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钮浪

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇衬底
  • 4篇半导体
  • 3篇晶格
  • 3篇晶格失配
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇半导体材料
  • 2篇外延生长法
  • 2篇空气桥
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇化合物半导体...
  • 2篇硅衬底
  • 2篇硅基
  • 2篇分子束外延生...
  • 2篇SOI衬底
  • 2篇ALN
  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化物半导体
  • 1篇氮化物半导体...
  • 1篇导体

机构

  • 7篇清华大学

作者

  • 7篇郝智彪
  • 7篇汪莱
  • 7篇罗毅
  • 7篇钮浪
  • 7篇胡健楠

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
硅衬底上无微裂稀反极性畴AlN薄膜的分子束外延研究
胡健楠钮浪胡懿彬鄂炎雄郝智彪汪莱罗毅
SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法
本发明公开了一种SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法，该方法包括步骤：S1在SOI衬底的表面硅层上制作微纳结构器件图形；S2利用选择性腐蚀液去除表面硅层图形下方的二氧化硅，形成空气桥图形结构；S3在所述形成空气桥图形...
郝智彪钮浪胡健楠汪莱罗毅
文献传递
铝插入层对硅基AlN外延特性的影响
2012年
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延层的晶体质量,而且引入Al预扩散机制可消除外延表面的孔隙。同时,采用AlN插入层预扩散有利于获得Al极性的AlN,否则倾向于获得N极性的AlN。
胡懿彬郝智彪胡健楠钮浪汪莱罗毅
关键词：ALNSI衬底
SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法
本发明公开了一种SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法，该方法包括步骤：S1在SOI衬底的表面硅层上制作微纳结构器件图形；S2利用选择性腐蚀液去除表面硅层图形下方的二氧化硅，形成空气桥图形结构；S3在所述形成空气桥图形...
郝智彪钮浪胡健楠汪莱罗毅
文献传递
MBE生长硅基AlN的极性控制及材料特性研究
由于氮化物半导体材料在电子以及光电子器件的广泛应用,硅衬底上外延Ⅲ族氮化物半导体越来越引起学术界和产业界的重视.由于硅衬底本身是非极性的,在硅衬底上外延氮化物半导体的极性问题成为研究的重点之一.本文主要研究了分子束外延(...
钮浪胡健楠鄂炎雄郝智彪汪莱罗毅
关键词：半导体分子束外延生长性能分析
文献传递
一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法
本发明涉及一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法，首先在硅衬底表面形成晶态Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>层；然后通入铝源将晶态Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>层...
郝智彪胡健楠钮浪汪莱罗毅
文献传递
分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究被引量：1
2012年
报道了分子束外延生长的绿光波段InGaN/AlN量子点材料,并综合考虑InGaN量子点的应变弛豫,以及应力和量子限制斯塔克效应对量子点发光波长的影响,提出了一种结合反射式高能电子衍射原位测量与光致荧光测量确定InGaN量子点组分的方法.
胡懿彬郝智彪胡健楠钮浪汪莱罗毅
关键词：INGAN量子点
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