郑浩
- 作品数：27 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程重要方向项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- ZnO金属肖特基接触的制备方法及其在紫外探测器中的应用
- 本发明公开了一种利用MBE低温生长法在ZnO单晶薄膜表面原位制备金属薄膜电极而形成肖特基接触的方法，尤其是超高真空原位沉积金属导电薄膜的方法。其步骤为：利用超高真空传样系统，将MBE生长室制备好的ZnO单晶薄膜样品直接经...
- 张天冲梅增霞郑浩杜小龙薛其坤罗强顾长志
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- LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长
- 利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)法,我们在LSAT(111)衬底上制备ZnO单晶薄膜.对比研究了O等离子体预处理以及金属Zn薄层预沉积等不同衬底预处理工艺对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的...
- 英敏菊杜小龙梅增霞曾兆权周忠堂郑浩袁洪涛周均铭贾金锋薛其坤
- 关键词：分子束外延生长
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- 含三种掺杂剂的p型氧化锌薄膜及其制造方法
- 本发明公开了一种含三种掺杂剂的p型氧化锌薄膜及其制造方法，在含锂衬底上依次包括ZnO缓冲层、ZnO外延层和P型ZnO三元共掺层，其中，三元共掺层所包含的三种掺杂剂为：锂，和氮，和铝或镓。本发明的有益效果为：在含锂衬底上采...
- 杜小龙薛其坤贾金锋曾兆权袁洪涛英敏菊梅增霞郑浩
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- 一种在铝酸镁衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
- 本发明公开了一种在铝酸镁衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，其步骤为：对铝酸镁(111)衬底表面在低温下进行氧等离子体预处理，形成氧终止的表面；然后在超高真空下，低温沉积金属镁薄层，再升高衬底温度对镁超薄层进行退火处理...
- 杜小龙薛其坤贾金锋曾兆权袁洪涛英敏菊郑浩
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- 一种氧化锌材料的化学刻蚀方法
- 本发明公开了一种氧化锌材料的化学刻蚀方法，该方法包括以下步骤：首先制作氧化锌材料的掩模，然后通过三氯化铁水溶液或含三氯化铁的酸溶液进行刻蚀。上述刻蚀方法中，由于采用三氯化铁溶液作为刻蚀剂，因此可保证刻蚀表面平整，并且只需...
- 郑浩杜小龙薛其坤顾长志
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- 扫描力曲线用于锂离子电池硅负极材料表面膜的研究
- 界面问题一直都是锂电池中热门的研究领域。本文对电解液与电极材料界面膜（solidelectrolyte interphase,SEI）展开研究,SEI膜概念于1979年提出,[1]之后引起了广泛的关注。SEI膜对锂电池能...
- 郑杰允郑浩汪锐李文俊贲留斌卢威陈立桅李泓陈立泉
- LSAT(111)衬底上ZnO单晶薄膜的分子束外延生长
- 2005年
- 利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30°旋转畴,而在较高温度下,可完全消除薄膜中的旋转畴,得到具有单一畴的ZnO单晶薄膜,讨论了旋转畴的起源以及生长温度对于消除旋转畴的作用.锐利的3×3 RHEED图像验证了ZnO薄膜具有O极性.
- 英敏菊杜小龙刘玉资曾兆权梅增霞郑浩袁洪涛贾金锋薛其坤张泽
- 关键词：RF-MBE
- 在(La,Sr)(Al,Ta)O<Sub>3</Sub>上制备ZnO单晶薄膜的方法
- 本发明公开了一种在(La，Sr)(Al，Ta)O<Sub>3</Sub>上制备ZnO单晶薄膜的方法，其步骤为：对LSAT(111)衬底表面进行低温氧等离子体预处理；然后在超高真空及低温下沉积镁超薄层，再升高衬底温度对镁超...
- 杜小龙薛其坤英敏菊梅增霞曾兆权郑浩
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- 在(La,Sr)(Al,Ta)O<Sub>3</Sub>上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
- 本发明公开了一种在(La，Sr)(Al，Ta)O<Sub>3</Sub>上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法，其步骤为：对LSAT(111)衬底表面进行低温氧等离子体预处理；然后在超高真空及低温下沉积镁超薄层，再升高衬底温度...
- 杜小龙薛其坤英敏菊梅增霞曾兆权郑浩
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- 锂在Ti/LiF纳米复合物薄膜中的储存和输运研究
- 锂在材料中的储锂机制包括晶格内的嵌入反应、相转变反应、取代分解反应;有机分子的可逆化学键断裂反应、自由基反应;在表面的吸附反应、欠电位沉积,以及在晶界处的界面储锂[1]。界面储锂现象可以在原位形成的纳米复合物和通过共沉积...
- 郑浩汪锐郑杰允禹习谦孙劲鹏李泓黄学杰
