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胡永琴

作品数：6 被引量：3H指数：1
供职机构：西华师范大学更多>>
发文基金：四川省应用基础研究计划项目中国博士后科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信冶金工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇无籽
  • 3篇晶化
  • 3篇ZNO
  • 3篇ZNO单晶
  • 2篇第一性原理
  • 2篇自发成核
  • 2篇晶体
  • 2篇ZNO晶体
  • 2篇大尺寸
  • 1篇电子结构
  • 1篇透过率
  • 1篇子结构
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇ZN
  • 1篇表面形貌

机构

  • 6篇西华师范大学
  • 3篇中国工程物理...

作者

  • 6篇胡永琴
  • 5篇曾体贤
  • 3篇吴卫东
  • 3篇陈太红
  • 2篇王雪敏
  • 2篇彭丽萍
  • 1篇杨辉

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
ZnO晶体制备及复合缺陷对其电子结构与光学性质影响研究
随着ZnO材料的应用,ZnO晶体的制备及缺陷也受到广大的关注。采用理论研究方法对ZnO晶体中的本征缺陷及与其相关的缺陷进行研究,可以为ZnO晶体的制备、掺杂研究及更好的实现ZnO晶体的p型转化提供理论依据,通过了解ZnO...
胡永琴
关键词：ZNO晶体第一性原理电子结构光学性质
文献传递
ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷研究被引量：1
2016年
利用第一性原理,研究了ZnO晶体Al杂质与Zn间隙共存的复合缺陷(AlZnZni)电子结构和光学性质。计算结果显示,AlZnZni复合缺陷的形成能为-3.180 e V,较低的形成能表明这种缺陷容易形成;复合缺陷使ZnO晶体的能带整体下移,带隙减小,价带区域展宽;电子能带结构的变化对ZnO的光学性质在低能产生了重要影响,主要表现在:介电函数虚部往低能方向移动且强度显著增强,使得ZnO表现出简并半导体的特性;复合缺陷导致ZnO晶体光学吸收边缘产生了红移,可见光区的吸收系数增大,透过率降低。
曾体贤胡永琴杨辉王茂州张敏樊龙吴卫东
关键词：ZNO第一性原理
垂直提拉无籽晶化学气相法生长大尺寸ZnO单晶
设计了垂直提拉无籽晶化学气相方法,生长出了直径达12 mm的优质ZnO单晶。通过对生长温度的优化以及对石英安瓿的设计,并结合垂直提拉的方式,实现了对晶体自发成核的控制。等离子体质谱仪(ICP-MS)测试显示,生长出的Zn...
曾体贤王茂州胡永琴陈太红
关键词：ZNO单晶自发成核
文献传递
无籽晶化学气相法生长ZnO晶体被引量：1
2015年
采用化学气相法自发成核的方式生长出Φ4 mm×5 mm ZnO单晶体。分析了化学气相输运机制,获得ZnO-C体系在生长过程中的压强为0.43 MPa,确定以扩散传输为主;设计了新的生长石英安瓿（锥角约为35°）,让沿较快面生长的晶核能淘汰其他晶胚,易长大并形成单晶;X射线衍射测试晶体生长显露面为（002）面,其回摆曲线半峰宽为18 arcsec;六边形的腐蚀蚀坑确定该面为ZnO（001）的Zn面,位错缺陷密度为103cm-2量级。晶体在368 nm处出现了较强的紫外发光峰,属带边激子跃迁;紫外透过率在450~1000 nm内达65%,截止波长为390 nm,对应禁带宽度约为3.12 e V。结果表明,采用无籽晶化学气相法生长的ZnO晶体结晶度好,质量较高。
胡永琴曾体贤陈太红王茂州彭丽萍王雪敏吴卫东
关键词：ZNO透过率
ZnO单晶的生长表面形貌及形成机制研究被引量：2
2014年
采用石墨辅助化学气相传输法生长了ZnO单晶体。利用XRD、金相显微镜和扫描电镜等对晶体结构和表面形貌进行研究,发现其表面由大量六边形台阶堆垛而成,单个晶粒呈六方伞状结构并始终显露(001)面。同一平面内台阶的大小、陡峭程度存在差异,台阶之间为平行走向。通过形成机制分析,获得生长体系的过饱和度συ约为7%,发现生长表面的腐蚀形貌为六边形平底蚀坑,确定在化学气相法中ZnO单晶呈台阶生长的主要条件是螺旋位错。
王茂州曾体贤胡永琴彭丽萍王雪敏吴卫东
关键词：表面形貌
垂直提拉无籽晶化学气相法生长大尺寸ZnO单晶
设计了垂直提拉无籽晶化学气相方法，生长出了直径达12 mm的优质ZnO单晶。通过对生长温度的优化以及对石英安瓿的设计，并结合垂直提拉的方式，实现了对晶体自发成核的控制。
曾体贤王茂州胡永琴陈太红
关键词：ZNO单晶自发成核
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