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白玉柯

作品数：3 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇均匀性
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇GAAS
  • 1篇砷化镓
  • 1篇抛光片
  • 1篇切片
  • 1篇磨片
  • 1篇晶片

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇卜俊鹏
  • 3篇白玉柯
  • 3篇郑红军
  • 2篇尹玉华
  • 1篇何宏家
  • 1篇吴让元
  • 1篇曹福年
  • 1篇惠峰

传媒

  • 1篇稀有金属
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 2篇2000
  • 1篇1999
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
砷化镓晶片表面损伤层分析被引量：8
1999年
采用ＴＥＭ观测与Ｘ射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了ＳＩＧａＡｓ晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法测量结果上的差异，得出了ＴＥＭ观测到的只是晶片损伤层厚度。
郑红军卜俊鹏曹福年白玉柯吴让元惠峰何宏家
关键词：砷化镓切片磨片抛光片晶片
GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析
采用不同的化学腐蚀方法，探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响，提出了氨水系列，进行晶片化学腐蚀，晶片厚度均匀性11.47℅，为下步工艺 提供平整度较好的晶片。
郑红军卜俊鹏尹玉华白玉柯
文献传递
GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析被引量：1
2000年
采用不同的化学腐蚀方法 ,探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响 ,提出了氨水系列 ,进行晶片化学腐蚀 ,晶片厚度均匀性 1 1 .47% ,为下步工艺提供平整度较好的晶片。
郑红军卜俊鹏尹玉华白玉柯
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