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对触媒熔剂法金刚石生长的再认识(Ⅰ)——金刚石晶体生长的准稳定区被引量：2: 2001年; 本文根据溶液晶体生长理论与实践 ,认定在金刚石结晶V形区域内存在着晶体生长准稳定区。熔剂—碳二元共熔体系处于准稳定的过饱和溶液中 ,准稳定的过饱和度是金刚石晶体生长的驱动力。提出了设计合理的加热组装结构、建立金刚石生长适宜压力场、温度场的必要条件。; 王德新王福泉刘光海陈祥安郑振凯刘建平; 关键词：金刚石温度梯度过饱和度晶体生长

优质细颗粒金刚石单晶(140～400目)实验研究: 本文研制了优质细颗粒金刚石，并形成了一套完整的生产工艺，产品大批量投放国际市场，受到国内外用户的好评，获得了较高的经济效益，总结了研究工作经验，以促进我国的特色产品一优质细颗粒金刚石的研究开发，再攀新的台阶。; 王德新王福泉刘光海陈祥安杨俊菊; 关键词：细颗粒金刚石磨具单晶; 文献传递

优质细颗粒金刚石单晶(170～400目)生长工艺条件研究被引量：2: 1997年; 本文报道了生长优质细颗粒金刚石单晶（１７０～４００目）的工艺条件。采用粉末触媒和石墨合成细颗粒单晶，比用片状触媒、石墨压缩性大，电阻变化大。因此，在电压不变情况下加热合成时，其电流和功率都随合成时间有较大变化，而且是一条有规律的电流时间（功率时间）变化曲线。从加热压力（Ｐ加热）开始通电加热，电流和功率急剧上升，达到最终合成压力（Ｐ终）时，仍然上升，直至达到最高点。然后电流、功率下降至最低点后，电流又上升，若不控制，待数秒钟后单晶质量变坏，并有石墨化现象。经分析得知，由加热压力开始到最终合成压力，试块收缩，电阻变小，主要是烧结所致，压力引起的收缩，电阻变小为辅；由最终合成压力Ｐ终到电流、功率变化曲线的最高点，这是触媒熔化、电阻变小所致；由曲线的最高点变到最低点，这是由于单晶形成，试块电阻变大造成的。电流时间（功率－时间）曲线最高点和最低点的位置与数值变化大小，是由温度（加热功率）和过剩压的大小决定的。合成功率高者，从Ｐ加热～Ｐ终电流（功率）变化数值大，而从Ｐ终到曲线最高点变化数值减少，曲线最高点到最低点变化数值亦减少，时间亦缩短。合成单晶效果看，温度高单产低、晶粒细。过压度大者，电流变化数值增大，但达到曲线最?; 王德新王福泉刘光海杨俊菊; 关键词：单晶生长金刚石薄膜

烧结多晶钻石的压力、温度与压力场、温度场被引量：3: 2004年; 本文根据钻石自体烧结、生成碳化物烧结、扫越催化再结晶方式与石墨一次生长多晶钻石四种不同方法的烧结机制,论述了相应的压力场、温场及压力温度工艺条件。; 王德新王福泉刘光海陈祥安郑振凯; 关键词：压力场温度场

对我国超硬材料发展的观察与思考——庆祝我国金刚石诞生三十五周年: 1998年; 一、曲折发展的历程我国1961年开始研制金刚石,1963年12月6日第一颗金刚石诞生,现已35岁了。他的发展经过了三个阶段、三次大的波动。 1966年至1972年为第一阶段,磨料级金刚石投入工业生产,但应用研究开发跟不上,造成磨料级金刚石积压。在这关键时刻,; 王德新陈祥安刘光海王福泉郑振凯; 关键词：钻井工艺压力场超高压压机超硬材料

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刘光海

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