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石利忠

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:河北大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇图形化
  • 2篇气相沉积
  • 2篇硫掺杂
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇掺杂
  • 1篇氢吸附
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米金刚石
  • 1篇纳米金刚石薄...
  • 1篇金刚石
  • 1篇光刻
  • 1篇刚石

机构

  • 2篇河北大学
  • 1篇华北电力大学

作者

  • 2篇石利忠
  • 1篇赵庆勋
  • 1篇刘保亭
  • 1篇葛大勇
  • 1篇王永杰

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
图形化纳米金刚石薄膜的制备及表面氢吸附的研究
金刚石具有优异的力学、热学、光学、电学及声学等物理特性和化学惰性,可用于制造高击穿电压、耐高温和耐强辐射的高性能电子器件,在光电子学领域具有广阔的应用前景。为满足微纳米金刚石类半导体器件的集成化要求,利用光刻技术实现金刚...
石利忠
关键词:金刚石薄膜硫掺杂化学气相沉积
硫掺杂纳米金刚石薄膜的图形化生长
2008年
利用电子增强热丝化学气相沉积(EACVD)技术,以CH4/H2/H2S/Ar为工作气体,SiO2/Si为衬底,制备了硫掺杂金刚石薄膜。研究了利用光刻技术实现薄膜的图形化生长。结果表明:以SiO2作掩模的光刻技术能够使得硫掺杂金刚石薄膜在光滑SiO2/Si基片上很好地图形化生长。Hall效应检测表明硫掺杂金刚石薄膜为n型,给出了n型金刚石/p-Si异质结的反向I-V特性曲线。
赵庆勋石利忠王永杰刘保亭葛大勇
关键词:金刚石薄膜硫掺杂化学气相沉积图形化光刻
共1页<1>
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