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刘博

作品数:9 被引量:26H指数:3
供职机构:天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 4篇相位匹配
  • 4篇参量
  • 4篇参量放大
  • 3篇I-V特性
  • 2篇电学
  • 2篇多孔硅
  • 2篇气敏
  • 2篇近红外
  • 2篇光参量
  • 2篇光参量放大
  • 2篇红外
  • 2篇飞秒
  • 2篇BBO
  • 2篇BBO晶体
  • 1篇带宽
  • 1篇电学特性
  • 1篇调谐
  • 1篇调谐范围
  • 1篇多色
  • 1篇英文

机构

  • 9篇天津大学
  • 1篇中国民航大学

作者

  • 9篇刘博
  • 4篇朱晨
  • 4篇马晶
  • 4篇胡明
  • 4篇章若冰
  • 4篇王清月
  • 3篇孙凤云
  • 3篇孙鹏
  • 2篇刘华刚
  • 2篇张伟力
  • 2篇张志刚
  • 1篇柴路
  • 1篇陈鹏
  • 1篇许路加
  • 1篇张洁
  • 1篇房振乾
  • 1篇宋阳

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇材料工程
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇纳米技术与精...
  • 1篇中国民航大学...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
BBO晶体近红外宽带飞秒光参量放大的研究
飞秒光参量放大作为可调谐光源,因具有高的单程增益和大的增益带宽,成为产生可调谐的几个飞秒光脉冲的一种重要技术手段。目前,通过400nm泵浦的BBO晶体非共线I类相位匹配光参量放大获取的最窄脉冲已达4fs。但小于10fs的...
刘博
关键词:飞秒脉冲
文献传递
多孔硅电学特性研究被引量:3
2008年
采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多孔硅/P+型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构。主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响。结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性。
房振乾胡明刘博宋阳
关键词:多孔硅I-V特性欧姆接触
KTP晶体频率转换带宽特性研究
2008年
以0.8μm波长作为泵光频率,对KTP晶体在近红外光区的匹配特性作了研究,对各种可能的频率转换关系进行了分析,提出了两个最优宽带转换方式以及获得宽带频率转换的方法。
朱晨章若冰马晶刘博刘华刚王清月
关键词:KTP晶体相位匹配带宽
BBO晶体Ⅰ类相位匹配从可见光到近红外光宽带参量放大的带宽研究被引量:4
2007年
超快激光的应用,需要有高功率、窄脉宽和宽调谐的激光光源。飞秒光参量放大是产生可调谐、短至几个飞秒光脉冲的一种重要方法。为获得极窄的飞秒光脉冲,飞秒光参量放大器就应该有尽可能大的本征带宽。理论研究了BBO晶体在Ⅰ类非共线相位匹配条件下的宽带参量放大特性。将多色相位匹配技术应用于飞秒光参量放大,推导出信号光带角色散时的宽带运转条件。分别介绍了从可见光到近红外光选取合适的参数实现宽带运转的方法。基于400nm蓝光抽运的BBO晶体光参量放大器(OPA),系统地分析了非共线角和信号光角色散值对相位失配和参量带宽的影响。研究结果表明选取适当非共线角和在近红外光中引入适当的角色散可极大提高参量带宽。
刘博章若冰刘华刚马晶朱晨王清月
关键词:非线性光学
飞秒BBO光参量放大中闲频光二次谐波的产生被引量:6
2005年
由于相位匹配条件和非线性晶体透光范围的限制,400nm蓝光抽运的飞秒β-BaB2O4(BBO)光参量放大(OPA)输出的参量光调谐范围有限,很难得到波长小于460nm的蓝光和近紫外光.实验采用1kHz钛宝石九通啁啾脉冲放大器的倍频蓝光作抽运光,超连续白光作种子光,在Ⅰ类非共线相位匹配条件下,利用宽带的飞秒BBOOPA,在一定的实验参数下获得了530—810nm放大的信号光,以及810nm—1·7μm波段范围的闲频光.与此同时,还获得了410—700nm连续可调的闲频光的二次谐波,其与闲频光层叠分布,单脉冲能量为2·6μJ,转换效率大于5%.仅利用单块晶体的飞秒BBOOPA就可以获得410—810nm连续可调的飞秒脉冲输出,从而为更多研究和应用的需要提供了重要的光源.对飞秒光参量放大中闲频光二次谐波产生的条件也进行了理论分析.
马晶章若冰刘博朱晨柴路张伟力张志刚王清月
关键词:光参量放大BBO飞秒二次谐波产生调谐范围超连续
金属/多孔硅/单晶硅(M/PS/Si)微结构的电学特性被引量:1
2011年
采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成金属电极,制备出M/PS/Si微结构.利用SEM分析多孔硅的表面形貌,通过测试其I-V特性分析M/PS/Si微结构的电学特性.结果表明由Pt做电极形成的M/PS/Si结构,表现出非整流特性.M/PS/Si结构的I-V曲线由线性区和非线性区组成,多孔硅孔隙率越高的M/PS/Si结构的I-V特性曲线线性区越宽.由Cu做电极形成的M/PS/Si结构,表现出整流特性.其整流比随多孔硅孔隙率增加而减小.
孙鹏胡明刘博孙凤云许路加
关键词:I-V特性
多孔硅的I-V特性及NO_2气敏特性研究被引量:8
2009年
采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表明,多孔硅的横向I-V特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加。当腐蚀电流密度为90 mA/cm2,腐蚀时间为30 min时,所得多孔硅气敏元件对体积分数为200×10-9的NO2的灵敏度可达到5.25,响应时间与恢复时间约分别为14 min与10 min。
孙凤云胡明孙鹏陈鹏刘博
关键词:多孔硅孔隙率Ⅰ-Ⅴ特性
介孔硅基WO_3纳米颗粒薄膜室温气敏元件特性(英文)被引量:2
2010年
采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅片表面制备介孔硅层(meso-PSlayer),然后用对向靶磁控反应溅射法在介孔硅表面沉积WO3纳米颗粒薄膜,在干燥空气中于400℃下保温4h进行退火热处理,制备出介孔硅基WO3纳米颗粒薄膜(WO3-PS)室温气敏元件.利用扫描电子显微镜(SEM)分析介孔硅层及WO3-PS的表面形貌,通过X射线衍射(XRD)研究WO3的结晶状态,测试WO3-PS气敏元件在室温下对NO2、NH3的气敏性能,并探讨了WO3-PS气敏元件的工作机理.实验结果表明,在介孔硅表面沉积WO3纳米颗粒薄膜可使介孔硅的气敏性能显著提高,其中在室温下对10×10-6NO2的灵敏度由5提高至56,大大提高了介孔硅的灵敏度,并降低了其响应/恢复时间,提高了对NO2的选择性.
孙凤云胡明孙鹏刘博张洁
关键词:WO3室温气敏特性
BBOⅠ类相位匹配非共线参量产生中的群速自匹配被引量:3
2005年
利用重复频率为1kHz的钛宝石激光的倍频蓝光抽运Ⅰ类相位匹配的偏硼酸钡(BBO)晶体,获得了可见光区的非共线参量超荧光.给出了最强光强处参量超荧光的非共线角,波长随相位匹配角的变化.理论计算了在参量超荧光中三波的群速失配随非共线角和相位匹配角的变化规律.结果表明,Ⅰ类非共线相位匹配的参量超荧光关于抽运光中心对称.并且沿光强最强的参量超荧光方向三波的群速失配最小,有效互作用长度最大,即参量超荧光的强度角分布是三波的相速和群速自匹配的结果.该理论和实验研究为减小飞秒光参量放大中三波的群速失配提供了一个理想的几何模型,为获得高增益、窄脉冲宽度的参量光输出提供了理论依据和实验验证.
马晶章若冰刘博朱晨张伟力张志刚王清月
关键词:非共线相位匹配BBO超荧光钛宝石激光光参量放大
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