刘建玲
- 作品数：5 被引量：43H指数：3
- 供职机构：湖南大学更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术更多>>
- 制备工艺对纳米级铟锡氧化物(ITO)形貌和电性能的影响被引量：14
- 2005年
- 以SnCl4·5H2O、In和浓盐酸为原料,采用化学共沉淀法制备出了纳米级锡掺杂氧化铟(ITO)导电微粉,系统地研究了掺杂量,共沉淀温度,pH值,热处理时间、温度对粉体粒度、形貌和电性能的影响规律。研究表明,合成的ITO粉体分散性较好、导电性能优异,粒径在40nm左右具有立方铁锰矿结构。在ITO纳米导电粉的制备过程中,共沉淀温度和滴定终点pH值对其形貌和性能有很大影响,当共沉淀温度在60℃左右,pH=6时制得的粉体性能最佳。煅烧条件对粉体的形貌、粒度和导电性也有较大的影响,在700℃,4h条件下可以制得导电性能良好,结晶完好,粒度分布均匀的ITO粉体。掺入Sn(Ⅳ)的量对载流子的迁移率有很大的影响,在掺杂浓度为10%左右可制得导电性极佳的纳米ITO粉体。
- 刘建玲赖琼琳陈宗璋何莉萍杨天足江名喜
- 关键词：共沉淀电性能
- 反应条件对水热法制备纳米ATO粉体形貌和电性能的影响被引量：20
- 2005年
- 以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用水热法制备出了纳米级锑掺杂二氧化锡(ATO)导电微粉,运用XRD和TEM等测试手段对粉体进行了表征,比较系统地研究了掺杂量,共沉淀温度,溶液pH值,水热时间、温度和表面活性剂对粉体粒度、形貌和电性能的影响规律。研究表明,合成的ATO粉体分散性较好、导电性能优异,粒径在10nm左右,具有金红石型结构。在ATO纳米导电粉的制备过程中,前驱体制备温度对其性能有很大影响,当共沉淀温度在40-50℃时制得的粉体导电性能最佳。水热条件对粉体的形貌、粒度和导电性也有较大的影响,在200℃,4h,pH=2～4条件下可以制得导电性能良好的ATO粉体,所添加的表面活性剂可以改善粉体的粒径和分散性能,但对粉体的导电性影响极小。掺入Sb3+的量对载流子的迁移率有很大的影响,在掺杂浓度为4～5%左右可制得导电性极佳的纳米ATO粉体。
- 刘建玲赖琼琳陈宗璋何莉萍杨天足江名喜
- 关键词：ATO水热法纳米粉电性能
- 新型功能材料ATO、ITO制备工艺
- 刘建玲
- 水热法合成纳米ATO粉末的研究被引量：14
- 2005年
- 研究了以锑白、氢氧化钠、锡酸钠为原料,硫酸作为沉淀剂先制备出ATO的前驱体,然后用水热法合成了ATO纳米粉体,用容量法和碘量法分析其锑掺杂量分别为4.3 mol%、5.8 mol%和7.2 mol%,并用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、差热分析等手段对粉末进行了表征.DTA分析表明所得到的粉末脱水完全,晶型稳定;TEM分析结果表明其平均粒度20nm左右,XRD分析表明,随着锑掺杂量的增加,ATO的粒度减小而结晶性能变差.图4,表2,参10.
- 江名喜杨天足楚广刘建玲
- 关键词：水热合成纳米二氧化锡掺杂
- 新型功能材料ATO、ITO制备工艺及其形貌和电性能的研究
- ITO(Tin-dopedIndiumOxide)和ATO(Antimony-dopedTinOxide)膜由于其低电阻率、高可见光透射率、与玻璃基体结合牢固、抗擦伤、良好的化学稳定性等优点，广泛应用于薄膜电阻、透明电极...
- 刘建玲
- 关键词：锑掺杂二氧化锡同质异构电性能功能材料
- 文献传递
