郭富胜
- 作品数：5 被引量：18H指数：3
- 供职机构：重庆大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- ZnO纳米材料及掺杂ZnO材料的最新研究进展被引量：10
- 2007年
- 作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,ZnO具有优良的光学和电学性能。目前国际上除纳米线外,ZnO纳米带、纳米棒、纳米阵列、纳米弹簧、纳米环已合成出来,并有广泛的应用前景。在ZnO中掺入Mg、Co等元素可以实现带隙调节,有望开发出紫外、绿光、特别是蓝光等多种发光器件。稀磁半导体材料更是当今研究的热点。结合国内外的研究现状,分别介绍了有关ZnO纳米新材料、掺杂非磁性元素和磁性元素的ZnO材料的最新研究进展。
- 赵铧李韦刘高斌熊稳王伟郭富胜
- 关键词：氧化锌纳米材料
- 界面效应对弱受限球形量子点异质结内电子能级的影响
- 2008年
- 采用球壳结构和渐变有限深谐振子势阱模型,分析了界面效应对弱受限半导体量子点异质结的束缚态电子基态能级的扰动情况。计算表明,对于处于弱受限的量子点,异质结厚度在30 nm内界面效应明显。当异质结壳层厚度进而增大的时候界面效应的影响将逐渐减弱,受扰动的基态能级间隔逐渐减小,到最后各基态能简并为某一固定值。
- 郭富胜赵铧朱孟兆李韦
- 关键词：量子点异质结
- 量子点异质结中类氢杂质电子束缚能级的计算被引量：3
- 2007年
- 采用球壳结构和渐变有限深谐振子势阱模型,利用镜像电荷的方法分析了不同介电常数下,界面效应对半导体量子点异质结中类氢杂质电子束缚能级的扰动情况。通过计算考虑到杂质对电子的束缚作用前后的电子的基态能,可以看出对于处在弱受限情况下的量子点,异质结厚度在小于10 nm时,界面效应对类氢杂质电子束缚能级的影响明显.当异质结壳层厚度增大的时候,界面效应的影响将逐渐减弱,受扰动的基态能也逐渐减小,最后不同Airy函数零点值所对应的基态能趋向于某一固定值,此时界面效应可以忽略.
- 郭富胜赵铧朱孟兆李韦
- 关键词：光电子学
- 污秽绝缘沿面直流放电流注特性及电弧发展的能量平衡模型研究
- 污秽绝缘沿面放电涉及光、热和电等多学科领域，长期以来受到试验研究手段的制约，因此对于污秽沿面放电过程中局部电弧形成和发展的微观机制研究进展较为缓慢。与此同时，随着我国大容量、远距离特高压交直流输变电技术的大力发展，对电网...
- 郭富胜
- 关键词：局部电弧
- 类氢杂质量子点中激子性质的研究
- 近年来，低维系统的研究被人们广泛的关注，特别是在二维系统中发现了诸如量子 hall效应等现象以后。低维系统中一些新的物理性质使人们不论在理论上还是在试验上都面临新的挑战。随着现代科学技术的发展，使得制造出在三维方向都受限...
- 郭富胜
- 关键词：类氢杂质量子点
