沈路
- 作品数：14 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：机械工程自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 微惯性测量装置
- 本实用新型公开了一种微惯性测量装置，包括：外壳；设置在外壳中的MEMS传感装置；对MEMS传感装置起减振作用的减振机构；通过电平转换模块与MEMS传感装置相连的信号处理模块，用于将MEMS传感装置的输出信号进行补偿并输出...
- 王晓杨拥军李博沈路
- 文献传递
- MEMS热膜传感器和IC电路单片集成的方法
- 本发明公开了一种MEMS热膜传感器和IC电路单片集成的方法，本方法中采用了MEMS体硅加工工艺和IC制造工艺，两种工艺按照工艺温度条件交叉进行加工。本方法包括以下步骤：1)按照预先设计在同一硅片划分出IC电路区和MEMS...
- 何洪涛沈路
- 微惯性测量单元橡胶减振器结构设计被引量：3
- 2018年
- 为减小外部环境的振动和冲击对微惯性测量单元（MIMU）的输出的影响,基于减振器六种隔振模式理论和单自由度系统无阻尼自由振动原理,选择合适的隔振模式并分析了MIMU橡胶减振器谐振频率的影响因素。通过构建有效的有限元模型分析MIMU减振结构的频率响应,并调整减振器内环、外环结构及减振橡胶的材料硬度等因素,设计得到了一种MIMU橡胶减振器结构。最终,通过对含减振结构的MIMU样机进行扫频振动实验,实验结果与预期设计结果一致。实验结果表明,该结构不仅减少了MIMU受内部和外部振动源的干扰,还实现了减振系统的三向等刚度。研究工作为MIMU橡胶减振器设计提供了有效可行的方法。
- 吝海锋沈超群杨拥军沈路王宁刘译允
- 关键词：有限元仿真橡胶减振器隔振
- MEMS振动传感器快速自动标定系统被引量：1
- 2013年
- 针对MEMS振动传感器批量化标定要求,建立了一套MEMS振动传感器快速自动标定系统,可实现传感器静态和动态指标的快速多通道标定。首先介绍MEMS振动传感器的基本工作原理、静态以及动态数学模型,并根据静态参数和动态参数的标定要求,利用振动台、标准传感器、上位机电脑以及后台程序建立了MEMS振动传感器自动标定系统;通过数字编程接口,可以实现振动传感器的自动标定。最后,以中国电子科技集团公司第十三研究所研制MSA1000系列振动传感器作为试验对象,对传感器的偏值、标度因数、幅频及相频特性进行了标定和比对测试,充分验证了此种方法的效果和正确性,有效提高了MEMS振动传感器的标定效率。
- 李博王娟沈路
- 关键词：振动传感器动态参数
- 基于冗余MEMS传感器的航姿仪
- 本发明公开了一种基于冗余MEMS传感器的航姿仪，包括：整体呈长方体型的外壳；设置在所述外壳中的冗余MEMS测量装置，包括相互冗余的多个MEMS传感器，各个所述MEMS传感器的坐标轴相互正交；对所述冗余MEMS测量装置起减...
- 于翔杨拥军沈路李博
- 文献传递
- 体硅热膜传感器单片集成工艺的研究被引量：1
- 2010年
- 针对MEMS热膜式传感器的发展趋势和在实用化过程中存在的问题,提出了一种新型的单片电路和体硅MEMS热膜式传感器实现集成制造的嵌入式CMOS工艺技术,解决了MEMS制造工艺和CMOS集成电路工艺之间存在的兼容性问题。通过这种嵌入式CMOS工艺技术,可以实现具备最小体积、最低成本的MEMS器件。通过这种嵌入式热膜式传感器和CMOS处理电路的单片集成制造工艺,实现了一款热膜式传感器和IC放大电路的集成部件,并完成了相关基本电性能测试和传感器功能的演示验证,证明了设计的工艺路线的可行性。
- 邹学锋沈路何洪涛
- 关键词：微电子机械系统体硅工艺单片集成交叉污染
- 微惯性测量装置
- 本发明公开了一种微惯性测量装置，包括：外壳；设置在外壳中的MEMS传感装置；对MEMS传感装置起减振作用的减振机构；通过电平转换模块与MEMS传感装置相连的信号处理模块，用于将MEMS传感装置的输出信号进行补偿并输出；设...
- 王晓杨拥军李博沈路
- 文献传递
- n型纳米非对称DG-TFET阈值电压特性研究
- 2015年
- n型纳米非对称双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)速度快、功耗低,在高速低功耗领域具有很好的应用前景,但其阈值电压的表征及其模型与常规MOSFET不同。在深入研究n型纳米非对称DG-TFET的阈值特性基础上,通过求解器件不同区域电场、电势的方法,建立了n型纳米非对称DG-TFET器件阈值电压数值模型,探讨了器件材料物理参数以及漏源电压对阈值电压的影响,通过与Silvaco Atlas的仿真结果比较,验证了模型的正确性。研究表明,n型纳米非对称DG-TFET的阈值电压分别随着栅介质层介电常数的增加、硅层厚度的减薄以及源漏电压的减小而减小,而栅长对其阈值电压的影响有限。该研究对纳米非对称DG-TFET的设计、仿真及制造有一定的参考价值。
- 李妤晨沈路张鹤鸣刘树林
- 关键词：阈值电压
- 一种基于绝缘体上Ge的碰撞电离晶体管
- 2017年
- 碰撞电离晶体管(IMOS)在高速、低功耗领域具有很好的应用前景。以优化传统IMOS的工作电压为目的,介绍了一种基于绝缘体上Ge的碰撞电离晶体管(GOI IMOS),利用Synopsys公司的ISE_TCAD对GOI IMOS的性能进行仿真分析与验证。结果表明,GOI IMOS相比于传统的绝缘体上Si的碰撞电离晶体管(SOI IMOS)可在更低的源漏偏压下工作,同时该器件能够实现大的开态电流与陡峭的亚阈值摆幅;另外,GOI IMOS的源漏偏压和栅长均对该器件阈值电压有较大的影响,p型GOI IMOS阈值电压的绝对值随着源漏电压和栅长的增大而减小。以上工作可为IMOS的设计、仿真、制备提供一定的理论指导。
- 沈路李妤晨杨拥军
- 关键词：雪崩击穿阈值电压
- MEMS热膜传感器和IC电路单片集成的方法
- 本发明公开了一种MEMS热膜传感器和IC电路单片集成的方法，本方法中采用了MEMS体硅加工工艺和IC制造工艺，两种工艺按照工艺温度条件交叉进行加工。本方法包括以下步骤：1)按照预先设计在同一硅片划分出IC电路区和MEMS...
- 何洪涛沈路
- 文献传递
