何红宇
- 作品数：9 被引量：35H指数：2
- 供职机构：广东工业大学物理与光电工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学环境科学与工程更多>>
- 三阶驱动原理在TFT LCD电测波形设计中的应用被引量：2
- 2009年
- 将三阶驱动原理应用于TFT-LCD电测波形的设计,并通过实验验证了其有效性。设计过程中,直接通过栅极电压上拉,将Cs产生的Feed Through电压用来补偿栅极电压关闭时使Cgd产生的Feed Through电压。这样无需通过修正Vcom电压来补偿(栅极电压关闭时产生的Feed Through电压),避免了获取Clc参数难的问题。
- 唐惠玲刘志军何红宇
- 关键词：薄膜晶体管液晶显示器
- 差模电压放大倍数的四种分析方法被引量：1
- 2008年
- 差分放大电路的主要作用是抑制共模电平和放大差模信号,因而具有良好的温度和噪声特性,是集成运放的重要基础。为了更好地对差模放大倍数进行分析,文章总结出三种新的解法,即直接求解法、GmRout方法和戴维宁求解,可合计得到四种分析方法。便于学生有机地把电路理论的知识运用到模拟电路分析中,加深对差分放大电路的理解。
- 何红宇吴艳杰唐惠玲周展怀
- 关键词：模拟电路差分放大
- 氯气灾害事故的处置探讨被引量：1
- 2006年
- 从氯气的基本性质入手,分析探讨了氯气灾害事故处置程序,现场处置方法以及化学中和过程药品使用计算方法,为成功处置同类灾害事故提供了借鉴依据。
- 安维何红宇
- 关键词：氯气灾害事故
- 基于陷落电荷效应的非晶硅TFT的开态电流模型被引量：1
- 2012年
- 对非晶硅薄膜晶体管,提出基于陷落电荷和自由电荷分析的新方法。考虑到带隙中指数分布的深能态和带尾态,给出了基于阈值电压的开启区电流模型。定义阈值电压为栅氧/半导体界面处陷落于深能级陷阱态的电荷与陷落于带尾态的电荷相等时所对应的栅压。电流模型中,引入一陷落电荷参数β,此参数建立了电子的带迁移率与有效迁移率之间的关系。最后,将电流模型同时与Pao-Sah模型和实验数据进行比较和验证,结果表现出很好的一致性。
- 何红宇郑学仁
- 基于指数陷阱态密度的薄膜晶体管的解析模型
- 薄膜晶体管(TFT)广泛应用于有源驱动的液晶(AM-LCD)和有机发光二极管(OLED)等平板显示器。建立这些器件力求准确的仿真模型,对于平面显示面板的可制造设计或以其作为负载的驱动IC设计仿真,都有重要意义。沟道中存在...
- 何红宇
- 关键词：多晶硅非晶硅薄膜晶体管
- 文献传递
- 低压CMOS满幅度恒定增益运算放大器设计被引量：1
- 2006年
- 运用负反馈控制输入共模电平,实现了电源电压仅为0.9 V的满幅度运算放大器。采用TSMC 0.35μm CMOS工艺参数HSPICE模拟结果显示,在满幅度共模电平下,运放的平均直流电压增益为66.4 dB(10 pF电容负载),增益波动仅为0.01%,平均单位增益带宽为1.88 MHz,平均相位裕度52°,平均静态功耗仅为135μW。
- 何红宇陈国鼎周展怀
- 关键词：低压低功耗CMOSRAIL-TO-RAIL运算放大器
- 0.6V CMOS轨至轨运算放大器
- 2011年
- 为适应低压低功耗设计的应用,设计了一种超低电源电压的轨至轨CMOS运算放大器。采用N沟道差分对和共模电平偏移的P沟道差分对来实现轨至轨信号输入。当输入信号的共模电平处于中间时,P沟道差分对的输入共模电平会由共模电平偏移电路降低,以使得P沟道差分对工作。采用对称运算放大器结构,并结合电平偏移电路来构成互补输入差分对。采用0.13μm的CMOS工艺制程,在0.6 V电源电压下,HSpice模拟结果表明,带10 pF电容负载时,运算放大器能实现轨至轨输入,其性能为:功耗390μW,直流增益60 dB,单位增益带宽22 MHz,相位裕度80°。
- 何红宇
- 关键词：轨至轨运算放大器CMOS模拟电路
- 模拟电子技术教学方法的多样化被引量：29
- 2006年
- “模拟电子技术”课程是一门重要的基础课程,围绕该课程的教学改革和探讨一直在进行中。本文在教学方法上作了一些有益的尝试,就板书与多媒体相结合的授课方法、学生入门的难点、设计性课题的必要性、学生兴趣的培养和教学过程中教师的视角等问题进行了较为深入的分析和探讨。教学实践表明,通过这些教学方法的尝试,可以提高学生对课程的兴趣,增强学生对知识的理解程度,收到了更好的教学效果。
- 何红宇陈国鼎唐惠玲周展怀
- 关键词：教学模拟电子技术模拟电路
- 一种基于负电阻增益增强型的全差分运算放大器
- 2011年
- 设计了一种新颖的全差分的CMOS运算放大器.在全部晶体管都取最小沟道长度的情况下,层叠的负电阻晶体管结构来提高增益.在电源电压为2.5V,0.25μm CMOS工艺条件下进行电路模拟.模拟结果表明,开环直流增益为86dB,单位增益带宽为200MHz,相位裕度为80°.
- 何红宇郑学仁
- 关键词：负电阻增益增强运算放大器CMOS
