凌志远
- 作品数：131 被引量：122H指数：6
- 供职机构：华南理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术化学工程理学更多>>
- 一种厚膜片式电阻器及其制造方法
- 本发明公开了一种厚膜片式电阻器及其制造方法，其中厚膜片式电阻器包括：氧化铝基片；正面小电极，设置在氧化铝基片的第一表面的两侧；背面电极，设置在氧化铝基片的第二表面的两侧；电阻体层，设置在氧化铝基片的第一表面上；一次保护层...
- 凌志远廖云鹏
- 文献传递
- 一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料高温电阻率的方法
- 本发明公开了一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料高温电阻率的方法，该方法包括配料、材料预处理和分段烧结，铋层结构压电铁电陶瓷材料的化学通式为A(Bi<Sub>4-x</Sub>Ln<Sub>x</Sub>)Ti<Sub>4-...
- 何新华黎卓华凌志远
- 文献传递
- 一种对铝及其合金表面进行着色的方法
- 本发明公开了一种对铝及其合金表面进行着色的方法，包括如下步骤：首先对铝或铝合金表面进行清洗和抛光；使用浓度为0.1～3摩尔/升的硫酸电解液，以上述处理好的铝或铝合金为阳极，石墨为阴极，进行恒压阳极预氧化，预氧化电压10～...
- 凌志远刘忆森常毅胡星
- 文献传递
- 一种针状/线状结晶铜粉及其制备方法
- 发明涉及一种针状/线状结晶铜粉及其制备方法。该方法是，分别制备反应起始物溶液和还原剂溶液时，将分散剂或氨水(氨水替代物)加入到所述的反应起始物溶液或者还原剂溶液中，再将两种溶液混合，在50－90℃温度条件下，反应15分钟...
- 符小艺凌志远
- 文献传递
- 一种低温烧结磷酸锰锂微波介电陶瓷材料及制备方法
- 本发明公开了一种低温烧结磷酸锰锂微波介电陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：(1)以Li<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>、MnCO<Sub>3</Sub>、聚磷酸铵为原料，按LiMnPO<Sub>4</...
- 胡星程子凡凌志远
- 文献传递
- 一种场诱应变微位移致动器及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种场诱应变微位移致动器及其制备方法与应用。所述场诱应变微位移致动器由方形压电陶瓷薄片作为位移元件、方形不锈钢金属薄片作为引出电极交替堆叠构成，所述方形压电陶瓷薄片的材料化学组成为Pb<Sub>0.9625<...
- 凌志远吴丽娟
- 改性PZT陶瓷的大场诱应变效应
- 1995年
- 研究了改性锆钛酸铅（ＰＺＴ）陶瓷材料的场诱应变性能与组成的变化关系。结果表明，材料组成选取既位于９０°畴成份占较大比例的菱方相，且处于机电耦合特性较强的相界处，同时采用适量的等价离子Ａ位取代以及适量的Ａ位和Ｂ位施主掺杂，有利于实现大场诱应变小滞后特性。
- 刘付德凌志远谢进张穗真
- 关键词：改性PZT陶瓷电致伸缩锆钛酸铅
- 低温烧结Bi_2MoO_6-Bi_2Mo_2O_9陶瓷的微波介电性能被引量：1
- 2016年
- 采用氧化物固相反应法制备x≤30%(质量分数)的不同xBi_2MoO_6-(1-x)Bi_2Mo_2O_9介质陶瓷材料,研究了Bi_2MoO_6掺入对Bi_2Mo_2O_9晶相结构、显微形貌和介电性能的影响。结果表明:烧结后陶瓷均为Bi_2MoO_6正交和Bi_2Mo_2O_9单斜两相混合,Bi_2MoO_6加入量对晶体结构和晶粒尺寸有明显影响;随着x的增大,xBi_2MoO_6-(1-x)Bi_2Mo_2O_9陶瓷的相对介电常数(ε_r)、品质因素(Qf)和谐振频率温度系数(τ_f)减小。0.3Bi_2MoO_6-0.7Bi_2Mo_2O_9在640℃空气下烧结2h,谐振频率7.72 GHz、ε_r=30.2、Qf=10 725 GHz、τ_f=1.6×10^(-6)/℃,具有优良的微波介电性能。
- 杨俊锋凌志远
- 关键词：介质陶瓷微波介电性能
- 一种多孔多级结构阳极氧化铝模板及其制备方法
- 本发明公开了一种多孔多级结构阳极氧化铝模板及其制备方法。该方法包括：将高纯铝片进行电化学抛光过程后，用适量的乙醇和大量的去离子水清洗，再对铝片进行有机物(聚合物溶胶‑凝胶CA600)表面旋涂，将得到表面旋涂后的铝片进行热...
- 李屹伍景成申乐胡星凌志远
- 文献传递
- La置换Pb对Sb掺杂PLZT压电陶瓷介电性能的影响被引量：1
- 2009年
- 研究了Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3+1.5wt%Sb2O5陶瓷(PLSZT)的介电性能及其微观结构。实验结果显示:x≤4.9%时,晶体结构为纯钙钛矿相;x>4.9%时,为钙钛矿和焦绿石(Pb3Sb2O8.47)6.4两相复合结构。随着x的增大,介电常数呈现先增大后减小的趋势。介电常数在x=6%、y=0.45时最大,em≈3900,tgδ≈1.8%。PLSZT随x的增大弥散性逐渐增强,但Sb的添加使得相同La含量的PLSZT相较于PLZT的弥散性弱。
- 高瑞荣凌志远童盛
- 关键词：压电陶瓷锆钛酸铅介电特性弥散性
