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付小倩

作品数:8 被引量:14H指数:2
供职机构:济南大学信息科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省科技发展计划项目山东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信自动化与计算机技术文化科学更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 3篇量子效率
  • 3篇光电
  • 3篇光电阴极
  • 3篇GAN光电阴...
  • 2篇第一性原理
  • 2篇实验室
  • 2篇负电子亲和势
  • 1篇氮化镓
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电性质
  • 1篇电子结构
  • 1篇电子信息
  • 1篇电子信息类
  • 1篇电子性质
  • 1篇调制传递函数
  • 1篇增强器
  • 1篇梯度掺杂
  • 1篇子结构
  • 1篇微光像增强器
  • 1篇微通道板

机构

  • 5篇南京理工大学
  • 4篇济南大学
  • 1篇滨州学院
  • 1篇鲁东大学
  • 1篇重庆大学

作者

  • 8篇付小倩
  • 5篇常本康
  • 4篇王晓晖
  • 3篇李飙
  • 2篇杜玉杰
  • 2篇张俊举
  • 1篇乔建良
  • 1篇金睦淳
  • 1篇武梅娟
  • 1篇鱼晓华
  • 1篇任玲
  • 1篇徐源
  • 1篇杜晓晴
  • 1篇陈鑫龙
  • 1篇郝广辉
  • 1篇石峰
  • 1篇王洪刚

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇希望月报(上...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇新校园(上旬...
  • 1篇2012年全...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2014
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2007
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
均匀掺杂和梯度掺杂结构GaN光电阴极性能对比研究被引量:1
2011年
高温退火与Cs/O激活是形成负电子亲和势GaN光电阴极的外来诱因,GaN材料本身性能是影响阴极形成的内在因素。针对均匀掺杂和梯度掺杂GaN光电阴极在结构上的不同,结合阴极在激活过程中光电流的变化规律和激活后的量子产额,分析了均匀掺杂和梯度掺杂负电子亲和势GaN光电阴极性能的异同。实验表明,与均匀掺杂结构阴极相比,梯度掺杂结构阴极在激活过程中光电流增速较慢,激活时间相对较长,激活成功后量子效率较高。采用场助光电阴极发射模型可以很好地解释二者间存在的差异,梯度掺杂结构中内建电场的存在增加了电子向阴极表面的漂移运动,提高了电子到达阴极表面的几率。
李飙常本康徐源杜晓晴杜玉杰付小倩王晓晖张俊举
关键词:负电子亲和势氮化镓梯度掺杂光电阴极量子效率
发射层厚度对反射式GaN光电阴极性能的影响
通过求解一维少子稳态扩散方程,推导得到发射层厚度为Te的量子效率公式.在超高真空系统中对MOCVD生长的掺杂浓度为1.6×1017cm-3、3×1018cm-3和5×1017cm-3,发射层...
郝广辉常本康王晓晖付小倩陈鑫龙金睦淳鱼晓华郭婧
关键词:量子效率
Mg,N掺杂β-Ga_(2)O_(3)光电性质的第一性原理计算
2022年
通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Mg单掺杂、N单掺杂和不同浓度的Mg-N共掺杂β-Ga_(2)O_(3)的结构性质、电子性质和光学性质,以期获得性能比较优异的p型β-Ga_(2)O_(3)材料。建立了五种模型:Mg单掺杂、N单掺杂、1个Mg-N共掺杂、2个Mg-N共掺杂和3个Mg-N共掺杂β-Ga_(2)O_(3)。经过计算,3个Mg-N共掺杂β-Ga_(2)O_(3)体系的结构最稳定。此外,在5种模型中,3个Mg-N共掺杂β-Ga_(2)O_(3)体系的禁带宽度是最小的,并且N 2p和Mg 3s贡献的占据态抑制了氧空位的形成,从而增加了空穴浓度。因此,3个Mg-N共掺杂β-Ga_(2)O_(3)体系表现出优异的p型性质。3个Mg-N共掺杂体系的吸收峰出现明显红移,在太阳盲区的光吸收系数较大,这归因于导带Ga 4s、Ga 4p、Mg 3s向价带O_(2)p、N 2p的带间电子跃迁。本工作将为p型β-Ga_(2)O_(3)日盲光电材料的研究和应用提供理论指导。
任姗姗付小倩赵贺王洪刚
关键词:掺杂P型掺杂电子性质第一性原理
负电子亲和势GaN光电阴极的研究进展被引量:6
2011年
GaN材料由于其优良的性能,成为紫外探测和真空电子源领域极具发展潜力的材料之一;目前制备的反射式GaN光电阴极的量子效率已达到70%以上,透射式也达到了30%.本文对GaN光电阴极的结构设计、表面清洗和Cs/O激活三大方面进行了综述,分析了影响量子效率的关键因素,并对今后可能的发展方向进行了展望.
付小倩常本康李飙王晓晖乔建良
关键词:GAN光电阴极负电子亲和势量子效率
Cs/GaN(0001)吸附体系电子结构和光学性质研究被引量:1
2012年
采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法计算了1/4ML Cs原子吸附(2×2)GaN(0001)表面的吸附能、能带结构、电子态密度、电荷布居数、功函数和光学性质.计算发现,1/4ML Cs原子在GaN(0001)表面最稳定吸附位为N桥位,吸附后表面仍呈现为金属导电特性,Cs原子吸附GaN(0001)表面后主要与表面Ga原子发生作用,Cs6s态电子向最表面Ga原子转移,引起表面功函数下降.研究光学性质发现,Cs原子吸附GaN(0001)表面后,介电函数虚部、吸收谱、反射谱向低能方向移动.
杜玉杰常本康王晓晖张俊举李飙付小倩
关键词:第一性原理吸附能电子结构
电子信息类专业实验室改革初探被引量:1
2007年
阐述了实验室建设在高校人才培养中的重要性,分析了目前电子信息类专业实验室建设中所存在的突出问题,并从管理体制改革、实验大纲及实验内容修订、提升实验室功能、增加效益等方面对实验室的改革进行了探索和研究。
付小倩
关键词:电子信息实验室
运用蒙特卡罗方法分析像增强器分辨率被引量:5
2012年
介绍了运用蒙特卡罗方法分析三代微光像增强器分辨率的方法。该方法取一组随机数,来模拟像管中光电阴极受激发射的电子。综合考虑微通道板参数、第一近贴距、第二近贴距、阴极电压和荧光屏电压等影响,模拟追踪电子的运动轨迹。并根据像面上电子的落点分布来计算调制传递函数,从而确定像管的分辨率。经比较,此方法计算简单、运行快速,模拟结果与实验值的偏差不超过5%,理论模型满足实际需求,可为三代微光像增强器的设计提供参考。
武梅娟任玲常本康石峰付小倩
关键词:微光像增强器微通道板蒙特卡罗方法调制传递函数
高校实验室管理与建设的几点思路
2014年
时代的发展对大学生的实践与创新能力提出了越来越高的要求。实验室作为培养学生实践能力的主要场所,其规划、建设、使用和管理水平的高低不仅是学校教学实力的体现,更成为衡量人才培养质量的关键因素。本文从四个方面对高校实验室的工作进行了分析论证,力求对目前的高校实验室存在的问题提出一些对策和建议。
付小倩
关键词:高校实验室
共1页<1>
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