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赵科新

作品数：20 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 12篇PECVD
  • 7篇氮化
  • 7篇氮化硅
  • 7篇平板
  • 5篇平板式
  • 5篇光伏
  • 4篇覆膜
  • 4篇硅
  • 3篇单腔
  • 3篇电池
  • 3篇镀膜
  • 3篇微电子
  • 3篇膜设备
  • 3篇进气
  • 3篇回水
  • 3篇回水管
  • 3篇硅烷
  • 3篇氨气
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇镀膜设备

机构

  • 20篇中国科学院
  • 1篇东北师范大学

作者

  • 20篇赵科新
  • 16篇赵崇凌
  • 15篇徐宝利
  • 15篇张冬
  • 13篇张健
  • 13篇李士军
  • 13篇洪克超
  • 10篇钟福强
  • 9篇段鑫阳
  • 8篇陆涛
  • 7篇张振厚
  • 5篇高振国
  • 5篇奚建平
  • 5篇崔秀伟
  • 4篇李松
  • 4篇王刚
  • 4篇王学敏
  • 4篇李重茂
  • 4篇郭玉飞
  • 4篇刘兴

传媒

  • 1篇真空

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 6篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2001
  • 1篇1997
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
球形脉冲激光溅射沉积装置
本实用新型涉及激光法制备各类薄膜的设备，具体地说是一种球形脉冲激光溅射沉积装置，球形真空室的圆周表面上设有样品口、靶口及激光口，第一、二激光口的轴线在球形真空室的上视基准面上，且第一激光口的轴线平行于Z轴，第二激光口的轴...
赵科新郭东民赵崇凌张冬王云琴李重茂徐宝利高树爱吕鑫淼赵长存刘传舜冯育强
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一种平板PECVD氮化硅覆膜系统
本实用新型涉及氮化硅(SiNx)薄膜领域，具体为一种平板PECVD氮化硅覆膜系统。该系统设有装载腔I、装载腔II、工艺腔、卸载腔I和卸载腔II，装载腔I、装载腔II、工艺腔、卸载腔I和卸载腔II为模块化的五个腔体，装载腔...
张振厚赵科新赵崇凌李士军张健张冬洪克超段鑫阳徐宝利钟福强陆涛
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一种喷淋头
本实用新型公开了一种喷淋头，该喷淋头包括外屏蔽罩(1)、进气管(3)和法兰(7)，外屏蔽罩(1)安装在法兰(7)外部，进气管(3)与混气板组件(5)连接，混气板组件(5)与法兰(7)连接，混气板组件(5)与法兰(7)之间...
孟凡荣赵科新郭东民赵崇凌王海涛李重茂
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一种磁控溅射系统
本发明涉及镀膜设备，具体地说是一种磁控溅射系统，包括磁控室、基片转台、基片转台驱动电机、传动机构、磁控靶、机台架、真空抽气系统及电动提升机构，磁控室安装在机台架上、与位于机台架内的真空抽气系统相连，在磁控室内均布有多个安...
赵科新佟辉周景玉刘丽华张雪戚晖
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一种平板PECVD氮化硅覆膜系统
本发明涉及氮化硅薄膜领域，具体为一种平板PECVD氮化硅覆膜系统。该系统设有装载腔、工艺腔和卸载腔，装载腔、工艺腔和卸载腔为模块化的三个腔体，装载腔和工艺腔相通，工艺腔和卸载腔相通；装载腔的外侧依次设置装载台和进载台，卸...
张振厚赵科新赵崇凌李士军张健张冬洪克超段鑫阳徐宝利钟福强陆涛
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全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备
本发明涉及薄膜制备装置，尤其是涉及一种单腔室在真空条件下工作的全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜设备，解决现有技术中管式结构的PECVD设备存在的单次生产时间过长、产量低的问题，以及多腔室平板式PECVD设备存...
赵科新奚建平赵崇凌张冬洪克超段鑫阳张健徐宝利李士军高振国崔秀伟
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一种用于PECVD多点进气多区可调装置
本发明属于涉及微电子技术领域，特别涉及一种用于PECVD带有可以提高大面积镀膜均匀性的多点进气多区可调装置。包括排气区体、进水管、回水管、硅烷进气口及氨气进气口，其中进水管、回水管、硅烷进气口及氨气进气口均布置在排气区体...
赵科新赵崇凌李士军张健张冬洪克超徐宝利钟福强陆涛许新王刚刘兴郭玉飞王学敏李松
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一种分子束源炉
本实用新型涉及分子束外延技术,具体地说是一种分子束源炉。由钽筒、坩埚、加热丝、炉座、测温元件及支架组成,其中钽筒为多层结构,最外层钽筒罩坩埚于上炉座内,最内层钽筒无上下底,自上而下分为多段,每两段之间安设一绝缘环于坩埚外...
李重茂谢琪赵科新谢淑珍
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一种全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统
本实用新型涉及光伏电池片薄膜制备装置，具体地说是一种多腔室在真空条件下连续工作的全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统，包括自动传输装载台、预热室、PECVD室、冷却室及自动传输卸载台，其中预热室、PECVD室及冷却...
赵科新赵崇凌李士军洪克超段鑫阳张振厚张冬张健徐宝利钟福强奚建平高振国崔秀伟
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一种平板PECVD氮化硅覆膜的系统
本实用新型涉及氮化硅(SiNx)薄膜领域，具体为一种平板PECVD氮化硅覆膜的系统。该系统设有装载腔I、装载腔II、工艺腔、卸载腔I和卸载腔II，装载腔I、装载腔II、工艺腔、卸载腔I和卸载腔II为模块化的五个腔体，装载...
张振厚赵科新赵崇凌李士军张健张冬洪克超段鑫阳徐宝利钟福强陆涛
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