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王磊

作品数：6 被引量：5H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇粗糙度
  • 3篇SIC
  • 2篇碳化硅
  • 2篇面粗糙度
  • 2篇表面粗糙度
  • 1篇电阻率
  • 1篇电阻率变化
  • 1篇多线切割机
  • 1篇亚表面损伤层
  • 1篇研磨
  • 1篇损伤层
  • 1篇碳化硅衬底
  • 1篇抛光
  • 1篇线锯
  • 1篇金刚石
  • 1篇金刚石线锯
  • 1篇晶片
  • 1篇晶体
  • 1篇精密加工技术
  • 1篇均匀性

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇王磊
  • 4篇冯玢
  • 2篇高飞
  • 2篇李晖
  • 2篇郝建民
  • 2篇张弛
  • 2篇潘章杰
  • 1篇吴华
  • 1篇郭俊敏
  • 1篇程红娟
  • 1篇洪颖
  • 1篇张海磊
  • 1篇杜萍

传媒

  • 4篇电子工业专用...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
β-Ga_(2)O_(3)晶体金刚石线锯切割的表面质量研究被引量：1
2022年
本文探究了往复式金刚石线锯的工艺参数对β-Ga_(2)O_(3)单晶沿(001)晶面切片时表面质量的影响,从压痕断裂力学理论角度探究了金刚石线锯切割β-Ga_(2)O_(3)单晶过程中磨粒行为和材料去除机理。实验从各向异性角度分析了切割方向对(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶切割片表面质量的影响,并采用SEM和SJ-210粗糙度测试仪探究了工艺参数对金刚石线锯切割后的晶片表面质量的影响。实验结果表明,增大锯丝速度或减小材料进给速度都能降低亚表面损伤层深度及表面粗糙度,有效改善晶片表面质量。
李晖高鹏程程红娟王英民高飞张弛王磊
关键词：金刚石线锯亚表面损伤层表面粗糙度
碳化硅衬底精密加工技术被引量：1
2013年
介绍了一种包含多线切割、研磨、抛光等主要工序的75 mm(3英寸)碳化硅衬底精密加工技术,该技术成功对本单位自主研制的碳化硅衬底进行精密加工。实验过程中使用了几何参数测试仪、强光灯、微分干涉显微镜(DIC)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)等检测手段对加工工艺效果进行监控。通过该技术制备出了几何尺寸参数良好、表面质量优良的碳化硅晶片。
冯玢潘章杰王磊郝建民
关键词：碳化硅衬底研磨抛光粗糙度
游离磨粒切割法和金刚石线切割法切割SiC的对比
2014年
通过采用镀铜钢线配合游离磨粒切割法和金刚石线与砂浆配合切割法对SiC晶锭分别进行切割试验,在对比两种方法的切割效果基础上,探讨两种切割方法对SiC晶片表面质量和弯曲度的作用和效果,并对比两种方法的优点。通过探讨总结出镀铜钢线配合游离磨粒切割法切割出的SiC晶片表面质量较好,但用时较长,适用于小型实验;金刚石线与砂浆配合切割法切割出的SiC晶片几何参数更好且稳定,且加工效率较高,适用于大型生产。
王磊王添依张弛张海磊冯玢
关键词：多线切割机
PVT法掺钒SiC单晶生长电阻率变化规律研究
2012年
在采用COREMA方法测试SiC晶片电阻率时发现同一晶片电阻率相差较大,主要体现在高阻(>105Ω.cm量级)和低阻(<105量级)并存,有的甚至超高阻(>1012量级)和低阻并存,针对这一测试结果,开展了相关的实验研究,SiC单晶半绝缘性能的实现是通过在单晶生长过程中掺入深能级杂质V来补偿浅施主N和浅受主B,利用二次质谱(SIMS)对同一晶片不同区域的杂质元素V、N和B含量进行测试,结果发现晶片中V和N的含量都在1×1017量级时会出现同一晶片不同区域电阻率相差较大的情况,而当V含量在1×1017量级,N含量在5×1016量级以下时,可制备电阻率均匀性好的半绝缘SiC单晶。
洪颖冯玢王磊吴华郭俊敏杜萍
关键词：SIC电阻率均匀性SIMS
碳化硅晶片表面质量差异影响因素研究
2023年
分析了金刚石线锯多线切割150 mm SiC晶片的表面形貌及质量,通过测试SiC片Si面和C面的表面粗糙度(Ra),发现C面Ra值约为Si面的2倍。在切割过程中晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面磨削修整作用更强,从而使晶片Si面更加光滑。此外,通过显微截面法测试了SiC晶片两面的损伤层深度。结果表明,Si面损伤层深度约为7.89μm,明显低于C面的13.8μm,显微镜下观察到截面边缘更加平整。该方法进一步证明了多线切割时晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面的磨削效果更强,从而造成SiC晶片两面表面形貌和质量存在差异。
樊元东李晖王英民高鹏程王磊高飞
关键词：表面粗糙度
SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究被引量：3
2013年
研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验。使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率。并使用强光灯、微分干涉显微镜和原子力显微镜检测晶片表面质量。发现采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光,均有VC>VSi;而对于(0001)Si面,有VSi酸>VSi碱;对于(000-1)C面,有VC酸>VC碱。该结论对于探索最佳碳化硅的CMP抛光工艺具有较高价值。
潘章杰冯玢王磊郝建民
关键词：碳化硅粗糙度
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