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陈道伦

作品数：7 被引量：19H指数：3
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇一般工业技术
  • 4篇理学

主题

  • 3篇位错
  • 2篇扫描电镜
  • 2篇双相
  • 2篇双相钢
  • 2篇铜单晶
  • 2篇铜单晶体
  • 2篇位错结构
  • 2篇ECC
  • 1篇单晶
  • 1篇形变
  • 1篇循环形变
  • 1篇疲劳断口
  • 1篇位错组态
  • 1篇小角度晶界
  • 1篇门槛
  • 1篇门槛值
  • 1篇晶界
  • 1篇分形
  • 1篇FRACTA...

机构

  • 7篇中国科学院金...

作者

  • 7篇陈道伦
  • 5篇王中光
  • 3篇苏会和
  • 2篇艾素华
  • 1篇李广义
  • 1篇李小武
  • 1篇田继丰
  • 1篇姜晓霞
  • 1篇师昌绪
  • 1篇黄兆宏
  • 1篇张哲峰
  • 1篇胡运明
  • 1篇宫波

传媒

  • 1篇金属学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇材料科学进展

年份

  • 2篇1998
  • 2篇1997
  • 3篇1989
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
双相钢门槛值附近疲劳裂纹的扩展行为
陈道伦
小角度晶界铜晶体的循环形变及饱和位错组态ECC观察被引量：1
1998年
通过对具有小角度晶界的铜晶体进行循环变形，发现其循环饱和切应力在塑性切应变范围０．６—４．７×１０－３内基本不变（约为３０ＭＰａ）。采用电子通道衬度（ＥＣＣ）技术观察了其循环饱和时晶内、晶界及形变带附近的位错组态，发现在低应变幅下（γｐ１＝０．６×１０－３）晶内为驻留滑移带及脉络两相结构。随应变幅升高（γｐ１＞１．７×１０－３）驻留滑移带逐渐增多，最后形成规则的位错墙结构，并且位错墙连续穿过小角度晶界，在局部区域还发现小角度晶界两侧出现无位错区（ＤＦＺ）；
张哲峰李小武苏会和陈道伦李广义王中光
关键词：位错组态
直接观察位错结构的扫描电镜电子通道衬度技术被引量：4
1997年
介绍了扫描电镜（SEM）电子通道衬度（ECC）技术．该技术可以很好地观察材料中位借结构，用这种技术观察受循环载荷作用的铜单晶中的典型位错结构，与常规的TEM方法观察结果基本一致．
胡运明陈道伦苏会和王中光
关键词：扫描电镜铜单晶体位错结构
用扫描电镜直接观察变形材料中的位错结构──[001]取向铜单晶疲劳位错结构的研究被引量：2
1997年
用扫描电镜（SEM）的电了通道讨度（ECC）技术研究了[001]取向铜单晶中的疲劳位错结构结果表明，SEMECC技术不仅可以真实地、全面地显示疲劳位错组态，而且还揭示了表面出现的宏观形变带与位错结构的对应关系.
宫波陈道伦苏会和王中光
关键词：扫描电镜铜单晶体位错结构ECC
分形(Fractal)及其在材料科学中的应用被引量：9
1989年
本文简要介绍了近年来出现的一门应用数学分支——分形几何,评述了国内外到目前为止有关分形在材料科学,特别是材料断裂研究中的应用。
陈道伦
疲劳裂纹扩展门槛与断口定量研究
王中光陈道伦田继丰黄兆宏艾素华
金属的疲劳是一个工程背景很强的传统学科领域，目前已发展成为材料科学与工程中一个具有学科交叉性质的分支学科。疲劳裂纹扩展门槛的发现已30多年，它是表征材料抵抗疲劳裂纹扩展组力的参量，具有重要的工程与理论意义。该项目根据断口...
关键词：
双相钢疲劳断口的分形分析被引量：5
1989年
本文研究了双相钢疲劳门槛值与门槛值附近断口形貌和分形维数的关系。初步实验结果表明:分形维数基本上能反映断口粗糙度。发现门槛值随分形维数呈线性变化,门槛值、分形维数和粗糙度都随马氏体含量呈抛物线型变化。
陈道伦王中光姜晓霞艾素华师昌绪
关键词：双相钢疲劳断口
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