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陈信琦

作品数:27 被引量:24H指数:3
供职机构:中国电子科技集团公司第四十九研究所更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电气工程电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 8篇会议论文
  • 7篇期刊文章
  • 2篇科技成果

领域

  • 13篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 23篇感器
  • 23篇传感
  • 23篇传感器
  • 6篇压力传感器
  • 6篇力传感器
  • 6篇差压
  • 4篇芯片
  • 4篇硅电容
  • 4篇传感器芯片
  • 3篇电容
  • 3篇力敏传感器
  • 3篇敏感元件
  • 3篇开关
  • 3篇扩散硅
  • 3篇封装
  • 3篇
  • 3篇MEMS
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇电桥

机构

  • 21篇沈阳仪表科学...
  • 3篇沈阳仪器仪表...
  • 1篇吉林大学
  • 1篇吉林广播电视...
  • 1篇沈阳工业大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 27篇陈信琦
  • 10篇孙海玮
  • 8篇刘沁
  • 8篇张治国
  • 7篇唐慧
  • 6篇刘宏伟
  • 4篇祝永峰
  • 4篇刘波
  • 4篇徐淑霞
  • 3篇匡石
  • 3篇李长春
  • 3篇郭丽娟
  • 2篇张纯棣
  • 2篇于振毅
  • 2篇李妍君
  • 2篇郑东明
  • 2篇叶挺
  • 2篇李颖
  • 2篇林洪
  • 2篇牛军

传媒

  • 4篇仪表技术与传...
  • 2篇第九届全国敏...
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国电子科学...
  • 1篇第八届敏感元...
  • 1篇中国仪器仪表...
  • 1篇第十届全国敏...
  • 1篇中国科协20...
  • 1篇第二届全国敏...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 4篇2006
  • 7篇2005
  • 3篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇1999
  • 1篇1991
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高对称性小型高差压传感器
高对称性小型高差压传感器,包括壳体23上部的电磁兼容器21、接插件25,将外壳23焊于底座9上,其特征在于:壳体23内是将两个相同的绝压式双芯体扩散硅芯片11与各自的转换件14焊接一起,对称置于底座9上,被测管27的接口...
孙海玮陈信琦牛军刘宏伟徐淑霞郭丽娟刘沁刘波
文献传递
扩散硅压力传感器在压力计量中的应用
上官锋陈信琦张卫
关键词:压力传感器扩散
电容式硅加速度传感器的研制
研制了一种电容式硅加速度传感器。敏感器件采用先进的微机械加工工艺,有效地提高了加工精度, 降低成本,减小体积和重量。给出了该器件的结构和工艺设计,给出了中心极板和固定极板的加工工艺流程。研制的传感器具有一定的实用性,并已...
张治国陈信琦李颖唐慧
关键词:硅电容MEMS
小型高精度差压传感器
本文介绍了一种双绝压敏感芯体配对的差压传感器,它是利用硅压阻原理测量气体或液体的压力差,不仅精度高,而且体积小.传感器利用信号处理电路将压差信号转换成标准电信号输出.
郭丽娟陈信琦孙海玮
关键词:传感器差压信号处理电路
文献传递
小型差压传感器高过载结构的设计研究
本文介绍一种体积小、测量范围广、可靠性好、带有过载保护四膜片结构的差压传感器.这种差压传感器外形尺寸为:φ56×36mm;测量范围:1kPa~400kPa;静压或单向耐压:16MPa;工作温区:-30℃~80℃;精度:0...
孙海玮陈信琦刘宏伟
关键词:差压膜片传感器
文献传递
硅电容压力敏感器件封装结构
硅电容压力敏感器件封装结构,包括基座、引压管,其特征在于基座内中段相对设置两个挡块,硅电容芯片置于一挡块与填充陶瓷块之间,引线座位于基座一端、引压导管位于基座另一端,各件均焊接在基座上成一体。本结构设计的积极效果是:硅电...
孙海玮张治国刘沁陈信琦
文献传递
力敏传感器专用工艺装备研究
'力敏传感器专用工装设备'研究是国家关于'传感器产业化技术'研究的重大项目之一,是研制、开发和生产高性能传感器的技术保障.其工艺水平的高低直接决定传感器产品的性能和质量.本文从攻关解决的关键技术、创新点、技术水平及对我国...
刘沁陈信琦叶挺
关键词:力敏传感器
文献传递
高温压力传感器
高温压力传感器,包括SIMOX/SDB结构硅单晶片和封装结构,其特征是双面抛光的硅单晶片的正面加工形成P型电阻桥、以及与电阻桥相连的耐高温复合电极,在硅单晶片的背面与正面电桥相对应的区域加工出规定量程所要求厚度的硅敏感膜...
唐慧陈信琦祝永峰李长春
文献传递
基于硅MEMS敏感结构的光学检测声传感器被引量:2
2011年
介绍了一种基于硅基MEMS敏感结构的光学式声传感器,对其工作原理及设计进行了分析与研究,尤其是对感声膜结构,提出将波纹结构引入到传统硅基平膜芯片中,利用MEMS技术制作具有低应力波纹结构的感声薄膜芯片,并制作传感器样品。经样品测试,灵敏度达30 mV/Pa。
王伟栾剑史鑫陈信琦
关键词:MEMS光学检测声传感器灵敏度
多功能扩散硅压力传感器
多功能扩散硅压力传感器,以硅敏感芯片7为基底,在其正面两个惠斯登电桥1、2和一个感温电阻3,其特征在于:在芯片7的背面、与其正面两个惠斯登电桥相对应的位置为敏感膜片4、敏感膜片5,与玻璃8上面相对、玻璃8下面与导压管9相...
唐慧张治国陈信琦郑东明刘宏伟孙海玮
文献传递
共3页<123>
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