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丁伟

作品数:36 被引量:26H指数:4
供职机构:中国工程物理研究院核物理与化学研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:核科学技术理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 18篇会议论文
  • 17篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 18篇核科学技术
  • 13篇理学
  • 7篇一般工业技术
  • 5篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 11篇同位素
  • 11篇氢同位素
  • 9篇
  • 6篇TI
  • 6篇
  • 6篇P
  • 5篇ZR
  • 4篇多次散射
  • 4篇质子
  • 4篇散射
  • 4篇H
  • 3篇时效
  • 2篇镀膜
  • 2篇多层膜
  • 2篇性能研究
  • 2篇射线
  • 2篇阻挡层
  • 2篇温度
  • 2篇吸氢
  • 2篇晶态

机构

  • 36篇中国工程物理...
  • 13篇复旦大学
  • 4篇四川大学

作者

  • 36篇丁伟
  • 20篇龙兴贵
  • 11篇梁建华
  • 9篇施立群
  • 7篇彭述明
  • 5篇周晓松
  • 4篇刘锦华
  • 3篇安竹
  • 3篇王辉
  • 3篇程贵钧
  • 2篇郝万立
  • 2篇周筑颖
  • 2篇王维笃
  • 2篇毛莉
  • 1篇孙洪伟
  • 1篇罗顺中
  • 1篇赵北君
  • 1篇张超
  • 1篇陈淼
  • 1篇魏澎

传媒

  • 11篇原子能科学技...
  • 2篇核技术
  • 2篇四川大学学报...
  • 1篇金属学报
  • 1篇原子核物理评...
  • 1篇第四届北京核...
  • 1篇第五届(20...
  • 1篇第八届(20...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇第九届中国核...
  • 1篇第十届中国核...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第二届中国氚...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2011
  • 5篇2010
  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 6篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2002
  • 1篇1998
36 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
储氢金属Er/Ti双层膜的制备及吸氘性能研究
在Mo衬底上制备Er/Ti双层膜,并对样品进行氘化实验,使用XRD和SEM研究了氧化层及氘化工艺对Er/Ti双层膜物象结构及表面形貌的影响。结果表明,两种沉积方式制备的Er/Ti膜均为hcp结构,Er膜短暂暴露大气后会迅...
付文博丁伟刘锦华姚冰周晓松龙兴贵
关键词:双层膜脱膜
质子在固体中的多次散射对PBS法分析Ti、Zr膜中D、T的影响
在对固体中的D、T进行PBS分析实验中,质子的多次散射影响不可忽略。本文采用简单的线性修正方法,通过数据分析获取质子在不同材料中,多次散射计数与道数的拟合线性关系,获得满意的修正结果,总的分析误差可控制在10%以内。
丁伟施立群龙兴贵
关键词:多次散射氢同位素
文献传递
质子在固体中的多次散射对PBS法分析Ti、Zr膜中D、T的影响
在对固体中的D、T进行PBS分析实验中,质子的多次散射影响不可忽略。本文采用简单的线性修正方法,通过数据分析获取质子在不同材料中,多次散射计数与道数的拟合线性关系,获得满意的修正结果,总的分析误差可控制在10%以内。
DING Wei丁伟SHI Li-qun施立群LONG Xing-gui龙兴贵
关键词:氢同位素多次散射
EPBS方法分析含氘/氚钛膜及与PVT法的比较被引量:1
2020年
本文使用EPBS方法分析了含氚及含氘与氚钛膜样品中氚及氘的含量与深度分布,并将氚的分析结果与PVT方法所给出的结果进行了比较.实验所使用的Ti膜衬底是Mo,在EPBS能谱的低能端, Mo元素的模拟谱与实验谱偏差较大,会导致分析结果不准确.为消除EPBS实验谱中的Mo谱对分析的影响,本文使用了一个Mo衬底的TiH1.81样品成功扣除了EPBS实验谱中的Mo本底,扣除Mo本底后可以直接模拟样品中氘与氚的能谱,使得分析结果更为精确可靠.
陈浩安竹刘慢天丁伟
Ti膜中H同位素深度分布研究
贮氢金属广泛用于氢同位素氕(H)、氘(D)和氚(T)的贮存,但是出于对氢同位素效应的担心,研究H、D、T在贮氢金属膜内的深度分布对其应用具有重要意义。本论文主要采用弹性反冲探测(ERD)方法,通过用7.4MeV的He离子...
丁伟
关键词:氢同位素同位素效应
文献传递
两种测量氚靶^3He释放方法比较被引量:4
2002年
对开放式离子源四极质谱计和封闭式离子源四极质谱计实验装置进行了标定 ,并用其对氚靶中3 He释放进行了测量。标定与测量结果表明 :开放式离子源四极质谱计可定量测量3 He的最低原子数为6× 10 6,封闭式离子源四极质谱计则为 3× 10 10 ;对于氚量较大的氚靶 ,两者均能对其3 He释放进行定量测量 ,测量结果间的相对偏差约为 5 3 % ;对于小氚量氚靶 ,前者可用于3 He定量测量 ,测量结果的不确定度主要来源于质谱计的标定过程 ,约为 7 2 % 。
丁伟王辉龙兴贵
关键词:氚靶四极质谱计释放量氦3
温度对金属氚化物~3He释放特性的影响研究
对数种金属氚化物在不同温度下的~3He释放行为进行了研究,获得的实验数据表明,金属氚化物的~3He释放速率随着温度的增加而迅速增长,并满足阿仑尼乌斯公式,由此可以计算~3He在金属氚化物中的扩散激活能,得到温度对金属氚化...
丁伟龙兴贵彭述明周晓松梁建华王辉王维笃
关键词:温度效应扩散激活能
文献传递
钛膜中氢同位素的深度分布被引量:4
2007年
为评估氢同位素效应对其在贮氢金属中深度分布的影响,对H/D–Ti、D/T–Ti、D–Ti及T–Ti样品用7.4MeV的4He离子束进行30°方向弹性反冲(ERD)分析。由H/D–Ti样品ERD能谱获得其1.7μm深度的D分布,结合D–Ti样品ERD能谱的~3μm深度的H、D分布进行了模拟分析。结果表明,H、D含量均随深度增加,其分布曲线基本一致,说明在Ti中H、D的分布互不干涉,样品制备过程中其同位素效应不明显。用同样的方法对DT–Ti样品中的D、T分布进行了模拟分析。结果表明,在1.7μm深度内D、T的分布基本均匀,但由于D、T的能谱过于靠近,其解谱误差较大。用3.0MeV的质子对HD–Ti和D–Ti进行的质子背散射(PBS)分析表明,两样品中的D分布趋势一致,证明了Ti中H、D的分布互不干涉,样品制备过程其同位素效应不明显的结论。
丁伟施立群龙兴贵
关键词:氢同位素
贮氢金属中氢同位素的离子束分析方法评估被引量:2
2006年
文章介绍用离子束方法分析贮氢金属中氢同位素含量与分布的实验条件与设计,并分析各自的优、缺点。通过实验测量与分析表明,用离子束分析方法可获得氢同位素含量与分布的丰富信息和精确数值。用6.0MeV的O离子束进行ERD分析的优点是截面为卢瑟福截面,所用的Mylar膜薄,能使H、D、T明显分开,测量精确,缺点则是对样品制备要求高,分析深度小;用7.4MeV的。He离子束进行ERD分析能得到H、D、T的分布信息,对Ti的分析深度可达到3.0Fm,缺点则是三者的谱图相互重叠,模拟解谱的误差较大;用3.0MeV的质子进行PBS分析,只能获得D、T的分布信息,但分析深度更深。
丁伟施立群龙兴贵
关键词:氢同位素
多种β射线阻挡层及X射线产额精度对BIXS技术的影响被引量:3
2016年
氚分析在聚变堆与核技术的研究中有着广泛的应用。BIXS技术(β衰变诱发X射线谱技术)是一项无损的氚分析技术,该技术的分析深度对于高原子序数的材料能达到100μm,对低原子序数的材料能达到1 mm。在BIXS技术中,采用金属薄膜作为β射线阻挡层具有排除极化韧致辐射干扰、减少探测器信号堆积等优点。为了研究多种β射线阻挡层材料对BIXS技术的影响,利用Monte Carlo方法 PENELOPE并行模拟程序分别模拟了采用Al、Au金属薄膜和Ar气作为β射线阻挡层的BIXS技术,并使用GENEREG反演程序对模拟结果进行反演计算及比较。还讨论了韧致辐射与特征X射线产额计算精度、韧致辐射谱倾斜对BIXS技术的影响。研究表明Al金属薄膜最适合用作BIXS技术的β射线阻挡层。
黄郁旋毛莉丁伟安竹
共4页<1234>
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