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韩根全

作品数：130 被引量：15H指数：3
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 114篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 48篇电子电信
  • 7篇理学
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 44篇晶体管
  • 37篇铁电
  • 26篇场效应
  • 25篇电极
  • 25篇场效应晶体管
  • 20篇电路
  • 19篇集成电路
  • 18篇击穿电压
  • 17篇氧化镓
  • 15篇光电
  • 14篇异质结
  • 14篇掺杂
  • 13篇探测器
  • 13篇沟道
  • 13篇半导体
  • 11篇电场
  • 11篇肖特基
  • 11篇SUB
  • 10篇极区
  • 9篇隧穿

机构

  • 121篇西安电子科技...
  • 12篇中国科学院
  • 2篇北京大学
  • 2篇东南大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇厦门大学
  • 1篇重庆大学
  • 1篇松山湖材料实...
  • 1篇之江实验室

作者

  • 130篇韩根全
  • 98篇郝跃
  • 58篇刘艳
  • 31篇张春福
  • 26篇周久人
  • 23篇张进成
  • 20篇张进城
  • 19篇冯倩
  • 18篇彭悦
  • 16篇汪银花
  • 12篇李翔
  • 12篇王轶博
  • 7篇余金中
  • 7篇曾玉刚
  • 6篇刘欢
  • 5篇刘宁
  • 3篇成步文
  • 2篇于飞
  • 2篇张国庆
  • 2篇王树龙

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇中国科学：物...
  • 2篇中国科学：信...
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理
  • 1篇光子学报
  • 1篇真空
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇微纳电子与智...

年份

  • 10篇2024
  • 21篇2023
  • 21篇2022
  • 12篇2021
  • 4篇2020
  • 12篇2019
  • 6篇2018
  • 14篇2017
  • 14篇2016
  • 7篇2015
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 130 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于铁电掺杂的隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种基于铁电掺杂的隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件杂质浓度不均匀，开关电流比与亚阈值摆幅大及功耗高的问题。其包括：衬底(1)、氧化层(2)和沟道层(3)，沟道层两侧分别是漏极(11)和源极(12...
刘艳闫钦元周久人韩根全郝跃
文献传递
一种基于铁电肖特基隧穿结的半导体结构及其制备方法
本发明涉及一种基于铁电肖特基隧穿结的半导体结构，包括：衬底；第一隔离层，设置在所述衬底的上表面；沟道层，所述沟道层设置在所述第一隔离层的上表面，包括本征区和掺杂区，所述掺杂区的上表面与所述沟道层的上表面齐平；第一电极层，...
刘艳周久人闫钦元冯雯静郑思颖韩根全郝跃
横向GeSn/SiGeSn量子阱光电发光器件及其制备方法
本发明公开了一种横向GeSn/SiGeSn量子阱发光器件，主要解决现有红外发光器件材料毒性大，成本高的问题。其包括：衬底(1)、量子阱(2)、势垒层(3)、N型电极(4)和P型电极(5)。量子阱采用Sn组分为[0,0.3...
韩根全张春福周久人张进城郝跃
文献传递
基于铁电掺杂的负电容场效应晶体管
本发明公开了一种基于铁电掺杂的负电容场效应晶体管，主要解决现有器件亚阈值摆幅高及化学掺杂不稳定的问题。其自下而上包括衬底(1)、沟道(2)、栅极绝缘介质层(9)、栅极铁电层(10)、栅极金属电极(11)，沟道两侧为源区(...
刘艳姜昊周久人韩根全郝跃
文献传递
锗与锗锡量子阱高迁移率沟道MOSFET和Beyond CMOS器件
韩根全郝跃
一种激光剥离氧化镓的方法
本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开一种激光剥离氧化镓的方法。本发明通过向氧化镓内部照射具有预定波长的超短脉冲激光，使激光聚焦在距离表面特定厚度的位置发生双光子吸收过程，该过程产生的高温引起氧化镓热分解，从而达到剥...
韩根全贾晓乐
一种异质集成图形化氧化镓及其制备方法
本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开一种异质集成图形化氧化镓及其制备方法。本发明的制备方法中，首先对待键合氧化镓单晶进行图形化处理，再对图形化氧化镓单晶进行元素注入；然后将完成元素注入的氧化镓单晶与异质衬底单晶键合...
韩根全贾晓乐
基于HfO<Sub>2</Sub>-ZrO<Sub>2</Sub>超晶格铁电栅介质的晶体管及其制备方法
本发明属于电子技术领域，公开了一种基于HfO<Sub>2</Sub>‑ZrO<Sub>2</Sub>超晶格铁电栅介质的晶体管及其制备方法，该晶体管包括：底电极、超晶格铁电栅介质层、金属氧化物沟道、源极、漏极、绝缘电介质薄...
彭悦韩根全马煜肖文武刘艳郝跃
文献传递
基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>材料的光电晶体管及其制作方法
本发明公开了一种基于CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>材料的光电晶体管及其制作方法。主要解决现有硅材料光电二极管、光电三极管在探测可见光时容易受到红外波段光线干扰的缺点...
韩根全张春福胡毓聪孙旭郝跃
文献传递
超结横向氧化镓紫外探测器及其应用
本发明提出了超结横向氧化镓紫外探测器及其应用，包括衬底；氧化镓层，位于衬底上表面；氧化镍层，周期性嵌入于氧化镓层，形成异质结；阳极电极，位于氧化镓层其中一端以及氧化镓层的上表面，阴极电极，位于氧化镓层剩余一端以及氧化镓层...
李晓茜吴志帆方媛方慈浙刘艳韩根全
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