于500℃时栅介质质量明显退化,因此400—500℃为理想的NiSi金属栅形成温度范围.进一步提取并分析了400,450,500和600℃条件下RTA形成的NiSi金属栅功函数及等效氧化层电荷,发现在600℃条件下NiSi金属栅功函数和氧化层等效电荷都有一个显著的增大.; 单晓楠黄如李炎蔡一茂; 关键词：金属栅 NISI 快速热退火

闪存存储单元的浮栅及其制备方法和一种闪存存储单元: 本发明提供了一种闪存存储单元的浮栅及其制备方法和一种闪存存储单元，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用异质结浮栅结构，在横向上分别采用P+N+...; 蔡一茂单晓楠周发龙李炎黄如王阳元; 文献传递

一种NROM闪存单元的制备方法: 本发明提供了一种NROM闪存存储单元，属于非挥发性半导体存储器技术领域。该存储单元是由控制栅、源漏区、隧穿氧化层、存储数据的氮化硅层以及阻止氧化层组成，在控制栅的不同区域注入不同类型杂质，靠近源端和漏端的控制栅注入N型杂...; 单晓楠黄如蔡一茂李炎周发龙; 文献传递

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单晓楠