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杨鑫
作品数:
35
被引量:2
H指数:1
供职机构:
西安电子科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
段宝兴
西安电子科技大学
杨银堂
西安电子科技大学
吕建梅
西安电子科技大学
曹震
西安电子科技大学
刘朝曦
西安电子科技大学
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杨鑫
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杨银堂
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段宝兴
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非均匀等离子体电磁计算及其应用研究
空天情形下信号传输主要由无线电承担,这种通讯环境有时会伴有非均匀色散介质的存在,如卫星羽流、火箭尾焰及飞行器鞘套等。因物质的固有属性,它们将使电波表现出异于常规物质如空气中的传播行为,势必影响通信质量,甚至威胁实体安全。...
杨鑫
关键词:
非均匀等离子体
电磁计算
时域有限差分
具有宽带隙半导体材料/硅半导体材料异质结的绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明提出了一种具有宽带隙半导体材料/硅半导体材料异质结的绝缘栅双极晶体管(IGBT)及其制作方法,该异质结IGBT器件主要是将宽带隙材料与硅材料相结合形成异质结,先在宽带隙半导体材料P+型衬底上外延生长形成掺杂浓度较高...
段宝兴
孙李诚
吕建梅
杨鑫
杨银堂
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高K介质沟槽横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管及其制作方法
本发明提出了一种高K介质(High‑K Dielectric Pillar,HK)沟槽横向超结双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应管(SJ‑LDMOS)及其制作方法。该器件主要是在SJ‑LDMOS器件的漏端区域形成具有深沟...
段宝兴
曹震
师通通
杨鑫
杨银堂
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具有部分宽禁带材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法
本发明提出了一种具有部分宽禁带材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法,该IGBT器件主要是在宽禁带材料P+型衬底上外延生长形成掺杂浓度较低的N型宽禁带外延层,对N型宽禁带外延层进行部分刻蚀与P+型衬底整体形成凸字型结构...
段宝兴
杨鑫
王夏萌
孙李诚
张一攀
杨银堂
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具有电荷补偿块的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法
本发明提出了一种具有电荷补偿块的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)及其制作方法。该器件在N+型碳化硅半导体衬底材料上表面形成掺杂浓度较小的N型碳化硅外延层,在VDMOS器件的N型碳化硅漂移区中再形成多层P型...
段宝兴
杨鑫
孙李诚
王彦东
杨银堂
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基于蓝牙的移动终与PC机信息交互研究与实现
杨鑫
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具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法
本发明提出了一种具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该LDMOS器件的主要是将碳化硅材料与硅材料结合,在碳化硅衬底上通过异质外延技术或键合技术形成硅外延层,并采用深漏区结构,漏区...
段宝兴
黄芸佳
王彦东
杨鑫
孙李诚
杨银堂
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具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的U-MOSFET及其制作方法
本发明提出了一种具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的U‑MOSFET及其制作方法。该U‑MOSFET器件主要特点是将氮化镓材料与硅材料相结合形成异质结,以氮化镓衬底和N型氮化镓外延层整体的凸字型结构表面为基础形成N型硅外...
段宝兴
杨鑫
王夏萌
张一攀
杨银堂
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具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法
本发明提出了一种具有部分氮化镓/硅半导体材料异质结的VDMOS及其制作方法,该异质结VDMOS器件主要特点是在外延层上形成部分具有氮化镓材料与硅材料相结合的异质结,在氮化镓材料N+型衬底上外延生长形成掺杂浓度较低的N型氮...
段宝兴
王夏萌
杨鑫
张一攀
杨银堂
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具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管及其制作方法
本发明提出了一种具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该LDMOS器件的主要是将碳化硅材料与硅材料结合,在碳化硅衬底上通过异质外延技术或键合技术形成硅外延层,并采用深漏区结构,漏区...
段宝兴
黄芸佳
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