韩志刚 作品数:4 被引量:1 H指数:1 供职机构: 中国电子科技集团公司第十八研究所 更多>> 相关领域: 电气工程 航空宇航科学技术 更多>>
空间太阳电池阵用ITO玻璃盖片工艺探索 2018年 ITO薄膜即铟锡氧化物(Indium Tin Oxides)半导体透明导电膜,有良好的导电性,高的透过率,并且具有很高的可靠性,可应用于航天领域电磁监测卫星的太阳电池板上以控制其表面电位。针对航天器太阳电池阵用ITO薄膜的真空蒸镀法制备进行工艺优化,通过选用合适的蒸镀速率和退火条件得到具有较低电阻率、较高透过率并且与空间用三结砷化镓太阳电池相匹配的ITO盖片产品。 黄稼 王鑫 杜永超 铁剑锐 铁剑锐关键词:透过率 导电性 空间用新型太阳电池抗辐照特性 为了满足航天器电源系统对太阳电池的不同要求,研制多种性能和多种结构的新型太阳电池是十分必要的.本文研制了GaAs(砷化镓)太阳电池、薄型BSFR硅太阳电池、绒面薄型BSFR硅太阳电池等新型空间用太阳电池,并将这些太阳电池... 杜永超 刘春明 韩志刚 刘汉英 秦美蓉 王景霄关键词:航天器 砷化镓 文献传递 边缘湿法刻蚀GaInP/GaAs/Ge太阳电池研究 被引量:1 2020年 介绍了一种边缘湿法刻蚀工艺制备GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池的技术,因刻蚀形成的划切槽界面光滑程度远高于砂轮划切界面,有效降低了复合中心的密度,从而提升了太阳电池的光电转换性能。通过一种含溴的水溶液一次性刻蚀替代了传统的不同溶液交替刻蚀相应Ⅲ-Ⅴ族材料,显微镜下,含溴水溶液工艺获得的划切槽明显优于交替溶液刻蚀形成的划切槽;通过一次性湿法刻蚀、两次套刻和真空蒸镀工艺制作的具有划切槽太阳电池AMO下光电转换效率达到29.13%,高于无划切槽工艺制作的GalnP/GaAs/Ge电池效率。 许军 铁剑锐 赵拓 韩志刚关键词:湿法刻蚀 套刻 降低空间用织构化硅太阳电池吸收系数的研究 本文提出了降低空间用织构化硅太阳电池的吸收系数的一种有效方法。利用等离子源辅助蒸镀的光学镀膜系统制备的带通滤光器,能够增加可见光的透射,同时将无用的紫外和红外光在具进入织构化硅太阳电池前反射掉,使得电池的短路电流增加的同... 刘汉英 肖志斌 王景霄 刘春明 韩志刚 杜永超关键词:织构化