余思明
- 作品数：4 被引量：12H指数：2
- 供职机构：中南工业大学应用物理与热能工程系更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 直拉硅中氮与氧的相互作用被引量：2
- 1995年
- 应用红外光谱技术研究了ＣＺ硅中氮与氧的相互作用，实验发现硅中氮的行为不仅与热处理温度有关，而且与热处理时间、样品的热历史等因素有关，由此得出，硅中氮与氧的相互作用实际上分为三个阶段：（１）氮氧复合物的形成，（２）氮氧复合物的脱溶，（３）以氮为中心的氧沉淀的长大。
- 刘培东李立本阙端麟余思明
- 关键词：氧沉淀硅
- 重掺Sb硅单晶中氧沉淀的研究被引量：1
- 1989年
- 本文用化学腐蚀和透射电镜及其能谱分析研究了重掺Sb硅单晶中的氧沉淀。化学腐蚀结果表明,Sb的掺入有促进形核的作用,但其最大成核速率仍在750℃左右。随着退火时间的延长,沉淀密度首先增加,而后又下降。透射电镜观察到氧沉淀呈平行四边形平板状,并发现有氧沉淀群及与沉淀相连的位错缠结,但未发现层错。对氧沉淀大小的测量结果表明,它的生长满足t^(3′4)规律。能谱分析指出,Sb元素不参与氧沉淀。为解释Sb的掺入促进形核,本文提出了空位和间隙硅原子影响氧沉淀形成的模型。按此模型,单位体积晶坯的自由能变化应为ΔG_v=-ΔH_v(O)(T_e(O)-T)/T_e(O)-ΔH_v(Si)(T-T_e(Si))/T_e(Si)假设Sb的掺入增加空位浓度,减小间隙硅原子浓度。为此,间隙硅原子的饱和温度将降低。由上式,ΔG_v将随Sb浓度的增加而为更大的负值。因此,氧沉淀形核速率将随掺Sb浓度的增加而加速。
- 余思明周福生徐冬良张烈华
- 关键词：锑硅单晶氧沉淀半导体
- 硅片的抗弯强度及其与高温抗形变能力的关系被引量：1
- 1995年
- 通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变能力之间的内在联系，提出了室温抗弯强度大小可以反映硅片高温抗形变能力的观点。
- 谢书银石志仪余思明
- 关键词：硅片抗弯强度抗变形能力高温
- 硅中的氮氧复合物和碳氧复合物被引量：9
- 1992年
- 前文[1]指出,硅中的氮氧复合物实质上是氮对-硅-氧复合体.本文运用这一结构模型预测了新的实验事实,并用实验进行了验证,同时分析了硅中的碳氧复合物,提出了硅中碳与氧,氮与氧相互作用的新见解.
- 刘培东余思明李立本张锦心阙端麟
- 关键词：硅
