刘博
- 作品数：11 被引量：6H指数：1
- 供职机构：河南科技大学电气工程学院更多>>
- 发文基金：河南省教育厅科学技术研究重点项目河南省基础与前沿技术研究计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学动力工程及工程热物理更多>>
- 石墨烯在场发射器件中的应用现状及展望被引量：1
- 2013年
- 石墨烯是一种零带隙的半导体材料,具有很高的电子迁移率。另外,石墨烯具有单层碳原子的二维结构,这种结构在理论上具有非常大的场增强因子,其场发射能力原理上可大于单壁碳纳米管。因此,石墨烯作为场发射材料引起了研究者广泛关注。研究热点主要集中在:生产具有利于场发射的石墨烯结构;构建具有良好电子传输性能的带石墨烯的复合阴极材料;改善石墨烯电子传输能力的场发射器件结构。
- 王金婵宋璐刘博
- 关键词：发射器
- 《半导体制造技术》双语教学的尝试和探索被引量：1
- 2015年
- "半导体制造技术"作为集成电路设计理论与其后端生产技术的知识纽带,对电子类专业学生面向集成电路科学的专业学习、兴趣挖掘及工程实践技能培养起着重要的作用。考虑半导体集成电路技术具有理论前沿性、发展快速性、应用普适性的特点,该文结合目前"国际化加专业化"的电子类专业人才培养目标,探讨采用双语教学模式的必要性和意义。提出"双语辅助专业"教学的改革思路,从教材、教学方法和课程体系改革三方面论述该专业课程改革的构想及成效。
- 刘博张雷鸣王金婵张羽
- 关键词：双语教学集成电路技术半导体制造技术
- 基于90nm工艺节点的MOSFET版图失配研究
- 2015年
- 研究了CMOS模拟集成电路的不同版图结构对电路性能的影响规律,探讨了不同版图结构对工艺波动的抑制作用。通过采用90 nm CMOS工艺设计了8种不同宽长比(W/L)的数模转换器(DAC),分别利用单栅与多指栅结构实现该DAC电流源输出驱动管阵列,并将其作为研究对象进行了分析。通过分析金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)阈值电压VTH和DAC输出电压Vout的实测数据,对CMOS模拟集成电路的最优版图设计方案进行了探讨。最后,利用本研究结果设计了一款90 nm工艺的低功耗CMOS运算放大器,相比传统版图结构,该放大器的工艺波动抑制能力提高了5.87%。
- 张雷鸣刘博张金灿
- 关键词：电流舵工艺波动阈值电压版图
- CH_4对氧化锌场发射性能的影响
- 2013年
- CH4是封装的氧化锌场发射器件中一种重要的残余气体成份。为了研究该残余气体成份对器件性能的影响,本文采用加速结果显示的充气试验法,即将CH4通过针阀引入安装在真空系统上的氧化锌场发射器件中。从试验结果得出CH4对氧化锌的场发射电流具有增强作用。由于CH4在ZnO表面吸附后改变了ZnO表面的电荷分布,使更多电子聚集在ZnO的表面,从而使其发射电子的能力在相同外加电场下有所增加。根据所得结果,提出通过改变器件内残余气体的方法改善氧化锌场发射器件的工作性能。即在器件排气过程中引入一定量的CH4气体,结果表明器件的发射性能有一定的改善。
- 王金婵刘博宋璐张立文
- 关键词：氧化锌场发射CH4稳定性
- 基于W5100芯片的网络通信电路设计被引量：2
- 2014年
- W5100芯片是一种高集成度的网络接口芯片,内部集成有10/100M以太网控制器,经过简单的接口操作,可以实现没有操作系统的internet连接,主要应用于成本较低、稳定性较高的嵌入式系统中。本文介绍了W5100的内部构成、引脚分布、接口方式及硬件电路设计。
- 王勇孙立功张立文李娜刘博孙孟方
- 关键词：TCPIP协议网络通信嵌入式系统
- 一种改进的高线性CMOS混频器的分析与设计被引量：1
- 2016年
- 在多标准系统应用中,由于线性度和噪声的要求,使得混频器的设计难度很大。采用2次谐波注入结构的3阶失真抵消技术,设计了一种改善跨导级线性度的高线性CMOS混频器。在混频器开关级处引入LC滤波电路,抵消了开关级晶体管的2阶和3阶互调失真,进而优化了开关级的线性度。采用TSMC 0.13μm CMOS工艺进行设计与仿真,并完成了版图设计与流片。较之传统的吉尔伯特混频器,该电路的输入3阶交调点IIP3增加了11.2dBm,达到9.2dBm的高线性度,对噪声系数、增益以及功耗造成的影响较小。
- 张雷鸣张金灿刘博
- 关键词：CMOS混频器高线性
- 基于web的人民防空计算机网络信息系统的安全性设计
- 2007年
- 信息网络在未来的作战中具有十分重要的地位和作用，保护网站安全已成为一项十分重要的工作。本文主要以linux，apache和mysql为例，从网络安全、服务器系统和应用程序等方面来讨论如何保障整个网络的安全性。
- 刘博商建东梁祖华
- 关键词：计算机网络信息系统安全性设计人民防空APACHEMYSQL
- 基于电感源极退化技术的高线性混频器设计
- 2016年
- 基于电感源极退化技术设计了一款新颖的高线性度正反馈跨导放大器,并且将该跨导放大器应用于折叠结构式混频器当中。通过抵消反相器和辅助放大器之间的三阶跨导分量,改善了其线性度。电路采用TSMC 0.13μm CMOS工艺进行设计与仿真,完成了版图设计与流片。与传统结构相比,该混频器的输入三阶交调点IIP3高达8.6 dBm,噪声系数为10.9 dB,增益高达14 dB,并且取得了更优的归一化FOM指标。
- 张雷鸣刘博张金灿
- 关键词：线性度跨导放大器混频器
- 多指版图结构对纳米MOSFET阈值特性的影响分析
- 2015年
- 针对纳米级工艺多指栅MOS晶体管的不同版图结构及其阈值波动的相关特性进行分析和研究。通过将基于Fujitsu 90nm工艺的三种不同版图结构实现的N型多指栅MOSFET器件阈值电压VTH作为工艺波动的研究对象,运用多元非线性回归算法对测试芯片进行系统工艺波动与随机工艺波动的提取和分析,并对与尺寸、版图结构相关的随机工艺波动特性进行了评估。测试结果表明三种版图结构中有源区共有结构具有最佳的电流驱动特性,有源区隔离结构抑制系统波动能力最优,折叠栅结构具有同尺寸器件较低的阈值电压并可以最有效地抑制随机工艺波动。
- 刘博张雷鸣张金灿王金婵王勇
- 关键词：工艺波动
- 基于D/A转换器的工艺波动表征方法的研究被引量：1
- 2015年
- 提出了一种利用微分非线性误差参数(DNL)表征单管MOSFET工艺波动特性的方法,并建立了其数学关系表达式.该表征方法通过测试多组90nm/1.2V标准CMOS生产工艺的D/A转换器工艺样片的驱动管输出电压和电流,利用微分非线性误差作为衡量工艺波动程度的指标参数,得到反映输出驱动管阵列受工艺波动影响的MOS晶体管的器件失配系数ΔD.通过建立两者的数学关系式,量化描述了由工艺波动造成的输出驱动管电流失配,以及该失配对于DAC输出特性变化的影响.由实际测试分析结果可知,该表征方法具有较强的实用价值,能够为模拟IC设计者预测电路性能提供理论依据与技术指导.
- 刘博张雷鸣王金婵
- 关键词：工艺波动
