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杨芳

作品数:88 被引量:21H指数:3
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信兵器科学与技术化学工程更多>>

文献类型

  • 77篇专利
  • 7篇学位论文
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 11篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇兵器科学与技...
  • 1篇生物学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇政治法律
  • 1篇理学

主题

  • 14篇刻蚀
  • 14篇感器
  • 14篇传感
  • 14篇传感器
  • 13篇压阻
  • 13篇键合
  • 12篇压阻式
  • 11篇压力传感器
  • 11篇微电子
  • 11篇力传感器
  • 10篇芯片
  • 9篇微电子机械
  • 9篇微电子机械系...
  • 8篇等离子体
  • 8篇淀积
  • 8篇牺牲层
  • 8篇MEMS器件
  • 7篇芯片尺寸
  • 7篇封装
  • 6篇单片

机构

  • 88篇北京大学
  • 2篇中国工程物理...
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 88篇杨芳
  • 78篇张大成
  • 60篇李婷
  • 60篇王玮
  • 55篇田大宇
  • 51篇罗葵
  • 51篇刘鹏
  • 45篇何军
  • 33篇赵丹淇
  • 30篇黄贤
  • 27篇张立
  • 11篇李睿
  • 10篇姜博岩
  • 8篇林琛
  • 6篇王颖
  • 5篇严远
  • 4篇方竞
  • 4篇贺学锋
  • 3篇贺学峰
  • 3篇张美丽

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇中国心理卫生...
  • 1篇中国微米纳米...
  • 1篇中国微米、纳...

年份

  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 2篇2018
  • 7篇2017
  • 9篇2016
  • 12篇2015
  • 7篇2014
  • 13篇2013
  • 4篇2012
  • 5篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 5篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2000
  • 1篇1999
88 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种MEMS集成化方法
本发明公开了一种MEMS集成化方法,在基片上先刻蚀出MEMS区域凹槽,在凹槽以外的区域制作CMOS电路,完成除金属互连以外的所有IC工艺;然后淀积IC保护层,在凹槽内采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构;再刻蚀形成...
赵丹淇张大成杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
文献传递
高速PC主板设计中若干关键问题的研究与实践
本文基于高速PCB板EDA设计流程,结合Intel芯片组-Broadwater的台式计算机主板设计,分别在主板的布局、电源平面设计和高速信号布线方面进行了分析和优化设计。在布局方案方面,分析了关键器件的布局、关键信号的布...
杨芳
关键词:个人电脑主板设计高速电路
文献传递
一种自封装的MEMS器件及红外传感器
本发明公开一种基于表面牺牲层工艺制作的自封装的MEMS器件以及及采用该器件结构的红外传感器。该MEMS器件包括基片、衬底保护层、下电极、下电极保护层、结构层、金属层以及封装层,所述结构层和所述金属层位于由所述封装层形成的...
赵丹淇张大成何军黄贤杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
文献传递
一种提取体硅工艺制造的微梁拉伸断裂强度的方法及系统
本发明公开了一种提取体硅工艺制造的微梁拉伸断裂强度的方法及系统,利用新设计的片上试验机结构和微电子工艺检测分析用探针台相结合的系统,提取微梁的拉伸断裂强度参数。此方法可用来进行刻蚀(腐蚀)工艺监测,也可用来预测器件的机械...
何军张大成张立王玮杨芳田大宇刘鹏李婷
硅集成冲击片雷管的研制
介绍了一种利用硅MEMS工艺集成制造冲击片雷管的方法。首先在标准硅片上依次沉积二氧化硅、多晶硅(重掺杂)和铝,经过光刻刻蚀后形成桥单元,接下来采用阳极键合工艺在桥上粘接玻璃片,然后采用深反应离子刻蚀工艺在桥下方反向刻蚀单...
施志贵杨芳
关键词:多晶硅飞片阳极键合深反应离子刻蚀
文献传递
硅的腐蚀深度实时监控方法
本发明公开了一种硅的腐蚀深度实时监控方法,属于微电子机械系统加工工艺技术领域。本发明方法在相同条件下对硅腐蚀片和用于监控硅腐蚀片的腐蚀深度的硅陪片同时进行腐蚀,所述硅陪片包括位于硅陪片表面的腐蚀凹槽,位于腐蚀凹槽底面的腐...
严远张大成王玮杨芳李婷王颖罗葵田大宇
基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法
本发明提供一种基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法,其步骤包括:在基片上淀积并制作衬底保护层、下电极和下电极保护层,并化学机械抛光下电极保护层的表面;采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层;在...
赵丹淇张大成何军黄贤杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
文献传递
一种MEMS加工工艺的温度监控装置及温度监控方法
本发明提供一种MEMS加工工艺的温度监控装置,包括:两个热驱执行器,每个热驱执行器均包括两个固定锚点,该两个固定锚点通过热驱梁连接,该两个热驱执行器通过一放大杠杆连接;一活动锯齿开关,包括一锯齿扣和一锯齿锁,该锯齿扣连接...
张立张大成杨芳王玮李睿关淘淘范泽新
文献传递
一种热驱冲击试验机及一种在线检测系统和在线检测方法
本发明提供一种热驱冲击试验机,包括:一热驱加载机构,包括两个加载热驱执行器,通过一加载放大杠杆连接,该加载放大杠杆的中点处连接一加载锯齿扣,该加载锯齿扣含有多个一类锯齿;该中点处还通过一单梁连接一冲击质量块和一负载储能弹...
张立张大成杨芳王玮李睿关淘淘范泽新
文献传递
一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法
本发明公开了一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法,优选采用TSV和CMP工艺来实现。其中硅应变膜的厚度可以利用TSV工艺提前确定,在利用CMP工艺进行硅片减薄时可以自停止在TSV金属填充孔位置,可以大幅提高硅应变膜厚度的...
黄贤杨芳张大成姜博岩王玮何军田大宇刘鹏罗葵李婷张立
共9页<123456789>
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