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毛奇

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 3篇底电极
  • 3篇存储器
  • 2篇电极
  • 2篇电器件
  • 2篇电致发光
  • 2篇电阻
  • 2篇热平衡
  • 2篇显示器
  • 2篇显示器件
  • 2篇介质
  • 2篇介质层
  • 2篇光电
  • 2篇光电器件
  • 2篇光写入
  • 2篇发光
  • 2篇衬底
  • 1篇电介质
  • 1篇电介质材料
  • 1篇对光
  • 1篇氧化物

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇毛奇
  • 5篇孟庆宇
  • 3篇李栋
  • 3篇林伟坚
  • 2篇刘紫玉
  • 2篇孟洋
  • 2篇冯子力
  • 1篇张培健
  • 1篇陈东敏
  • 1篇苏涛
  • 1篇潘新宇

传媒

  • 1篇物理

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种有机存储器件及其制备方法
本发明提供了一种有机阻变存储器件及其制备方法，有机阻变存储器件包括：底电极，底电极上的有机介质层和介质层上的顶电极，其中介质层为具有电阻转变和电致发光特性的有机材料，底电极和顶电极中的至少一个对介质层所发出的光透明。根据...
李栋赵宏武孟庆宇毛奇
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一种光写入阻变存储单元及其制备、操作方法和应用
本发明提供了一种光写入阻变存储单元，其包括：玻璃衬底；位于所述玻璃衬底上的底电极；位于所述底电极上的阻变存储介质层；位于所述阻变存储介质层上的顶电极；其中，所述底电极和顶电极中至少有一个为透明氧化物电极，所述阻变存储介质...
毛奇赵宏武冯子力林伟坚
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一种光写入阻变存储单元及其制备、操作方法和应用
本发明提供了一种光写入阻变存储单元，其包括：玻璃衬底；位于所述玻璃衬底上的底电极；位于所述底电极上的阻变存储介质层；位于所述阻变存储介质层上的顶电极；其中，所述底电极和顶电极中至少有一个为透明氧化物电极，所述阻变存储介质...
毛奇赵宏武冯子力林伟坚
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一种有机存储器件及其制备方法
本发明提供了一种有机阻变存储器件及其制备方法，有机阻变存储器件包括：底电极，底电极上的有机介质层和介质层上的顶电极，其中介质层为具有电阻转变和电致发光特性的有机材料，底电极和顶电极中的至少一个对介质层所发出的光透明。根据...
李栋赵宏武孟庆宇毛奇
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界面电阻翻转对Nb 掺杂SrTiO3单晶热电效应的影响
了Nb 掺杂的SrTiO3 单晶在发生双极性电致电阻的高阻态和低阻态的热电性质,发现在120K到室温的范围内SrTiO3 单晶在高阻态和低阻态的赛贝克系数都随温度线性减小,高阻态赛贝克系数只比低阻态略大.在测量温度范围内...
张培建赵宏武孟洋刘紫玉李栋苏涛孟庆宇毛奇潘新宇陈东敏
关键词：RESISTIVITYSEEBECKSTRONTIUM
一种整流特性可控的二极管及其制造和操作方法
本发明提供一种二极管，包括：第一电极和第二电极；电介质材料层，所述第一电极和第二电极之间，所述电介质材料具有双极型电致阻变效应；其中所述第一电极与所述电介质材料层呈肖特基接触，构成第一肖特基结；所述第二电极与所述电介质材...
孟庆宇赵宏武毛奇朱科建林伟坚
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金属薄膜中的逆自旋霍尔效应被引量：1
2013年
自旋流的产生和测量是自旋电子学面临的重大挑战.逆自旋霍尔效应提供了对自旋流进行电学测量的有效手段.文章总结了近年来人们对金属薄膜中的逆自旋霍尔效应的研究,从非局域电注入、铁磁共振注入、声波共振注入和圆偏振光注入这四种不同的自旋流注入方式来介绍逆自旋霍尔效应的物理机制、实现方式和影响因素.
毛奇赵宏武
关键词：自旋电子学铁磁共振
一种缩小存储节点的非易失性存储装置及其制造方法
本发明提供一种非易失性电阻存储器件，包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的阻变氧化物层，其特征在于底电极与阻变氧化物层连接的一端呈锥形，且锥形端部嵌入到阻变氧化物层中。本发明还提供一种非易失性电阻存储器件的制造方...
刘紫玉赵宏武张培健孟洋孟庆宇毛奇
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