王磊
- 作品数：33 被引量：28H指数：3
- 供职机构：桂林电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西信息材料重点实验室主任基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程金属学及工艺更多>>
- 封装器件和封装器件的制造方法
- 本发明提供了一种封装器件和封装器件的制造方法，封装器件包括：基板、芯片、导电膜和封装体；基板的一侧设置有第一焊盘；芯片包括第二焊盘；导电膜的一侧与第一焊盘相贴合，导电膜的另一侧与第二焊盘相贴合，第一焊盘与第二焊盘相对设置...
- 蔡苗杨道国杨张平王磊
- NdFeB材料微波吸收特性的研究被引量：4
- 2010年
- 采用高能球磨和晶化热处理方法制备钕铁硼吸波粉体,研究制备工艺对钕铁硼粉体吸波性能的影响。结果发现:高能球磨和适当晶化热处理可改善NdFeB粉体的组织结构、复介电常数和复磁导率;NdFeB粉体的反射率最小值为-15.5 dB,高能球磨48 h后粉体的反射率最小值降到-23 dB,高能球磨粉体经600℃晶化热处理后反射率最小值为-19 dB;高能球磨和晶化热处理可降低NdFeB粉体的吸收峰频率;高能球磨会使NdFeB粉体的吸波带宽变窄,经600℃晶化热处理后吸波带宽变宽,并且随着晶化热处理的温度升高,吸波带宽变得更宽。
- 林培豪潘顺康杨涛王磊罗玉亮
- 关键词：NDFEB高能球磨吸波性能稀土
- 封装器件和封装器件的制造方法
- 本发明提供了一种封装器件和封装器件的制造方法，封装器件包括：基板、芯片、导电膜和封装体；基板的一侧设置有第一焊盘；芯片包括第二焊盘；导电膜的一侧与第一焊盘相贴合，导电膜的另一侧与第二焊盘相贴合，第一焊盘与第二焊盘相对设置...
- 蔡苗杨道国杨张平王磊
- 文献传递
- 中国银行宁波市分行信用证风险防范研究
- 王磊
- 文献传递
- 磁场热处理对磁性吸波材料微波吸收特性的影响被引量：3
- 2012年
- 采用高能球磨及热处理方法制备Nd11.76Fe82.36B5.88和Nd11.76Fe77.36Cr5B5.88粉体,借助X射线衍射仪和矢量网络分析研究磁场热处理对粉体组织结构和微波吸收特性的影响。结果发现:在热处理过程中,加入磁场可以促进Nd11.76Fe82.36B5.88粉体各铁磁性相和非铁磁性相的晶粒长大,使Nd11.76Fe82.36B5.88粉体反射率的最小值从普通热处理粉体的-14 dB降低到-24.3 dB,Nd11.76Fe77.36Cr5B5.88粉体的反射率最小值从普通热处理粉体的-30.5 dB降低到-48 dB;磁场热处理使Nd11.76Fe82.36B5.88和Nd11.76Fe77.36Cr5B5.88粉体的吸波带变窄,且在微波损耗过程中,磁损耗作用增大,而介电损耗作用减弱。
- 林培豪潘顺康王磊周怀营杨涛
- 关键词：磁场热处理吸波材料反射率高能球磨
- 三层板结构电路封装方法
- 本发明提供了一种三层板结构电路封装方法，包括：将连接层覆盖于载板上；在连接层上设置定位标识；在连接层上按照定位标识设置载体和引脚；将芯片安装于载体上；将引线的两端分别与芯片和引脚键合；塑封芯片、引脚、引线和载体；去除连接...
- 杨道国王希有蔡苗杨雯王磊杨张平
- 文献传递
- GaN HFET新结构设计与研究
- 近年来,GaN异质结场效应晶体管（HFET）由于具有高稳定性、高击穿电压以及高电流等优良特性已经在功率半导体领域受到广泛关注。相比于传统的Si基器件,GaN HFET突显出更大的吸引力,且被认为是下一代宽带隙互补逻辑集成...
- 王磊
- 关键词：P沟道比导通电阻击穿电压
- 机械合金化结合HDDR工艺制备NdFeCoMnB磁粉的研究
- 2010年
- 采用机械合金化(MA)与HDDR工艺相结合的方法制备NdFeCoMnB磁各向异性磁粉,研究了机械合金化添加Mn元素对HDDR磁各向异性NdFeCoB磁粉性能的影响。结果表明,机械合金化比熔炼法更容易控制NdFeCoMnB磁粉中Mn的含量;机械合金化制备NdFeCoMnB磁粉,使HD处理时残留的Nd2(Fe,Co)14B相减少,导致磁粉的磁各向异性降低;机械合金化磁粉颗粒细化,在HDDR处理时容易被氧化,使剩磁和矫顽力降低。
- 罗玉亮林培豪杨涛王磊覃俊才
- 关键词：HDDR磁粉机械合金化各向异性磁性能
- 一种多层堆叠的LDMOS功率器件
- 本实用新型公开一种多层堆叠的LDMOS功率器件，利用两个以上MOS器件单元堆叠所形成的双漂移区，而使得下方漂移区的顶部引入P重掺杂区和N重掺杂区，这样不仅增加一条新的电流路径，提升了开态时的工作电流；而且降低了下方漂移区...
- 李琦党天宝李海鸥张法碧陈永和肖功利傅涛孙堂友黄洪姜焱彬王磊
- 文献传递
- 一种多层堆叠的LDMOS功率器件
- 本发明公开一种多层堆叠的LDMOS功率器件，利用两个以上MOS器件单元堆叠所形成的双漂移区，而使得下方漂移区的顶部引入P重掺杂区和N重掺杂区，这样不仅增加一条新的电流路径，提升了开态时的工作电流；而且降低了下方漂移区栅漏...
- 李琦党天宝李海鸥张法碧陈永和肖功利傅涛孙堂友黄洪姜焱彬王磊
