杨国良
- 作品数：9 被引量：30H指数：4
- 供职机构：上海工程技术大学更多>>
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- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 反应烧结制备B4C基复合材料
- 本文以硅、铝为熔渗剂，通过反应烧结工艺，对B4C和B4C/C的预制件进行溶渗反应烧结，在相对较低温度下成功得到了碳化硼基复合材料。采用冷等静压（CIP）对压坯（预制件）进行复压，提高了压坯的密度和强度，反应烧结所得复合材...
- 杨国良
- 关键词：机械性能
- 熔渗反应法制备金刚石/SiC复合材料
- 2015年
- 为制备金刚石/SiC复合材料,采用熔渗反应法,在真空环境和烧结温度为1 500~1 600℃的条件下进行制备。分析了复合材料的致密度、硬度和在不同温度下的干摩擦磨损性能。结果表明,熔渗反应工艺制备的复合材料致密度高,烧结温度为1 550℃时得到的复合材料的硬度最高。反应烧结金刚石/SiC复合材料常温下的耐磨损性较好,但600℃下的磨损性能显著恶化。
- 杨国良林文松段丽慧
- 关键词：复合材料
- 纤维结构钼铜复合材料的制备及组织性能被引量：9
- 2014年
- 在真空环境下,将铜熔渗到钼纤维预制体中,制得纤维结构的致密的钼铜复合材料。通过控制钼纤维预制体的表观密度,可以方便地改变钼铜复合材料的成分组成。采用扫描电镜和金相显微镜观察材料的微观组织形貌,研究工艺参数对钼铜复合材料的成分、密度、硬度和电导率的影响。结果表明:采用无纺技术结合模压成形获得的钼纤维预制体可形成较宽范围的孔隙度,从而得到钼含量不同的钼铜复合材料;熔渗工艺制得的钼铜复合材料具有致密均匀、特征明显的纤维结构组织;所得钼铜复合材料的致密度均达到99%以上。当钼质量分数为84.77%时,得到的材料致密度达到最大值99.43%,其硬度为226.7HV,电导率为16.5 MS/m。
- 王婕丽林文松姜自旺杨国良段丽慧
- 关键词：纤维结构熔渗
- 成型方式对反应烧结碳化硼基复合材料性能的影响被引量：1
- 2015年
- 本文针对干压成型结合冷等静压成型对反应烧结碳化硼基复合材料样品性能的影响进行研究。考察了成型压力、保压时间、加压方式对压坯密度和强度的影响。结果表明:采用100 MPa干压2 min,再经过150 MPa冷等静压保压1 min,压坯密度由干压压制时最大密度1.86 g/cm3升高到1.96 g/cm3,压坯强度可达到2.0 MPa。保压时间和加压方式对压坯的密度、强度的影响不大。干压结合冷等静压相对于干压成型,在相同的烧结温度下样品性能有明显的提高,烧结后样品密度为2.44 g/cm3,显微硬度为2394 kg/cm2,三点抗弯强度为241 MPa。
- 王静静林文松杨国良闫学增
- 关键词：力学性能
- 外加磁场对射频磁控溅射制备铝掺杂氧化锌薄膜影响的研究被引量：8
- 2014年
- 利用射频磁控溅射法制备了铝掺杂氧化锌(AZO)透明导电薄膜,在传统的磁控溅射系统中引入外加磁场,研究了外加磁场对AZO薄膜沉积速率、形貌结构及光电特性的影响.研究结果表明,外加磁场后薄膜的沉积速率从不加磁场的13.04 nm/min提高到了19.93 nm/min;外加磁场后薄膜表面平整致密、颗粒大小均匀,结晶质量较高,而不加磁场薄膜表面形貌呈蠕虫状,薄膜质量较差.溅射时间为90 min时,外加磁场前后AZO薄膜方阻分别为30.74?/和12.88?/.外加磁场对薄膜可见光透过率影响不大,但使薄膜的吸收边蓝移现象更明显.运用ansys软件对磁控溅射二维磁场分布模拟后发现,外加磁场提高了靶上方横向磁场强度,改善了磁场分布的均匀性,加强了磁场对电子的磁控作用,提高了靶电流,是AZO薄膜的溅射速率、光电性能和形貌结构得到提高和优化的原因.
- 陈明周细应毛秀娟邵佳佳杨国良
- 关键词：外加磁场磁控溅射AZO透明导电薄膜
- 碳化硼基复合材料制备研究进展被引量：7
- 2014年
- 碳化硼断裂韧性低、烧结温度高、抗氧化能力差、对金属的稳定性差,限制了其在工程上的进一步应用。综述了碳化硼粉末的成型方法以及碳化硼基复合材料的烧结方法,总结了碳化硼陶瓷的增韧及烧结过程中的氧化行为。
- 杨国良林文松王婕丽段丽慧吴璐
- 关键词：碳化硼相变增韧晶须补强
- 3D-C_f/SiC陶瓷基复合材料研究进展被引量：5
- 2014年
- 三维碳纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料(3D-Cf/SiC)因其各种优异性能已在各领域广泛应用。针对国内外研究现状,总结了三维编织复合材料特性、3D-Cf/SiC的最新制备工艺与界面问题以及Cf/SiC作为高温热结构材料和支撑结构材料的应用现状。最后展望了3D-Cf/SiC的发展趋势并指出对3D-Cf/SiC的研究将一直是碳化硅陶瓷基复合材料界研究的重点和难点。
- 段丽慧林文松杨国良王婕丽
- 一种碳化硅晶须增韧碳化硼陶瓷复合材料的制备方法及产品
- 本发明公开一种碳化硅晶须增韧碳化硼陶瓷复合材料的制备方法及产品，采用低温反应烧结结合冷等静压的方法制备B<Sub>4</Sub>C坯体，降低烧结温度，提高压坯相对密度；另一方面，通过采用晶须增韧的方法，增加裂纹扩展阻力，...
- 段丽慧林文松杨国良
- 文献传递
- 一种碳化硅晶须增韧碳化硼陶瓷复合材料的制备方法及产品
- 本发明公开一种碳化硅晶须增韧碳化硼陶瓷复合材料的制备方法及产品，采用低温反应烧结结合冷等静压的方法制备B<Sub>4</Sub>C坯体，降低烧结温度，提高压坯相对密度；另一方面，通过采用晶须增韧的方法，增加裂纹扩展阻力，...
- 段丽慧林文松杨国良
