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汪乐

作品数:11 被引量:14H指数:2
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域:电气工程电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电气工程
  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 5篇电池
  • 5篇太阳电池
  • 3篇GAAS太阳...
  • 2篇砷化镓
  • 2篇超导
  • 2篇超导薄膜
  • 2篇Y-BA-C...
  • 1篇等效
  • 1篇等效电路
  • 1篇电子辐照
  • 1篇电阻
  • 1篇调制
  • 1篇镀膜
  • 1篇应变层
  • 1篇损耗
  • 1篇体电阻
  • 1篇能级
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束溅射
  • 1篇溅射

机构

  • 9篇中国科学院上...

作者

  • 9篇汪乐
  • 5篇夏冠群
  • 4篇施小忠
  • 2篇陈建民
  • 2篇胡雨生
  • 2篇任琮欣
  • 2篇谢雷鸣
  • 2篇郑彦
  • 2篇莫金玑
  • 2篇邹世昌
  • 2篇陈国梁
  • 2篇柳襄怀
  • 1篇胡福义
  • 1篇李爱珍
  • 1篇公延宁

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇太阳能学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇电子学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 4篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1993
  • 2篇1990
  • 1篇1989
11 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
太阳电池栅线的设计被引量:6
1999年
本文分析了主线上的电压降对电池栅线设计的影响.讨论了电池的功率损耗与电池栅线尺寸及厚度的关系。
施小忠汪乐夏冠群
关键词:太阳电池功率损耗
MOCVD GaAs太阳电池的结特性
1999年
本文用拟合的方法求得了太阳电池的结特性参数.结果表明MOCVD太阳电池的效率随电池外延n型层厚度的增大而增大.暗电流随电池外延n型层厚度的增大而减小.MOCVD电池承受反向电流的冲击的能力随电池外延n型层厚度的增大而增强.MOCVD电池比LPE电池所能承受的反向电流密度大.
施小忠夏冠群汪乐莫金玑
关键词:太阳电池MOCVD法砷化镓
MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究
1993年
本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延层应变随退火温度增大而增大,GaAs能隙则随之下降,考虑到应力随温度变化因素后这些不同的测试方法所得的结论与(PR)谱结果基本一致。因此用室温光反射调制光谱对于检测室温下GaAs/Si材料的质量,剩余应力等是方便而有力的方法。
胡雨生胡福义汪乐李爱珍范伟栋
关键词:GAAS/SI材料分子束外延
电子辐照N型LPE-GaAs层中复合中心能级的研究被引量:2
1990年
本文用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法和某些常规测试,较系统地研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型LPE-GaAs层逐次引入的缺陷。研究了400~550K温区等时退火行为。讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后,缺陷浓度N_T的变化和少子扩散长度L_p随N_T的变化情况。首次用理论和实验手段论证了由电子辐照引入的所有电子缺陷能级中,E_3为主要的复合中心能级。同时通过对Shockley-Read-Hall公式的简化提出了一个在诸多缺陷能级中判别出其中主要复合中心能级的方法,实验结果也证实了这种判别方法是行之有效的。
胡雨生汪乐陈正秀
关键词:GAAS电子辐照能级
退火条件对Y-Ba-Cu-O薄膜超导性能的影响
1990年
用XRD、XIFS及SEM等对比分析了不同退火温度或退火时间下Y-Ba-Cu-O薄膜的相结构、成份比及微结构等的变化。发现在860℃/1h的退火条件下,薄膜已形成了较为完全的超导相,而940℃/1h的退火条件将使薄膜失去超导性。当退火温度升到900℃以上时,Ba和Cu原子浓度百分比开始较快地下降。结合不同条件下的T_c测试数据及分析结果,提出了较为合适的退火条件。
郑彦任琮欣陈国梁陈建民杨洁汪乐陈正秀柳襄怀谢雷鸣邹世昌
关键词:超导薄膜超导性能
GaAs太阳电池帽层腐蚀研究──GaAs/AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀被引量:1
1999年
由p+-GaAs帽层和p-AlxGa1-xAs(x=0·8—0.9)窗口层构成的异质薄膜体系是GaAs太阳电池器件中的常规结构。对该异质结构的只腐蚀GaAs而不腐蚀AlGaAs的选择性腐蚀工艺是GaAs太阳电池制备过程中的一道关键工序。针对传统腐蚀工艺中出现的腐蚀后露出的AlGaAs表面呈现彩色的问题,从改进腐蚀液配方角度,围绕通常采用的氨水-双氧水(NH4OH-H2O2)腐蚀液体系,对该问题作了深入细致的专门研究,并与柠檬酸-双氧水(C6H8O7-H2O2)和柠檬酸-柠檬酸钾-双氧水(C6H8O7-K3C6H5O7-H2O2)腐蚀液体系作对比,最终得到了较满意的氨水-双氧水-磷酸(NH4OH-H2O2-H3PO4)新腐蚀液体系。这种腐蚀液体系不仅可在较宽的溶液浓度范围内实现对高Al组分GaAs/AlGaAs异质结构的选择性腐蚀。
公延宁汪乐莫金玑夏冠群
关键词:太阳电池砷化镓
反应离子束镀膜制备高T_cY-Ba-Cu-O超导薄膜被引量:1
1989年
一、引言 自1986年IBM苏黎士研究实验室Bednorz和Müller发现Ba—La—Cu—O高T_6超导氧化物后,高温超导发展迅猛。在弱电应用方面最有前景的氧化物超导薄膜尤其如此。目前,制备氧化物超导薄膜主要有两种方法:一是电子束蒸发,如IBM的Chaudhari等用三枪电子束共蒸Y、Ba、Cu,退火后获得零电阻为90K的Y—Ba—Cu—O超导薄膜,电流密度高达10~5A/cm^2(77K);国内北京大学物理系用电子束分层蒸发也获得了零电阻为84K的YBaCuO超导薄膜。另一种方法为溅射沉积。
任琮欣陈国梁郑彦陈建民杨洁汪乐陈正秀柳襄怀谢雷鸣邹世昌
关键词:超导薄膜离子束溅射镀膜
GaAs太阳电池的体电阻及旁路漏电对电池结特性的影响
1998年
复合电流是液相外延GaAs太阳电池暗电流的主要成分。扫描电镜观察表明,旁路电流主要来源于太阳电池结区的杂质。串联电阻主要来源于电池p型GaAs层的薄层电阻及正面电极的体电阻。串联电阻降低了电池的短路电流,旁路电阻降低了电池的开路电压。减小电池p-GaAs层的薄层电阻是提高电池效率的重要途径。
施小忠夏冠群汪乐
关键词:太阳电池体电阻
局部旁路漏电对太阳电池结特性的影响被引量:2
1999年
分析了太阳电池局部漏电现象。
施小忠汪乐夏冠群
关键词:太阳电池等效电路
共1页<1>
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