黄政仁
- 作品数：596 被引量：638H指数：13
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 一种反应烧结C<Sub>f</Sub>/SiC复合材料和同步反应连接的方法
- 本发明涉及一种反应烧结C<Sub>f</Sub>/SiC复合材料和同步反应连接的方法，包括：将碳的前驱体浆料涂覆在至少两个C<Sub>f</Sub>/C多孔前驱体待连接件的连接面之间、经固化形成多孔碳基连接层，得到预连接...
- 黄政仁吴西士朱云洲殷杰姚秀敏刘泽华陈健刘岩
- 文献传递
- 高能激光系统用常压烧结碳化硅反射镜及其制备方法
- 本发明涉及高能激光系统用常压烧结碳化硅反射镜及其制备方法，属于高能激光领域。其特征在于采用常压烧结的碳化硅材料来制备水冷式碳化硅反射镜。包括微通道的制备、超薄底板和基板的制备与连接、镜面的高致密低应力表面改性、低吸收高反...
- 黄政仁刘学建陈忠明杨勇刘桂玲刘岩袁明陈健江东亮
- 一种水基流延成型制备ZrB2/SiC复合陶瓷膜片的方法
- 本发明涉及一种水基流延成型制备二硼化锆/碳化硅复合陶瓷膜片的方法，其特征在于采用水作为流延工艺中的唯一溶剂，依次往含有分散剂的水溶液中加入二硼化锆与碳化硅粉体，球磨混合后制得二硼化锆和碳化硅共分散浆料，以聚丙烯酸酯乳液作...
- 吕志翚江东亮张景贤林庆玲黄政仁
- 一种高热导液相烧结碳化硅陶瓷及其制备方法
- 本发明涉及一种高热导液相烧结碳化硅陶瓷及其制备方法，包括：将SiC粉体、稀土氧化物和溶剂混合，制备得到浆料，所述稀土氧化物为CeO<Sub>2</Sub>、Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Er<Su...
- 姚秀敏张辉杨晓刘学建黄政仁
- Na_2O-B_2O_3-SiO_2玻璃焊料连接碳化硅陶瓷接口抗热震性能被引量：4
- 2012年
- 采用水淬法对以Na2O-B2O3-SiO2体系玻璃焊料连接的常压烧结碳化硅试条的抗热震性能进行了研究.对不同温度下淬火后接口以及断面处微观结构进行了比较与分析,并对比了不同淬火温度以及固定淬火温度为150℃时多次热循环后连接试条的残余弯曲强度.结果表明,对于单次淬火,当淬火温度为150℃时,由于热应力引起中间层内部微裂纹扩展,导致残余弯曲强度迅速降低到（152±28）MPa.淬火温度在150℃~320℃时,中间层内部裂纹保持在亚临界状态,相应弯曲强度基本保持在140 MPa.继续升高淬火温度至420℃时,裂纹进一步扩展,试条残余弯曲强度迅速降低至（32±8）MPa.对于多次热循环,当淬火温度固定在150℃时,经多次热循环,残余弯曲强度与热循环次数变化不明显,基本保持在120 MPa左右,这说明在150℃以下淬火,连接试条具有较好的抗热循环冲击性能.
- 罗朝华江东亮张景贤林庆玲陈忠明黄政仁
- 关键词：热震性接口
- 一种碳化硅热交换管烧结用石墨窑具
- 本实用新型提供了一种碳化硅热交换管烧结用石墨窑具，该石墨窑具是由单层为拼接结构的石墨槽板堆积而成的多层石墨窑具；每层所述拼接结构包括相互拼接在一起的多个石墨槽板；在每层所述拼接结构中，由连接块通过紧固构件将相邻两块石墨槽...
- 张玉强黄政仁刘学建陈忠明
- 文献传递
- 通过凝胶注模成型和无压烧结制备碳化硅陶瓷被引量：16
- 2012年
- 以四甲基氢氧化铵为分散剂,糊精为碳源,通过静电稳定作用,制备了高固相含量、分散良好的碳化硅陶瓷浆料。以水溶性N,N–二甲基丙烯酰胺为单体,N,N’–亚甲基双丙烯酰胺为交联剂,采用实验室开发的偶氮[2–(2–咪唑啉–2–基)]丙烷HCl引发体系,在45～50℃引发单体聚合,制备出水基凝胶注模碳化硅素坯,素坯的相对密度达58%,抗弯强度大于40MPa。进一步通过无压烧结制备相对密度高于98%,硬度达28GPa,强度达530 MPa的SiC陶瓷。对素坯和SiC陶瓷的微结构和力学性能进行了测试和表征。结果表明:采用糊精作为碳源可以提高凝胶注模浆料的分散性,避免凝胶过程中的碳阻聚问题,有利于制备出高性能的碳化硅陶瓷材料。
- 张景贤江东亮林庆玲陈忠明黄政仁
- 关键词：凝胶注模成型碳化硅浆料无压烧结
- 采用液相烧结制备以氧化锆为增韧相的碳化硅陶瓷的方法
- 本发明涉及一种采用液相烧结制备以氧化锆为增韧相的碳化硅陶瓷的方法，所述方法包括：1）将含有SiC粉体、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体、Y<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体和...
- 梁汉琴黄政仁刘学建姚秀敏
- 文献传递
- 碳化硅晶须补强莫来石复合材料的SPS烧结致密化研究被引量：24
- 2001年
- 采用SPS工艺制备了SiC晶须增强莫来石基复合材料。SEM分析结果表明 ,SiC晶须在莫来石基体中分布均匀 ,看不到晶须团聚 ,晶粒中可看到由于快速烧结而导致的微气孔残留 ;晶须的拔出、解离非常明显 ,是主要的晶须增韧机制。SiC晶须的取向 ,在热压烧结条件下呈各向异性。在不同方向的裂纹扩展、亦即材料的断裂韧性 ,也表现出明显的各向异性。采用 3 0vol%SiC晶须增强莫来石 ,SPS烧结条件下材料强度比热压高 10 %左右 ,为 5 70MPa ,KIC为 4.5MPa .m1/ 2 ,比纯莫来石提高 10 0 %以上。同HP法烧结相比 。
- 黄政仁沈志坚凌律巍谭寿洪Mats Nygren江东亮
- 关键词：碳化硅晶须补强烧结致密化陶瓷材料
- 凝胶注模成型工艺制备碳化硅反射镜素坯的方法
- 本发明提出采用凝胶注模成型工艺低成本制备高性能、复杂形状碳化硅反射镜素坯。主要通过控制凝胶注模工艺配方以及工艺过程中的关键因素，制备出具有复杂形状的碳化硅素坯。引入聚乙二醇(PEG)来消除素坯中的应力，防止烧结过程中的变...
- 张景贤江东亮林庆玲陈忠明刘学建黄政仁
