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褚政

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：华中科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 1篇电离
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光强度
  • 1篇散射
  • 1篇碰撞电离
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇量子
  • 1篇量子理论
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲调制
  • 1篇蒙特卡罗
  • 1篇THZ波
  • 1篇INSB
  • 1篇THZ

机构

  • 2篇华中科技大学
  • 1篇湖北工业大学

作者

  • 2篇褚政
  • 1篇王可嘉
  • 1篇杨振刚
  • 1篇姚建铨
  • 1篇刘劲松
  • 1篇张曼

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
强THz场下GaAs和InSb中瞬态谷间散射和碰撞电离（英文）被引量：1
2017年
运用系宗蒙特卡罗法计算了强THz场作用下,n型掺杂的GaAs和InSb中随时间变化的散射机制以及载流子非线性动力学演变,获取了电子散射至卫星谷并弛豫回原能谷的时间信息,并追踪描绘了载流子瞬态增加的过程,结果同时显示了强场作用下谷间散射是GaAs中的主要散射机制,而碰撞电离则是InSb中的关键因素.此外进一步讨论了这两种机制对于相关物理量:平均动能、平均速度、材料的电导率的影响,结果说明这两种机制导致了非线性效应并在两种材料中起到相反的作用,InSb中碰撞电离的响应时间比GaAs中谷间散射的响应时间更长.该研究结果在THz调制领域有一定的指导意义.
龚姣丽刘劲松张曼褚政杨振刚王可嘉姚建铨
关键词：THZ波碰撞电离
太赫兹脉冲调制荧光现象研究
近几年太赫兹的技术有着很快的发展,太赫兹与物质互作用的机理性研究也逐渐深入。荧光作为一种反映太赫兹作用能力的工具,给我们提供了间接获取到太赫兹信息的手段。它的引入在材料结构检测和太赫兹波形探测方面起着关键的作用。　　本论...
褚政
关键词：荧光强度脉冲调制量子理论
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