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查访星: 作品数：19 被引量：11H指数：3; 供职机构：上海大学理学院物理系更多>>; 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

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一种原位检测直接带隙AlxGa1-xAs分子束外延薄膜材料组分方法和装置: 本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位AlxGa1－xAs组分检测技术,它把分子束外延系统的超高真空条件,与调制光谱系统有机地结合起来,形成了一个测量Alx<...; 陆卫刘兴权穆耀明杜捷查访星乔怡敏史国良严立平欧海疆万明芳陈效双吴小平沈学础; 文献传递

分子束外延生长的GaSbBi薄膜的扫描隧道显微镜表征: 新型窄带隙稀铋半导体GaSbBi由于掺Bi而引起带隙收缩，对开发2～4μm近中红外激光器具重要意义.本文报道超高真空扫描隧道显微镜对分子束外延生长的表面形貌和电子态的实验表征.发现未经腐蚀的样品表面电子态存在较大空间不均...; 齐鑫宋禹忻邵军王庶民查访星

Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te扫描隧道谱的模型解释: 2024年; 本工作利用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了分子束外延生长的Hg_(0.72)Cd_(0.28)Te薄膜。扫描隧道谱(STS)测量表明,此碲镉汞材料的电流-电压(I/V)隧道谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)比其实际材料带隙增大约130%,说明存在明显的针尖诱导能带弯曲(TIBB)效应。扫描隧道谱三维TIBB模型计算发现低成像偏压测量时获取的I/V隧道谱数据与理论计算结果有令人满意的一致性。然而较大成像偏压时所计算的I/V谱与实验谱线在较大正偏压区域存在一定偏离。这是目前的TIBB模型未考虑带带隧穿、缺陷辅助隧穿等碲镉汞本身的输运机制对隧道电流的影响造成的。; 肖正琼戴昊光刘欣扬陈平平查访星; 关键词：扫描隧道显微镜 HGCDTE

几种化合物半导体激光刻蚀的LBIC图像表征: 飞秒激光是一种有效的半导体微加工技术，但对于加工后半导体的电学性质研究较少。经激光诱导电流(LBIC)检测实验表明P型碲镉汞经飞秒激光刻蚀的区域的局域电学性质反型(由P型转变为N型)，激光能流密度对碲镉汞反型有极大影响。...; 潘晨博查访星; 关键词：飞秒激光 PN结

一种原位检测直接带隙AlxGa1－xAs分子束外延薄膜材料组分方法和装置: 本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位AlxGa1-xAs组分检测技术，它把分子束外延系统的超高真空条件，与调制光谱系统有机地结合起来，形成了一个测量Alx<...; 陆卫刘兴权穆耀明杜捷查访星乔怡敏史国良严立平欧海疆万明芳陈效双吴小平沈学础; 文献传递

一种新的空间调制光谱技术及其对几种半导体材料的应用被引量：2: 1997年; 本文提出了另一种新的对样品实行空间调制的微分反射光谱技术．文中给出了实验方法，讨论了调制机理，指出即使纯的体材料表面未经不均匀性处理，该方法也可直接给出其能隙大小，对GaAs的实验结果说明了这一观点．本文还分析了微分反射方法研究量子阱超晶格等薄膜半导体材料时的物理机理，给出并解释了InGaAs／GaAs单量子阱，AlGaAs／GaAsHBT等材料的微分反射谱．为了比较起见，文中还对照给出了每一样品的光调制反射谱．; 查访星黄醒良沈学础; 关键词：半导体材料空间调制

飞秒激光脉冲数对P型HgCdTe激光打孔成结效果的影响被引量：1: 2016年; 飞秒激光对p型Hg Cd Te打孔形成PN结.该实验基于1 k Hz低重复频率飞秒激光采用不同脉冲数在p型Hg Cd Te上打孔形成尺寸不同的微孔结构.实验发现脉冲数是影响成结效果的重要参数.激光诱导电流(LBIC)检测表明,随着脉冲数由单个增至10个,微孔侧壁反型层宽度由13.5μm减小到10.5μm.当脉冲数增大至100个时,微孔LBIC信号曲线已严重偏离PN结所对应的正负峰对称线形,意味着结特性趋于失效.对LBIC曲线拟合表明,单脉冲打孔形成的PN结给出最大的载流子扩散长度,约为17μm,而10个脉冲对应的环孔PN结扩散长度则减小为12μm.; 潘晨博陈熙仁公民戴晔邵军查访星; 关键词：碲镉汞 PN结

InGaAs(110)解理面的扫描隧道谱的理论诠释被引量：2: 2021年; 本工作应用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP异质结构的(110)解理面.扫描隧道谱(STS)测量结果显示,InGaAs的电流-电压(I-V)隧道谱呈现与衬底InP(110)面完全不同特点.InP的I-V谱呈现的零电流平台宽度(隧道谱表观带隙)接近材料带隙,可基于平带模型解释.In_(0.53)Ga_(0.47)As的表观带隙却比其带隙(室温0.74 eV)高出约50%.这反映了针尖与InGaAs发生隧穿时的不同物理图像,需应用针尖诱导能带弯曲(TIBB)模型来解释.基于三维TIBB模型的计算,我们发现表面态密度是对隧道谱线特征具有敏感影响的参数.适当选取参数不仅能定量解释InGaAs的I-V谱的零电流平台宽度,而且能较准确预言零电流平台的起、止能量位置,并能计算给出与实验高度重合的I-V理论谱线.; 戴昊光查访星陈平平; 关键词：半导体表面扫描隧道显微镜

液相外延p型碲镉汞表面区与腐蚀凹坑的不同扫描隧道谱特征被引量：3: 2012年; 利用超高真空扫描隧道显微镜对经过溴甲醇溶液腐蚀处理的液相外延碲镉汞材料进行了表征.发现经过腐蚀处理(3%浓度,2.5 min)的样品表面出现高密度的凹坑结构,凹坑深度约几十纳米,横向尺度在几十到几百纳米之间.扫描隧道谱测量表明,腐蚀样品表面平坦区呈现较大表观带隙,需考虑针尖诱导的能带弯曲效应,而凹坑区在零偏压区的扫描隧道谱线则近似为线性变化,说明该区域包含较高的带隙态并直接参与隧穿,从而掩盖了带隙信息.; 王庆余任秀荣李茂森徐德政查访星; 关键词：碲镉汞扫描隧道显微镜隧道谱

In_(0.52)Al_(0.48)As/InP的正向和反向异质结在带隙附近的不同光谱现象: 2024年; 应用光电导谱(PC)和光致发光谱(PL)研究了由分子束外延在InP(100)衬底上生长In_(0.52)Al_(0.48)As获得的两种异质结外延结构,分别是在InP衬底上生长InAlAs形成的正向异质结样品(样品A:In_(0.52)Al_(0.48)As/InP)和InAlAs层继续生长InP形成的上层为反向异质结的双异质结样品(样品B:InP/In_(0.52)Al_(0.48)As/InP).PL和PC实验采用光从表面入射激发的测量构型,样品测量温度为77 K.样品A的PC谱显示,在激发光能量大于表面In_(0.52)Al_(0.48)As层的带隙时出现了电导陡降的反常变化,还在916 nm波长处呈现一小的电导峰结构.PL谱对应此波长位置则出现很强的发光峰.样品B则未观察到上述光谱特征,该差异可从两类异质结不同的界面电子结构获得解释.; 吴洋胡晓刘博文顾溢查访星; 关键词：半导体界面光致发光