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刘凌云

作品数:5 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电子能
  • 1篇形貌
  • 1篇氧化钒薄膜
  • 1篇氧缺陷
  • 1篇一维纳米
  • 1篇一维纳米结构
  • 1篇有机半导体
  • 1篇酞菁
  • 1篇酞菁铁
  • 1篇同步辐射光电...
  • 1篇气相沉积
  • 1篇强磁场
  • 1篇物理气相沉积
  • 1篇纳米
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇二氧化钒

机构

  • 5篇中国科学技术...
  • 2篇中国科学院

作者

  • 5篇徐法强
  • 5篇刘凌云
  • 4篇张文华
  • 3篇韩玉岩
  • 2篇万力
  • 2篇郭盼盼
  • 2篇陈铁锌
  • 2篇曹亮
  • 2篇王凯
  • 1篇冯金勇
  • 1篇方军
  • 1篇郑志远
  • 1篇黄超
  • 1篇高品

传媒

  • 4篇物理学报
  • 1篇中国科学技术...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
FePc与TiO_2(110)及C_(60)界面电子结构研究
2012年
基于C_(60)受体和有机分子给体的太阳能电池是目前非常重要的一个研究热点,利用同步辐射真空紫外光电子能谱(SRUPS)技术研究了酞菁铁(FePc)与TiO_2(110)及C_(60)的界面电子结构,以及FePc与C_(60)分子混合薄膜的电子结构.SRUPS价带谱显示,FePc沉积在化学计量比与还原态两种不同的TiO_2(110)表面时,FePc分子的HOMO能级均随FePc厚度的变化发生了移动,而在化学计量比的TiO_2(110)表面位移较大,同时发生界面能带弯曲,说明存在从有机层向衬底的电子转移.在FePc/C_(60)和C_(60)/FePc界面形成过程中,FePc与C_(60)分子的最高占据分子轨道(HOMO)位移大小基本相同.由界面能级排列发现,在FePc与C_(60)的混合薄膜中,FePc分子的HOMO与C_(60)分子的最高占据分子轨道能级差较大,这有利于提高器件开路电压,改善器件性能.
万力曹亮张文华韩玉岩陈铁锌刘凌云郭盼盼冯金勇徐法强
强磁场对酞菁铁薄膜分子取向及形貌的影响
2016年
有机半导体器件的性能在很大程度上受有机分子取向和堆积方式的影响,研究调控有机分子取向的方法对优化器件性能有重要意义.在强磁场(8.5 T)下使用有机分子束沉积方法在Si(111)衬底上制备了酞菁铁薄膜,应用X射线衍射,角分辨近边X射线吸收精细结构、偏振激光拉曼光谱,原子力显微镜等技术研究了磁场对酞菁铁薄膜的分子取向和形貌的影响.结果表明,酞菁铁分子相对于衬底呈侧立构型并形成α相的薄膜.在强磁场作用下,分子平面与衬底的夹角由63.6°增大为67.1°,形成薄膜的结晶度明显提高,晶粒更加均匀,在衬底上的分布更加有序.
黄超刘凌云方军张文华王凯高品徐法强
关键词:有机半导体分子取向
苝四甲酸二酐有机单晶纳米结构的制备及形成机理的研究被引量:1
2012年
在分子束外延(MBE)系统中,利用物理气相沉积(PVD)的方法在阳极氧化铝(AAO)模板上制备了有机染料分子苝四甲酸二酐(PTCDA)的不同纳米结构;并使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)以及选区电子衍射(SAED)技术进行了系统的研究.结果发现,当衬底温度(T_s)为330℃时得到的是纳米丝、针、带以及棒;T_s为280℃,230℃,180℃时得到的主要是纳米棒,并且纳米棒的长度随T_s的降低而变短;T_s为50℃时只能得到连续的PTCDA薄膜.HRTEM以及SAED结果证实了纳米针与棒为单晶.依据SEM结果,提出纳米结构的生成主要受T_s以及衬底表面曲率的影响.
韩玉岩曹亮徐法强陈铁锌郑志远万力刘凌云
关键词:物理气相沉积
PTCDA一维纳米结构的制备及其光学性能的调变
2014年
在分子束外延系统(MBE)中以玻璃为衬底,使用物理气相沉积(PVD)方法制备了苝四甲酸二酐(PTCDA)的纳米结构;并利用扫描/透射电子显微镜(SEM/TEM),X射线衍射(XRD),紫外-可见分光光度计(UV-vis)和荧光谱仪(PL)等手段对样品的形貌及光学性能进行了系统的研究.结果表明,纳米结构的形貌主要受衬底温度(Ts)的影响;单晶PTCDA纳米棒和纳米线的形成机制是基于VS(vapor-solid)机理.此外,XRD结果表明制备的纳米结构均为α相PTCDA.然而,纳米结构的尺寸和结晶度的不同,导致了它们光学性能的差异.
郭盼盼韩玉岩张文华刘凌云徐法强
关键词:VSPVDPTCDA衬底温度光学性能
VO2薄膜表面氧缺陷的修复:F4TCNQ分子吸附反应
2016年
VO_2表面氧缺陷的存在对VO_2材料具有显著的电子掺杂效应,极大地影响材料的本征电子结构和相变性质.通过2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰二甲基对苯醌(F_4TCNQ)分子表面吸附反应,可以有效消除表面氧缺陷及其电子掺杂效应.利用同步辐射光电子能谱和X射线吸收谱原位研究了修复过程中电子结构的变化以及界面的化学反应,发现这种方式使得VO_2薄膜样品氩刻后得到的V^(3+)失去电子成功地被氧化成原先的V^(4+),同时F_4TCNQ分子吸附引起电子由衬底向分子层转移,界面形成带负电荷的分子离子物种.受电化学性质的制约,(F_4TCNQ)分子吸附反应修复氧缺陷较氧气氛退火更安全有效,不会引起表面过度氧化形成V_2O_5.
王凯张文华刘凌云徐法强
关键词:二氧化钒薄膜氧缺陷
共1页<1>
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