王晓明
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 快速连续一笔画操作中的目标属性设置新模式对比研究
- 一个典型的计算机操作任务可以分为三个阶段：操作对象选择、操作命令和属性值设置。本文研究了一种连续性交互方式，将对象选择，命令选择和参数设置以一种无缝切换技术组合起来。与点击式操作模式有很大不同的是我们的交互方式在整个操作...
- 王晓明
- 关键词：交互技术
- 太格公司消费者调研报告
- 从科学决策的角度出发，企业应该充分发挥市场调研工作对企业生存与发展、赢得竞争的作用。如何科学、有效地组织符合自己企业现状和发展需要的市场调研，并进行严密、有效的数据分析，以指导营销管理实践，是本文的立足点。 本文在市场...
- 王晓明
- 关键词：消费者需求
- 氮氧化铪薄膜在不同衬底上的场发射性能被引量：1
- 2008年
- 利用直流溅射法在Si、Zn、Ni三种不同衬底上沉积HfNxOy薄膜并测试了其场发射性能。扫描电子显微镜(SEM)显示HfNxOy薄膜表面由纳米颗粒组成,X射线衍射(XRD)说明薄膜中含有HfN和HfO2两种相。场发射测试结果显示,和金属衬底上的薄膜相比,Si衬底上的薄膜的开启电场小且发射电流密度大。文中对三种衬底上发射电流密度大小不同的原因进行了讨论。电流-时间的对应关系说明HfNxOy薄膜的场发射电流稳定。
- 王晓明谢二庆叶凡段辉高周明
- 关键词：场致电子发射
- InN纳米线的低压化学气相沉积及其场发射特性研究被引量：2
- 2007年
- 利用低压化学气相沉积方法在以Au作催化剂的Si衬底上生长了InN纳米线.扫描电子显微镜分析表明,这些纳米线的直径在60—100nm的范围内,而其长度大于1μm.高分辨透射电子显微镜图像表明,合成的纳米线中含有六方相和立方相的InN晶体.这些InN纳米线具有良好的场发射特性和稳定的场发射电流,其开启场为10.02V/μm(电流密度为10μA/cm2),在24V/μm的电场下,其电流密度达到5.5mA/cm2.此外,对InN纳米线的场发射机理也进行了讨论.
- 叶凡蔡兴民王晓明赵建果谢二庆
- 关键词：场电子发射
- 氧化锌纳米纤维的制备及场发射性质研究
- 场致电子发射在平板显示器以及其它真空电子器件中具有巨大的应用前景。多年来科学家们一直在寻求具有良好发射性能的材料，这种材料应该具有低的开启电场、高的发射电流密度及良好的电流稳定性。碳基材料如金刚石、类金刚石(DLC)、碳...
- 王晓明
- 关键词：场发射特性半导体材料
- 文献传递
- 稀土金属硅化物的场发射
- 2006年
- 用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15～20V/μm之间.用电子束对其进行退火处理后,开启电场降到10V/μm以下,而场发射密度可以提高一个数量级.它们良好的场发射性能归因于稀土金属硅化物本身热稳定性好,功函数低.用FN理论对场发射的机理进行了分析,发现其FN曲线明显分成了两段,这可能是因为在场发射过程中引起的温度效应.
- 段辉高谢二庆叶凡王晓明
- 关键词：场发射
- HfOxNy的场发射特性被引量：1
- 2006年
- 用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性质的改变有关.对场发射机理的研究表明,HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.
- 段辉高谢二庆叶凡蒋然王晓明
- 关键词：场发射
