王春
- 作品数：9 被引量：10H指数：2
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省教育厅资助项目辽宁省教育厅高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学文化科学一般工业技术机械工程更多>>
- 中频孪生靶非平衡磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能(英文)被引量：2
- 2011年
- 本文采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在不同氮气流量比例的条件下制备出氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、椭偏仪等研究了氮气流量比率对氮化硅薄膜的微观结构、表面形貌、沉积速率、折射率的影响。结果表明:中频孪生非平衡磁控溅射技术制备的薄膜为非晶态氮化硅。随着氮气流量比率的增加,Si-N键红外光谱吸收带向低波数漂移,薄膜的沉积速率降低,表面结构更为光滑致密,氮化硅薄膜的折射率降低。薄膜的硬度和杨氏模量分别达到22和220GPa左右。
- 王春牟宗信刘冰冰臧海荣牟晓东
- 关键词：氮化硅薄膜折射率磁控溅射红外光谱
- 高功率脉冲非平衡磁控溅射制备CrNx薄膜及其性能的研究
- 高功率脉冲磁控溅射技术（HPPMS）由于具有溅射粒子离化率高,可以沉积致密、高性能薄膜,作为一种新技术已经在国外广泛研究。本文采用高功率脉冲非平衡磁控溅射技术（HPPUMS）制备了一系列CrN薄膜,采用原子力显微镜（AF...
- 牟晓东牟宗信王春臧海荣刘冰冰董闯
- 关键词：气相沉积脉冲功率
- 文献传递
- 非平衡磁控溅射双势阱静电波动及其共振耦合
- 2010年
- 非平衡磁控靶表面电场和磁场相互正交构成磁阱结构,磁控靶和与之平行的偏压基片之间形成了另一种势阱结构,等离子体静电波动在这两种势阱结构中形成耦合共振.采用Langmuir探针研究等离子体中参数和浮置电位信号的功率谱密度.典型放电条件下两种势阱结构中的本征频率分别约为30—50kHz和10—20kHz,两种势阱条件下根据声驻波共振模式计算的电子温度数值与实验结果相符合。
- 牟宗信牟晓东贾莉王春董闯
- 关键词：等离子体磁控溅射驻波
- 铝基复合材料表面多层复合厚膜的研究被引量：5
- 2010年
- 对含50%AlN颗粒的铝基复合材料进行预处理后,在其表面依次采用浸锌化学镀镍工艺制备Ni-P过渡层,采用脉冲偏压磁过滤多弧离子镀工艺沉积硬质Ti/TiN调制周期膜,采用脉冲等离子体化学气相沉积工艺制备含氢类金刚石(DLC)膜等工艺最后形成了多层复合薄膜体系。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、光谱仪、原子力显微镜、微载荷显微硬度仪、摩擦磨损试验机等设备分析了复合薄膜的组织结构、膜层形貌、截面形貌、显微硬度和摩擦系数等性能特点。测试表明:铝基复合材料/Ni-P层/Ti/TiN调制周期膜/含氢DLC膜这一梯度膜系具有结构交替变化,相邻界面形成混合层,性能梯度分布,硬度逐渐增加,摩擦系数小的特点。该复合工艺能够有效地解决铝基复合材料上制备硬质厚膜的热适配和晶格错配度大的难题,制备薄膜具有良好的膜基结合性能。
- 彭丽平王兆松李剑锋吕世功王春武洪臣巩水利李国卿
- 关键词：多层复合膜类金刚石膜结合力
- 高功率脉冲非平衡磁控溅射制备CrNx薄膜及其性能研究被引量：1
- 2010年
- 高功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS)溅射粒子离化率高,可沉积致密、高性能薄膜,作为一种新技术在国外广泛研究。本文用高功率脉冲非平衡磁控溅射技术(HPPUMS)制备一系列CrN_x薄膜,采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)对不同厚度的薄膜表面形貌、微观结构进行了分析,测定了薄膜的厚度和硬度,研究了薄膜的摩擦学性能,并与中频磁控溅射(MFMS)技术制备的CrN_x进行比较。结果表明,使用高功率脉冲非平衡磁控溅射技术(HPPUMS)能制备致密的CrN_x薄膜。薄膜有较好的综合性能,有较高硬度、较高结合强度和低摩擦系数。
- 牟晓东牟宗信王春臧海荣刘冰冰董闯
- 关键词：气相沉积脉冲功率
- 高功率脉冲非平衡磁控溅射制备CrNx薄膜及其性能的研究
- 高功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS)由于具有溅射粒子离化率高,可以沉积致密、高性能薄膜,作为一种新技术已经在国外广泛研究。本文采用高功率脉冲非平衡磁控溅射技术(HPPUMS)制备了一系列CrNx薄膜,采用原子力显微镜(A...
- 牟晓东牟宗信王春臧海荣刘冰冰董闯
- 关键词：CRNX薄膜气相沉积脉冲功率
- 文献传递
- AZ31镁合金基材非平衡磁控溅射镀膜工艺研究被引量：1
- 2012年
- 采用中频孪生靶非平衡磁控溅射技术在AZ31镁合金基底上制备出氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外光谱仪、电子探针、X射线衍射仪等研究了氮气流量比率对氮化硅薄膜的成分、微观结构的影响。通过对薄膜力学性能和抗腐蚀性能的检测分析了氮化硅薄膜对AZ31镁合金基底表面改性的作用。结果表明:中频孪生非平衡磁控溅射技术制备的薄膜为非晶态富N氮化硅。随着氮气流量比率的增加,薄膜的沉积速率降低,Si含量减少。在AZ31镁合金基底上制备氮化硅薄膜有效提高了基底的力学性能和抗腐蚀性能,显微硬度得到显著提高,腐蚀电流密度降低了3个数量级,并且薄膜与基底之间的结合力良好。
- 牟宗信臧海蓉刘冰冰林曲丁安邦王春董闯
- 关键词：氮化硅薄膜镁合金磁控溅射红外光谱抗腐蚀性
- 直流电源耦合高功率脉冲非平衡磁控溅射电离特性
- 2011年
- 采用直流电源放电形成高功率脉冲非平衡磁控溅射(dc-high power impulse unbalanced magnetron sputtering,dc-HPPUMS或dc-HiPiUMS),利用雪崩放电的击穿机理形成深度自触发放电,同轴线圈和空心阴极控制放电特性和提高功率密度.磁阱俘获雪崩放电形成的二次电子和形成漂移电流,形成了大电流脉冲放电,放电脉冲电流密度峰值超过100A/cm2,脉冲频率小于40Hz.由于放电等离子体远没有达到平衡状态,放电电流主要受到空间电荷效应的限制,采用放电理论分析了形成高电离率和强脉冲电流的机理,采用蔡尔德定律计算的放电参数符合实验的结果.
- 牟宗信牟晓东王春贾莉董闯
- 关键词：放电脉冲技术
- 高功率脉冲非平衡磁控溅射放电特性和参数研究被引量：1
- 2010年
- 用线圈电流控制非平衡磁场,用汤森放电击穿形成深度自触发放电,用磁阱捕获放电形成的二次电子和导致漂移电流,形成了高功率非平衡磁控溅射放电。采用偏压为-100V相对磁控靶放置的圆形平面电极收集饱和离子电流;在距离磁控靶14cm的位置由Langmuir探针测量浮置电位;示波器测量磁控靶的脉冲电压、电流、浮置电位和饱和离子电流信号。装置的放电脉冲功率达到0.9MW,脉冲频率最大值为40Hz左右,空间电荷限制条件是控制电子电流和离子电流的主要机制。
- 牟宗信王春贾莉牟晓东藏海荣刘冰冰董闯
- 关键词：高功率脉冲非平衡磁控溅射放电特性离子电流LANGMUIR探针示波器测量
