陈家荣
- 作品数：19 被引量：3H指数：1
- 供职机构：贵州民族大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省科学技术基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信机械工程更多>>
- 一种磷掺杂增强硅纳米晶发光强度的方法
- 本发明提出了一种磷掺杂增强硅纳米晶发光强度的方法，将磷量子点滴涂在衬底上，通过真空干燥除去溶液中的溶剂，通过热蒸发方法将SiO、Si交替沉积到含有磷的衬底上，将制备好的含磷SiO/Si多层薄膜放入退火炉中，在惰性气氛下退...
- 罗英陈家荣
- 一种高性能锡酸锌气体传感器的制备方法
- 一种高性能锡酸锌气体传感器的制备方法，它涉及锡酸锌气体传感器的制备方法。本发明要解决现有锡酸锌气体传感器对于乙醇的检测存在灵敏度不足、响应恢复时间长和稳定性差的问题。方法：一、将结晶四氯化锡、乙酸锌、氢氧化钠及硝酸铷加入...
- 陈家荣王一博陈铖
- 提高含硅纳米晶LED亮度的方法研究
- 2015年
- 阻碍硅纳米晶LED器件在光电集成电路中的广泛应用的关键问题在于硅纳米晶电致发光强度较低。本文主要采用真空反应蒸发法和高温相分离方法来制备硅纳米晶样品,然后研究改变Si-nc浓度、改变衬底材料的电阻率、降低Si-nc与不同基体(SiO2、Si3N4)之间的界面势垒、场效应、电致表面等离子体等方法对硅纳米晶电致发光强度的影响。
- 陈家荣张羽
- 关键词：硅纳米晶
- 一种硅基LED及其制备方法
- 本发明涉及一种硅基LED的制备方法，包括以下步骤:在硅衬底的抛光一侧表面设置一层银膜，对所述硅衬底进行腐蚀，得到表面粗糙的硅基衬底；在所述硅基衬底表面设置一层硅纳米晶薄膜；在所述硅纳米晶薄膜远离所述硅基衬底的一侧设置一层...
- 陈家荣彭麦菊龙标吴凯生
- 文献传递
- 非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展被引量：1
- 2017年
- 薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能。近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域。综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望。
- 岳兰任达森罗胜耘陈家荣
- 场效应增强硅纳米晶电致发光强度的研究
- 2015年
- 实用的硅光源器件在硅光电子器件中起着非常重要的作用。但由于Si是间接带隙半导体材料,基本上无发光,当Si的尺寸减小到纳米量级时,存在着发光,Si-nc的光致发光强度较强,但其电致发光强度较弱,该研究采用在器件中加入场效应层的方法 来提高硅纳米晶中的电子传输效率,从而提高了硅纳米晶的电致发光强度。本研究在p型硅衬底上制备三种不同结构的样品,从而引入场效应,比较不同样品之间的EL强度,得出场效应方法 增强硅纳米晶电致发光的强度。
- 陈家荣张羽
- 关键词：硅纳米晶场效应电致发光
- 一种场效应增强硅基LED电致发光强度的方法及应用
- 本发明属于LED技术领域，具体涉及一种场效应增强硅基LED电致发光强度的方法及应用。该方法通过将最佳厚度的场效应层i‑Si和Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>加入到硅基LED器件中，提高硅光源电荷注入...
- 陈家荣张羽任达森
- 文献传递
- 一种球磨法快速制备高亮度黑磷量子点的制备方法及黑磷量子点
- 本发明公开了一种一次球磨法快速制备高亮度黑磷量子点的制备方法及黑磷量子点，按照如下步骤制备：1)称取红磷和氧化锆珠，混合后放入密封罐中，在氩气保护下封口，球磨得到黑磷粉末；2)将上述球磨完成后得到的黑磷粉末分散在N‑甲基...
- 赵金铭陈家荣任达森
- 文献传递
- 一种磷掺杂增强硅纳米晶发光强度的方法
- 本发明提出了一种磷掺杂增强硅纳米晶发光强度的方法，将磷量子点滴涂在衬底上，通过真空干燥除去溶液中的溶剂，通过热蒸发方法将SiO、Si交替沉积到含有磷的衬底上，将制备好的含磷SiO/Si多层薄膜放入退火炉中，在惰性气氛下退...
- 罗英陈家荣
- 平行板反应离子刻蚀系统均匀磁场的数值计算
- 2010年
- 在平行板反应离子刻蚀系统的圆筒形腔体的侧壁上绕上电流线圈后,系统中的磁场强度和均匀性都可进行调节。本文根据螺线管线圈内部磁场的分布规律,通过数值计算的方法在该系统中获得均匀的磁场。
- 陈家荣王玉琦
- 关键词：反应离子刻蚀磁场
